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如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動器
所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。
2023-09-06
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不同殼溫下SOA曲線的計算方法
安全工作區(qū)(SOA)定義為IGBT可以預期在沒有自損壞或退化的情況下工作的電流和電壓條件，分為正向偏置和反向偏置安全工作區(qū)（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)定義了IGBT開啟期間的可用電流和電壓條件。反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA)定義了IGBT關(guān)斷期間的可用電流和電壓條件。在實踐中，SOA曲線是工程師的重要參考之一。工程師必須考慮到所有的極限工況，同時保證器件的工作時的參數(shù)都在SOA之內(nèi)。不僅需要在安全工作區(qū)域內(nèi)使用IGBT，而且還需要控制器件的工作溫度。
2023-08-23
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有效測量碳化硅信號
碳化硅（SiC）技術(shù)已超越傳統(tǒng)的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應用，因為它具有大功率系統(tǒng)的主要熱和電氣優(yōu)勢。這些優(yōu)勢包括更高的開關(guān)頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統(tǒng)升級和系統(tǒng)設(shè)計的新選擇。
2023-08-22
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款IGBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求，并進一步完善持續(xù)擴大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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BLDC 電機控制設(shè)計
在無刷電機中，電流反轉(zhuǎn)是通過微控制器控制的一組功率晶體管（通常是 IGBT）以電子方式獲得的。驅(qū)動它們的主要問題是了解電機的準確位置；只有這樣控制器才能確定驅(qū)動哪一相。轉(zhuǎn)子的位置通常使用霍爾效應傳感器或光學傳感器獲得。在效率方面，由于摩擦減少，無刷電機比同等交流電機產(chǎn)生的熱量少得多。
2023-08-17
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動？這款I(lǐng)C方案推薦給您
在高壓開關(guān)電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-15
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電機控制設(shè)計基礎(chǔ)知識
軟件和硬件都是所有電機控制系統(tǒng)的一部分，例如 IGBT、WBG 半導體和 MCU。工業(yè)4.0的發(fā)展強烈依賴于電機控制，但能源消耗是一個關(guān)鍵問題，因為它正在快速增長，并且需求隨著設(shè)計的復雜性而增長，因為許多電子技術(shù)都有嚴格的控制要求。寬帶隙 (WBG) 材料就是這種情況的一個例子。
2023-08-15
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現(xiàn)之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓撲結(jié)構(gòu)。
2023-08-04
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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機驅(qū)動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導通和關(guān)斷時需要精確的驅(qū)動電壓（具體取決于所使用的器件）。
2023-08-03
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基于模型設(shè)計提高車規(guī)級芯片功能安全設(shè)計效率
在汽車電氣化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化快速發(fā)展的今天，汽車所用的芯片數(shù)量與種類也日益增多。電氣化引領(lǐng)了汽車電子電氣架構(gòu)的革新，催生出域控制器等集中式大算力芯片和 IGBT 等功率芯片。智能化則引入了多種類的傳感器和 AI 應用，帶動了雷達、激光雷達、攝像頭、智能座艙、5G 車聯(lián)網(wǎng)等模組、處理器、存儲芯片、以及 AI 計算芯片的發(fā)展。
2023-07-28
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