-
迎刃而解——華大九天Polas利器應(yīng)對功率設(shè)計挑戰(zhàn)
電源管理集成電路（PMIC）設(shè)計涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點的演進，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯(lián)層的電阻在整體導通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數(shù)提取的準確性造成了影響；封裝對芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對功率設(shè)計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰(zhàn)。此外，如何高效地驅(qū)動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關(guān)切換過程中的穿通漏電現(xiàn)象，也成為功率設(shè)計領(lǐng)域的核心難題。
2025-02-13
-
使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關(guān)特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十二）——功率半導體器件的PCB設(shè)計
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
在功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》和《功率半導體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的測溫儀器是熱電偶、紅外成像儀和模塊中的NTC和芯片上的二極管。
2024-12-31
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導體模塊的熱擴散
任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。
2024-12-22
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（七）——熱等效模型
有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下的各層溫度如下圖，溫度的紋波是由熱容決定的。
2024-12-11
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-25
-
【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評估
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領(lǐng)域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰(zhàn)。同時，隨著SiC等寬禁帶半導體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準確評估這些先進功率器件的性能和壽命，成為了行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。
2024-11-23
- 碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
- 二次整流電路設(shè)計難點解析
- 物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點進化論：從單處理器到多核異構(gòu)的跨越式發(fā)展
- 晶閘管選型與應(yīng)用實戰(zhàn)指南：多維參數(shù)平衡與場景化設(shè)計深度解析
- 超精密機器人動態(tài)性能躍升的核心密碼：先進電流電壓檢測賦能納米級運動控制
- 醫(yī)療設(shè)備中的溫度傳感器：精準醫(yī)療的“溫度守護者”
- DigiKey 2025慕尼黑上海電子展：見證一場全球技術(shù)與本土創(chuàng)新相結(jié)合的科技盛宴
- 貿(mào)澤電子啟動EIT技術(shù)新篇章：解碼腦機接口未來密碼
- 聯(lián)發(fā)科為開發(fā)者打造的調(diào)試“上帝視角”， Dimensity Profiler 工具來了
- 學子專區(qū)論壇- ADALM2000實驗：脈寬調(diào)制
- 動態(tài)離散周期變換技術(shù)突破：無ECG參考的生理信號精準解析
- 無纜智能終端的能源進化論：破解微型設(shè)備供能困局
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
