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氮化鎵(GaN)：5G時代提高射頻前端和無線充電效率的新元素
5G的到來將會給半導體材料帶來革命性的變化，無論是硅襯底還是碳化硅襯底，氮化鎵(GaN)都將獲得快速發(fā)展。從2G到5G，通信頻率在不斷地向高頻發(fā)展，因此基站及通信設備對射頻器件高頻性能的要求也在不斷提高。在此背景下，氮化鎵(GaN)必將以其獨特的高頻特性、超高的功率密度，以及優(yōu)越的集成度成為5...
2019-09-27
氮化鎵 5G 射頻前端 無線充電
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射頻電路如何選擇合適的電感器？
本文介紹高頻電感的非理想行為，并幫助您選擇合適的電容和電感用于匹配網(wǎng)絡，DC模塊，晶體和電源去耦等應用。
2019-09-26
射頻電路 電感器
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毫米波頻率下PCB線路板材料的特性表征
PCB線路板材料的介電常數(shù)（Dk）或相對介電常數(shù)并不是恒定的常數(shù) – 盡管從它的命名上像是一個常數(shù)。例如，材料的Dk會隨頻率的變化而變化。同樣，如果在同一塊材料上使用不同的Dk測試方法，也可能會測量得出不同的Dk值，即使這些測試方法都是準確無誤的。
2019-09-26
毫米波 PCB線路板
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如何巧妙解決電機制器傳導發(fā)射遇到干擾？
良好的接地設計不僅能保證電路內(nèi)部互不干擾，而且可以減少電路的干擾發(fā)射，接地技術是解決電磁兼容問題的常用技術，成本低效果明顯。然而，不恰當?shù)慕拥胤绞揭矔o電路引入干擾，如地環(huán)路干擾。
2019-09-24
電機制器 干擾
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數(shù)據(jù)中心和通信機房，需要這樣的功率器件……
GaN的理論優(yōu)勢正在主流設計中得以實現(xiàn)，尤其是在數(shù)據(jù)中心和通信機房電源兩個應用領域，與硅器件相比較，GaN的優(yōu)勢更明顯。采用GaN進行產(chǎn)品設計，廠家和用戶都將能享受到系統(tǒng)成本和運營方面的好處。
2019-09-16
數(shù)據(jù)中心 通信機房 功率器件
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新手不可不知：晶振工作原理 + 晶振ppm
你知道什么是晶振嗎?你知道晶振ppm代表什么意思嗎?你知道晶振的主要參數(shù)以及工作原理嗎?如果你對這些問題存在一定疑惑，不妨看看本文帶來的有關晶振這四方面的內(nèi)容，讓本文幫你一次性掃清這些個障礙吧。
2019-09-10
晶振 工作原理 晶振ppm
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德州儀器：DC DC 轉換器 EMI 的工程師指南（四）——輻射發(fā)射
這篇系列文章的第 4 部分針對電源轉換器（特別是工業(yè)和汽車領域使用的電源轉換器）在開關時產(chǎn)生的輻射排放闡述了一些觀點。
2019-09-10
DC DC 轉換器 EMI 輻射發(fā)射
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詳解FIR濾波器與IIR濾波器的具體區(qū)別
兩種濾波器都是數(shù)字濾波器。根據(jù)沖激響應的不同，將數(shù)字濾波器分為有限沖激響應（FIR）濾波器和無限沖激響應（IIR）濾波器。對于FIR濾波器，沖激響應在有限時間內(nèi)衰減為零，其輸出僅取決于當前和過去的輸入信號值。對于IIR濾波器，沖激響應理論上應會無限持續(xù)，其輸出不僅取決于當前和過去的輸入信...
2019-09-09
FIR濾波器 IIR濾波器 區(qū)別
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揭曉ADC的“前世今生”：RF采樣ADC給系統(tǒng)設計帶來獨特優(yōu)勢
數(shù)據(jù)轉換器充當現(xiàn)實模擬世界與數(shù)字世界之間的橋梁已有數(shù)十年的歷史。從占用多個機架空間并消耗大量電能（例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗為500W）的分立元件起步，數(shù)據(jù)轉換器現(xiàn)已蛻變?yōu)楦叨燃傻膯涡酒琁C。
2019-09-09
ADC RF采樣
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