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半導(dǎo)體后端工藝 第十一篇（完結(jié)篇）：半導(dǎo)體封裝的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)
本系列文章詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導(dǎo)體封裝、封裝工藝及材料等各個(gè)方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)。除了詳細(xì)介紹如何評(píng)估和制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)以外，還將介紹針對(duì)半導(dǎo)體封裝預(yù)期壽命、半導(dǎo)體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機(jī)械可靠性等評(píng)估...
2024-09-12
半導(dǎo)體 后端工藝 封裝
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充電器基礎(chǔ)知識(shí)以及電量計(jì)分區(qū)為何如此重要
電池充電系統(tǒng)的關(guān)鍵組件是充電器本身和電量計(jì)，電量計(jì)可電池充電狀態(tài) (SOC)、電量耗盡時(shí)間和充滿電時(shí)間等指標(biāo)。電量計(jì)可在主機(jī)端或電池組中實(shí)現(xiàn)（見(jiàn)圖 1）。
2024-09-11
充電器 電量計(jì)分區(qū)
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為什么存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能對(duì)AI工作負(fù)載至關(guān)重要？
數(shù)據(jù)是各種現(xiàn)代企業(yè)的生命線，而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、訪問(wèn)與管理策略對(duì)企業(yè)的生產(chǎn)力、盈利能力以及競(jìng)爭(zhēng)力會(huì)產(chǎn)生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業(yè)都在經(jīng)歷變革，企業(yè)不得不重新思考如何利用數(shù)據(jù)來(lái)加速創(chuàng)新和增長(zhǎng)。然而，AI訓(xùn)練和推理對(duì)數(shù)據(jù)管理和存儲(chǔ)提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼈冃枰幚睚嫶蟮臄?shù)...
2024-09-11
存儲(chǔ)系統(tǒng) AI 工作負(fù)載
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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邊界工況推動(dòng)下，汽車圖像傳感器的四大發(fā)展方向
隨著自動(dòng)駕駛等級(jí)進(jìn)階，搭載的攝像頭數(shù)量越來(lái)越多性能越來(lái)越高。為幫助自動(dòng)駕駛車輛描繪出一幅幅精準(zhǔn)細(xì)膩的“路況圖”，其幕后英雄圖像傳感器正在嶄露頭角，高分辨率、高動(dòng)態(tài)范圍等技術(shù)方向的推進(jìn)迫在眉睫。
2024-09-11
汽車 圖像傳感器
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氮化鎵在高壓應(yīng)用中提供強(qiáng)大的解決方案
在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢(shì)是由各種應(yīng)用中對(duì)提高效率和功率密度的需求所推動(dòng)的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強(qiáng)大的解決方案來(lái)滿足這些需求。
2024-09-11
氮化鎵 高壓應(yīng)用
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開(kāi)關(guān)模式電源問(wèn)題分析及其糾正措施：檢測(cè)電阻器違規(guī)
本文是系列文章中的第二篇，該系列文章將討論常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問(wèn)題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的反饋級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注檢測(cè)電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對(duì)于確保反饋網(wǎng)絡(luò)（負(fù)責(zé)維持輸出電壓）接收來(lái)自電感電流的準(zhǔn)確信號(hào)而言至關(guān)重要。失真的信號(hào)可能會(huì)...
2024-09-10
開(kāi)關(guān)模式 電源 電阻器
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