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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚...
2011-10-21
Si8802DB Si8805EDB Vishay MOSFET TrenchFET
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未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)數(shù)量增加將造成電網(wǎng)高負(fù)荷
據(jù)外媒報(bào)道，全球智能電網(wǎng)模式近年來(lái)一直引發(fā)了熱議，很多專(zhuān)家得出結(jié)論，現(xiàn)在的電動(dòng)汽車(chē)的規(guī)模已經(jīng)具備足夠能力實(shí)現(xiàn)電力儲(chǔ)存和傳輸。然而目前這一領(lǐng)域仍然面臨著一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)變壓器。
2011-10-21
電動(dòng)汽車(chē) 電網(wǎng) 插電 智能電網(wǎng)
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TI推出超過(guò)300款電源管理參考設(shè)計(jì)的PowerLab
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出PowerLab參考設(shè)計(jì)庫(kù)，匯集了業(yè)界經(jīng)過(guò)測(cè)試的、最廣泛的電源管理參考設(shè)計(jì)。該 PowerLab 參考設(shè)計(jì)庫(kù)內(nèi)含300多款電源管理參考設(shè)計(jì)，滿足各種應(yīng)用及電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涞男枨?，如照明、電信、?jì)算以及消費(fèi)類(lèi)電子等的隔離及非隔離式設(shè)計(jì)方案。
2011-10-21
電源管理 印制電路板 功率轉(zhuǎn)換 數(shù)字電源
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高頻變壓器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
高頻鏈逆變技術(shù)用高頻變壓器代替?zhèn)鹘y(tǒng)逆變器中笨重的工頻變壓器，大大減小了逆變器的體積和重量。在高頻鏈的硬件電路設(shè)計(jì)中，高頻變壓器是重要的一環(huán)。
2011-10-21
高頻 變壓器 單片 開(kāi)關(guān)電源
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基于超級(jí)電容-鉛酸蓄電池混合儲(chǔ)能的太陽(yáng)能充電器
文中設(shè)計(jì)了基于超級(jí)電容-鉛酸蓄電池混合儲(chǔ)能的太陽(yáng)能充電器， 采用UC3909 智能管理芯片實(shí)現(xiàn)對(duì)鉛酸蓄電池具有溫度補(bǔ)償功能的的四階段充電管理； 并利用超級(jí)電容器組及升降壓轉(zhuǎn)換電路實(shí)現(xiàn)弱光充電功能， 優(yōu)化鉛酸蓄電池充放電過(guò)程， 提高系統(tǒng)效率及穩(wěn)定性。
2011-10-20
鉛酸蓄電池 太陽(yáng)能 超級(jí)電容 充電器
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開(kāi)關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)
本文分析了晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因， 并結(jié)合開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)實(shí)際， 介紹了緩沖回路的應(yīng)用及其它有關(guān)晶體管防護(hù)措施。
2011-10-20
開(kāi)關(guān)電源 晶體管 二次擊穿 功率晶體管
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天津推出新型動(dòng)力電源 充電10分鐘，可行200公里
天津市將致力于推動(dòng)“高能鎳碳超級(jí)電容器”產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)：一期投資10億元，建成1000萬(wàn)只30億安時(shí)產(chǎn)能，預(yù)計(jì)產(chǎn)值200億元；二期建成1億只300億安時(shí)產(chǎn)能。
2011-10-20
電源 汽車(chē)電子 靜態(tài)電流 穩(wěn)壓器
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第二講：詳解智能電表的主流計(jì)量芯片方案
在智能電網(wǎng)的諸多應(yīng)用中，智能電表應(yīng)用已率先落地。根據(jù)國(guó)家電網(wǎng)公司電網(wǎng)智能化建設(shè)規(guī)劃，在國(guó)家電網(wǎng)公司“計(jì)量、抄表和收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)化建設(shè)研究”項(xiàng)目成果的基礎(chǔ)上，全國(guó)的大多數(shù)電表企業(yè)均設(shè)計(jì)研發(fā)了符合新一代智能電網(wǎng)要求的電度表。
2011-10-19
智能電表 BL6523A 計(jì)量芯片 MCU
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峰值電流控制的非隔離負(fù)電壓DC/DC開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
針對(duì)現(xiàn)有非隔離負(fù)電壓DC/DC開(kāi)關(guān)電源在帶負(fù)載能力以及輸出紋波上的不足，本文提出了一種基于峰值電流控制的新型非隔離負(fù)電壓DC/DC開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方案，使現(xiàn)在連續(xù)電流模式（CCM）下輸出電容能始終通過(guò)輸出電感得到充電。進(jìn)而有效抑制輸出紋波的影響，確保了負(fù)電源的高效率工作和帶負(fù)載能力。
2011-10-19
開(kāi)關(guān)電源 DC/DC 峰值電流
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