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MOS管被擊穿的原因及解決方案
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
2024-05-14
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仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實(shí)性取決于各個(gè)器件所采用模型的準(zhǔn)確性。無(wú)論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預(yù)測(cè)的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說(shuō)得好，“垃圾進(jìn)，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
2024-05-09
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DIP開(kāi)關(guān)的種類與選擇技巧
DIP（Dual Inline Package）開(kāi)關(guān)是一種常見(jiàn)的電子器件，通常用于數(shù)字電路中，以便配置或設(shè)定不同的功能，由于其易于使用和可靠性，DIP開(kāi)關(guān)在許多應(yīng)用中都得到了廣泛使用。本文將為您介紹DIP開(kāi)關(guān)的種類與特性，以及CUI Devices所推出DIP開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-05-09
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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優(yōu)化
額定功率75W以下的適配器可細(xì)分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡(jiǎn)化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級(jí)。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據(jù)與適配器內(nèi)的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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貿(mào)澤與ADI推出新電子書，匯集各路專家關(guān)于柔性制造的真知灼見(jiàn)
2024年4月28日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 合作推出一本新電子書，重點(diǎn)介紹工廠如何通過(guò)柔性制造方法提高吞吐量、產(chǎn)品質(zhì)量和成本效益。
2024-04-30
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瑞士微晶Micro Crystal與云漢芯城簽訂在線分銷合同
近日，瑞士斯沃琪集團(tuán)旗下瑞士微晶 Micro Crystal 與中國(guó)領(lǐng)先的在線電子元件分銷平臺(tái)iCKEY（云漢芯城）簽訂了全新的分銷合同。此次合作標(biāo)志著雙方在電子元件市場(chǎng)的戰(zhàn)略聯(lián)盟進(jìn)一步加深。
2024-04-30
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貿(mào)澤電子新品推薦：2024年第一季度推出超過(guò)10,000個(gè)新物料
2024年4月26日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來(lái)自1200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2024-04-29
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實(shí)現(xiàn)機(jī)器人操作系統(tǒng)——ADI Trinamic電機(jī)控制器ROS1驅(qū)動(dòng)程序簡(jiǎn)介
機(jī)器人操作系統(tǒng)(ROS)驅(qū)動(dòng)程序基于ADI產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)，因此可直接在ROS生態(tài)系統(tǒng)中使用這些產(chǎn)品。本文將概述如何在應(yīng)用、產(chǎn)品和系統(tǒng)（例如，自主導(dǎo)航、安全氣泡地圖和數(shù)據(jù)收集機(jī)器人）中使用和集成這些驅(qū)動(dòng)程序；以及這樣將如何有助于迅速評(píng)估新技術(shù)，并避免出現(xiàn)與第三方產(chǎn)品的互操作性問(wèn)題。
2024-04-24
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羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大SiC晶圓供應(yīng)合同
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）和為各種電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球著名半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱“ST”）宣布，羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH（以下簡(jiǎn)稱“SiCrystal”）將擴(kuò)大目前已持續(xù)多年的150mm SiC晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)合同。
2024-04-23
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羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議，擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)
羅姆 (東京證交所股票代碼: 6963) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴(kuò)大合作。根據(jù)新簽署的長(zhǎng)期供貨協(xié)議，SiCrystal公司將對(duì)意法半導(dǎo)體加大德國(guó)紐倫堡產(chǎn)的碳化硅襯底晶圓供應(yīng)力度，預(yù)計(jì)協(xié)議總價(jià)不低于2.3億美元。
2024-04-23
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意法半導(dǎo)體公布2024年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)今天公布了可持續(xù)發(fā)展年報(bào)， 展示了為全體利益相關(guān)者創(chuàng)造長(zhǎng)期價(jià)值和推動(dòng)公司業(yè)務(wù)可持續(xù)發(fā)展，2023年ST在環(huán)境保護(hù)、社會(huì)責(zé)任和企業(yè)治理方面取得的成績(jī)。
2024-04-22
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貿(mào)澤電子宣布與Edge Impulse展開(kāi)全球合作，助力機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的開(kāi)發(fā)
2024年4月18日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很榮幸地宣布與Edge Impulse建立新的全球合作關(guān)系。Edge Impulse是一個(gè)前沿開(kāi)發(fā)平臺(tái)，支持邊緣設(shè)備上的機(jī)器學(xué)習(xí) (ML)，為從低功耗MCU到高效率Linux CPU及GPU等各種產(chǎn)品和設(shè)備提供高級(jí)智能。
2024-04-22
- 詳解超級(jí)電容器與電池在儲(chǔ)能解決方案的對(duì)比 (上)
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