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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計
利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。
2008-10-13
MOS場效應管 AB類功率放大 推挽 傳輸線變壓器 寬頻帶
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超高頻無源RFID標簽的一些關鍵電路的設計
本文針對超高頻無源RFID 標簽芯片的設計，給出了一些關鍵電路的設計考慮。文章介紹了四種電源恢復電路結構，以及倍壓電路的解決方案，提出了串聯(lián)型和并聯(lián)型兩種穩(wěn)壓電路。文章提出了新的泄流源的設計，介紹了啟動信號產生電路的設計考慮。
2008-10-13
RFID 標簽 恢復 穩(wěn)壓 調制 解調
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W波段雪崩管窄脈沖調制器的研究
脈沖調制器是脈沖體制發(fā)射機中重要的組成部分。設計了一種體積小、脈沖驅動電流大的窄脈沖調制器，可用于驅動W波段主被動復合探測器中的雪崩二極管振蕩器，對脈沖體制的毫米波雷達等的發(fā)射機也有重要應用意義。實驗結果表明，該調制器是可行的。
2008-10-13
雪崩二極管 脈沖調制器 電路設計
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RFID 技術原理及其射頻天線設計
首先簡要介紹RFID 技術的基本工作原理,然后介紹了幾種基本的RFID 射頻天線及其工作原理,并針對普遍使用的偶極子天線在RFID 系統(tǒng)中方向性上的不足提出改進,最后,給出一個具有全向收發(fā)功能的RFID 天線設計.
2008-10-12
RFID 技術 天線 偶極子
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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現(xiàn)研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設計。E-pHEMT管的低噪聲系數和高OIP3使它在高動態(tài)范圍電路設計上具有很大的優(yōu)勢,并且該放大器的技術指標達到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應用前景。
2008-10-12
截點 E-pHEMT 平衡結構 LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號 特性阻抗
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RF功率MOSFET產品及其工藝開發(fā)
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結構特征，設計出RF 功率 LDMOSFET器件結構，通過工藝和器件模擬確定了關鍵參數，并設計了一套符合6寸芯片生產線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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法國Sofradir公司收購美國紅外探測器公司Electrophysics
法國Sofradir公司宣布收購美國Electrophysics公司。此項收購有望加速Sofradir和它的子公司ULIS在北美市場的發(fā)展。Sofradir希望30天內完成本次交易，交易價格尚未披露。
2008-10-08
收購 Sofradir Electrophysics 紅外
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