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第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
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意法半導(dǎo)體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車(chē)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開(kāi)發(fā)了一套先進(jìn)的汽車(chē)功能安全整體解決方案，以加快安全關(guān)鍵的汽車(chē)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，提高軟件定義汽車(chē)的安全性和經(jīng)濟(jì)性。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應(yīng)對(duì)功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
電源管理集成電路（PMIC）設(shè)計(jì)涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴(yán)苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯(lián)層的電阻在整體導(dǎo)通電阻中的占比越來(lái)越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對(duì)參數(shù)提取的準(zhǔn)確性造成了影響；封裝對(duì)芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對(duì)功率設(shè)計(jì)在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導(dǎo)通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。此外，如何高效地驅(qū)動(dòng)具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開(kāi)關(guān)切換過(guò)程中的穿通漏電現(xiàn)象，也成為功率設(shè)計(jì)領(lǐng)域的核心難題。
2025-02-13
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貿(mào)澤電子推出在線汽車(chē)資源中心助力工程師實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新設(shè)計(jì)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出內(nèi)容豐富的汽車(chē)資源中心，為工程師提供設(shè)計(jì)創(chuàng)新應(yīng)用所需的工具。汽車(chē)行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)由技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)的快速轉(zhuǎn)型，SAE 3級(jí)ADAS是其中的一項(xiàng)重要技術(shù)。實(shí)現(xiàn)這一級(jí)別的車(chē)輛在未請(qǐng)求駕駛?cè)私庸艿那闆r下，可通過(guò)升級(jí)的激光雷達(dá) (LiDAR)、雷達(dá)和攝像頭等傳感器實(shí)現(xiàn)完全自主駕駛。這種自主性不僅將重塑我們對(duì)交通的認(rèn)知，更有望提升安全功能、減少交通擁堵，以及增強(qiáng)殘障人士出行的便利性。
2025-02-11
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意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)擬在2025 年度股東大會(huì)提名新監(jiān)事人選
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，監(jiān)事會(huì)已同意在公司 2025 年度股東大會(huì)上提議股東批準(zhǔn)Werner Lieberherr接任2025 年度股東大會(huì)結(jié)束時(shí)任期屆滿的Janet Davidson，擔(dān)任意法半導(dǎo)體監(jiān)事一職。
2025-02-08
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貿(mào)澤電子2024年新增逾60家供應(yīng)商持續(xù)為客戶擴(kuò)大產(chǎn)品代理陣容
專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超過(guò)60家供應(yīng)商，產(chǎn)品代理陣容持續(xù)擴(kuò)大，為廣大電子設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類(lèi)先進(jìn)產(chǎn)品，讓設(shè)計(jì)人員輕松獲得各項(xiàng)新技術(shù)，協(xié)助其加快產(chǎn)品上市速度。
2025-02-08
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意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財(cái)報(bào)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 公布了按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則 (U.S. GAAP) 編制的截至2024年12月31日的第四季度財(cái)報(bào)。此外，本新聞稿還包含非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù) (詳情參閱附錄)。
2025-02-07
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MD&M West展會(huì)：Micro Crystal攜創(chuàng)新定時(shí)元件，共繪醫(yī)療科技新藍(lán)圖
在醫(yī)療科技日新月異的今天，每一次創(chuàng)新都可能引領(lǐng)行業(yè)的未來(lái)。2025 年 2 月 4 日至 6 日，美國(guó)加州阿納海姆將迎來(lái)第 40 屆 MD&M West 醫(yī)療展會(huì)，這場(chǎng)匯聚全球醫(yī)療技術(shù)精英的盛會(huì)，正是 Micro Crystal 瑞士微晶展示其技術(shù)實(shí)力與行業(yè)承諾的舞臺(tái)。
2025-02-06
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解鎖AI設(shè)計(jì)潛能，ASO.ai如何革新模擬IC設(shè)計(jì)
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，半導(dǎo)體行業(yè)作為眾多前沿技術(shù)的基石，正面臨著前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。隨著電子系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜，芯片電路設(shè)計(jì)也變得更為復(fù)雜，這導(dǎo)致了更長(zhǎng)的設(shè)計(jì)周期、更高的開(kāi)發(fā)成本以及更大的錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)。
2025-02-01
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貿(mào)澤電子新品推薦：2024年第四季度推出超過(guò)10,000個(gè)新物料
致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來(lái)自1,200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2025-01-29
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試
SiC器件的快速開(kāi)關(guān)特性包括高頻率，要求測(cè)量信號(hào)的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作，基于實(shí)際的SiC被測(cè)器件 (DUT)，描述了實(shí)用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。開(kāi)關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)電源整體性能的影響。
2025-01-25
- 【明天見(jiàn)】IIC Shanghai 2025：同期峰會(huì)論壇展商名單全攻略
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