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西門子推出新型平板電源SITOP Direct Mount
西門子工業(yè)自動(dòng)化集團(tuán)日前推出的PSU100D電源，進(jìn)一步豐富了Sitop電源家族系列產(chǎn)品線。新產(chǎn)品為高性價(jià)比平板單相電源，產(chǎn)品使用螺釘安裝，無需導(dǎo)軌。堅(jiān)固的鋁合金外殼具有IP20防護(hù)等級(jí)，所需安裝空間極小，可靈活安裝在不同位置。該款產(chǎn)品能夠滿足客戶對(duì)電源的所有基本要求，尤其適合安裝在機(jī)器設(shè)備...
2011-10-12
西門子 平板電源 SITOP Direct Mount
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TCD0806B-350-2P:TDK-EPC薄膜共模濾波器新增抑制差模噪聲功能
TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC開發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的可同時(shí)實(shí)現(xiàn)抑制高速差分傳輸過程中產(chǎn)生的共模噪聲及GSM頻段的差模噪聲功能的薄膜共模濾波器（TCD0806B-350-2P），并從2011年9月開始量產(chǎn)。
2011-10-12
射頻 濾波器 熱量 放大器
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
2011-10-11
SiR662DP Vishay 功率MOSFET 電源產(chǎn)品
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開關(guān)電源的干擾分析及其抑制措施
開關(guān)電源本身產(chǎn)生的干擾直接危害著電子設(shè)備的正常工作抑制開關(guān)電源本身的電磁噪聲．是開發(fā)和設(shè)計(jì)開關(guān)電源的一個(gè)重要課題。簡要地對(duì)開關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生、傳播的機(jī)理進(jìn)行了介紹，總結(jié)了幾種主要的抑制開關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生及傳播的方法。
2011-10-11
開關(guān)電源 干擾 抑制
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三相IGBT全橋隔離驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)
本文針對(duì)10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計(jì)了一種隔離驅(qū)動(dòng)電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V／-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結(jié)構(gòu)。
2011-10-11
IGBT 全橋隔離 驅(qū)動(dòng)電源 隔離驅(qū)動(dòng)電源 變換器
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高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制
隨著現(xiàn)代工藝水平的提高與新技術(shù)的開發(fā)完善，功率VDMOSFET設(shè)計(jì)研制朝著高壓、高頻、大電流方向發(fā)展，成為目前新型電力電子器件研究的重點(diǎn)。本文設(shè)計(jì)了漏源擊穿電壓為500 V，通態(tài)電流為8 A，導(dǎo)通電阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通過工藝仿真軟件TSUPREM-4和器件仿真軟件MEDICI進(jìn)行聯(lián)合優(yōu)化仿...
2011-10-11
VDMOSFET 高壓功率MOS管 MOSFET
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適用于各種類型硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路
本文論述一個(gè)新穎的簡單的適用于各種類型硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路，這個(gè)電路只需使用幾個(gè)元器件：一個(gè)微型線圈、兩個(gè)耦合輔助線圈和兩個(gè)優(yōu)化的PN二極管。而且，這個(gè)電路完全兼容任何一種PWM控制器。
2011-10-11
功率因數(shù)校正 BC2 能量回收
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2015年平板貢獻(xiàn)半導(dǎo)體達(dá)200億美元
國際研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)近日舉辦半導(dǎo)體全球巡回論壇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師李輔邦表示，平板電腦未來5年的平均年復(fù)合成長率達(dá)77%，并估計(jì)到2015年，平板電腦貢獻(xiàn)半導(dǎo)體業(yè)的營收將達(dá)200億美元。另外，他指出，ARM是智慧型手機(jī)和平板電腦崛起的最大贏家，估計(jì)未來5年仍能守穩(wěn)80%市占率。
2011-10-11
ARM 平板 平板電腦 半導(dǎo)體業(yè)
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高性能氮化鎵晶體管研制成功
據(jù)悉，法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向?yàn)?00）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。科學(xué)家可據(jù)此研制出兼具CMOS芯片的計(jì)算能力和氮化鎵晶體管大功率容量的混合電子元件，以獲得更小更快、能耗更低的電子設(shè)備。
2011-10-11
氮化鎵晶體管 晶體管 電子元件
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