實(shí)際上,正確的方式是讓線路電流趨近于正弦波形,盡量使得線路電壓和相位相同。為此,通常在橋電路與大電容之間插入所謂的PFC預(yù)穩(wěn)壓器。這個(gè)中間段設(shè)計(jì)輸出恒定的直流電壓,同時(shí)從輸入線路吸收正弦電流。PFC段通常采用升壓配置,要求輸出電壓比線路可能最高的電壓電平都要高。這就是為什么歐洲或是通用主電源輸入條件下,輸出穩(wěn)壓電平普遍設(shè)定在約390V的原因。
本篇文章將為大家介紹一種能夠?qū)FC段性能進(jìn)行提高的方法。日常生活中大家所接觸的電源都不屬于高功率的范圍,而是屬于較低功率的應(yīng)用。臨界導(dǎo)電模式(CrM)(也稱作邊界、邊界線甚至是瞬態(tài)導(dǎo)電模式)通常是首選的控制技術(shù)。這種控制技術(shù)簡單,市場上有采用這種技術(shù)的不同的商用控制器,容易設(shè)計(jì)。然而,高輸入電壓時(shí),如果輸入和輸出電壓之間的差距小,PFC段會變得不穩(wěn)定。本文將說明解決這種問題的方法。PFC段一個(gè)更加常見的問題是通常發(fā)生在啟動(dòng)時(shí)的大電流過沖,而不論采用的是何種控制技術(shù)。
臨界導(dǎo)電模式的工作
作為最常用的一種對PFC段進(jìn)行控制的方法。臨界導(dǎo)電模式使用了可變的頻率控制原理來描述特征,即電感電流先上升至所需線路電流的2倍,然后下降至零,接著再上升至正電流,期間沒有死區(qū)時(shí)間(dead-time),如圖1所示。這種控制方法需要電路精確地檢測電感的磁芯復(fù)位。
圖1:臨界導(dǎo)電模式
當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),VAUX=-NVIN;
當(dāng)MOSFET開路時(shí),VAUX=N(VOUT-VIN);
其中,N是輔助繞組與主繞組之間的匝數(shù)比。
圖2:應(yīng)用段典型示意圖
圖3:波形
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例如,NCP1607數(shù)據(jù)表中可以發(fā)現(xiàn)下述的ZCD閾值規(guī)范(引腳5是監(jiān)測ZCD信號的電路)。Vpin5上升:最低值為2.1V,典型值為2.3V,最大值為2.5V;Vpin5下降:最低值為1.5V,典型值為1.6V,最大值為1.8V。
要恰當(dāng)?shù)貦z測零電流,VAUX信號必須高于較高的閾值。
圖4及圖5顯示出在高線路時(shí)會面對的一個(gè)問題。VAUX電壓在退磁相位期間較小,而這時(shí)Vin較高,因?yàn)閂AUX與輸出輸入電壓差成正比VAUX=N(VOUT-VIN)。
圖4:不精確零電流檢測導(dǎo)致的不穩(wěn)定性
圖4顯示出現(xiàn)不穩(wěn)定性問題時(shí)高輸入線路(正弦波頂端,此處Vin約為380V)下的VAUX電壓。我們可以看到MOSFET關(guān)閉時(shí),VAUX電壓輕微躍升至高于ZCD閾值。由于其大紋波的緣故,在退磁相位期間,VAUX電壓首先增加,然后下降。由于在某些開關(guān)周期的末段VAUX接近ZCD閾值,這VAUX電壓下降導(dǎo)致零電壓比較器在電感磁芯完全復(fù)位前就翻轉(zhuǎn)(trip)。
圖5:連續(xù)導(dǎo)電模式工作
總結(jié)
相信經(jīng)過本文的介紹,大家在設(shè)計(jì)過程中遇到PFC過沖過高的現(xiàn)象時(shí),能夠?qū)W以致用,通過臨界導(dǎo)電的方式調(diào)節(jié)PFC段性能。
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