【導(dǎo)讀】富士通半導(dǎo)體推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM，有助于延長電池壽命并適應(yīng)更加小型化的便攜式應(yīng)用。與競爭對手的產(chǎn)品相比，其待機電流和工作電流目前是全世界最低的。尤其是在待機模式下，平均電流僅為0.1uA。
富士通半導(dǎo)體有限公司近日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
圖1：富士通推出超低功耗16Kb FRAM
便攜式醫(yī)療設(shè)備和便攜式測量設(shè)備使用FRAM有助于延長電池壽命。SON-8封裝使得終端產(chǎn)品更加小型化。這些優(yōu)勢給客戶帶來了便利。
與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，富士通FRAM的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在高速存儲、高耐久性和低功耗等方面。富士通FRAM廣泛應(yīng)用于需要高可靠性的能量表領(lǐng)域。
富士通帶I2C接口的16Kb FRAM－MB85RC16的一大優(yōu)勢是低功耗。與競爭對手的產(chǎn)品相比，其待機電流和工作電流目前是全世界最低的。尤其是在待機模式下，平均電流僅為0.1uA，對于便攜式測量設(shè)備，待機時間更長，這一特性延長了電池壽命。
由于運行時電流也很小，該產(chǎn)品也適用于需要實時數(shù)據(jù)記錄的可便攜式設(shè)備。與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)EEPROM相比，燒寫時可降低98%的電流消耗。
圖2：燒寫時可降低98%的電流消耗
為了滿足電池供電的便攜式應(yīng)用或者移動應(yīng)用的低功耗要求，富士通開發(fā)了新的小封裝SON-8，作為MB85RC16的標(biāo)準(zhǔn)封裝陣容。
富士通的FRAM產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于各種先進領(lǐng)域，如計量、工業(yè)設(shè)備和FA設(shè)備。然而對于電池供電的便攜式設(shè)備和移動設(shè)備，其終端產(chǎn)品越來越小型化，占板面積也有限，所以有進一步小型化的要求。
為滿足這一需求，富士通在其超低功耗FRAM－MB85RC16添加了SON-8封裝。與現(xiàn)有的SOP-8封裝相比，SON-8封裝的占板面積減少了80%。封裝尺寸為3mm x 2mm。
圖3：SON-8封裝的占板面積減少了80%
使用帶SON-8封裝的MB85RC16可延長電池壽命，并使最終產(chǎn)品小型化。
