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“技術(shù)+誠信”鑄就深圳市拓鋒半導(dǎo)體成功之路
林有親訪談。林老保持了老一代科學(xué)家樸素的作風(fēng)，雖然身家上千萬，可他的衣著卻并不侈華。他是一位富有智慧且有趣的老人家。在半導(dǎo)體器件物理和集成電路制造，電路設(shè)計(jì)工程三十多年來，有較深的理論和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，退休后，在深圳創(chuàng)辦拓鋒半導(dǎo)體公司，具有半導(dǎo)體技術(shù)和信息優(yōu)勢。
2009-12-30
林有親 半導(dǎo)體 技術(shù) 集成電路
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韓國研制成功高性能太陽能電池
航過電子通信研究院科學(xué)家研發(fā)的這種薄板電池為燃料感應(yīng)太陽能電池，外形就像一張紙，有A4紙一半那么大。這種電池每平方厘米面積可產(chǎn)生4.8毫瓦電力，這是迄今發(fā)電能力最高的燃料感應(yīng)太陽能電池。
2009-12-30
韓國 研制 高性能 太陽能電池
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Qspeed推出具有低QRR的硅二極管整流器H系列
H系列的硅二極管整流器主要面向電源制造商和高性能系統(tǒng)。600V PFC整流器在25°C具有5.9~9.8 nC的反向恢復(fù)電荷（QRR）,在125°C為14.9~30.5 nC，從而降低了EMI和有助于消除或縮小其它元件。
2009-12-30
Qspeed QRR 硅二極管 整流器
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松下開發(fā)出新款鋰離子電池 續(xù)航力提高30%
松下(Panasonic)近日宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出更強(qiáng)大的鋰離子電池，續(xù)航力較目前的電池版本提高20%至30%，且用途相當(dāng)廣泛，自筆記型計(jì)算機(jī)至電動(dòng)車皆適用。
2009-12-30
松下 鋰離子 電池
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SDS1000CF:鼎陽科技推出4通道300MHz帶寬數(shù)字示波器
電子市場的發(fā)展前景是毋庸置疑的，與之相輔相生的電子測量儀器、儀表設(shè)備也應(yīng)用廣泛。就數(shù)字示波器而言，最近幾年不斷有電子儀器設(shè)備制造商進(jìn)入這個(gè)領(lǐng)域，妄圖在這個(gè)靠實(shí)力與技術(shù)才能有話語權(quán)的戰(zhàn)場分一杯羹。然而，只有專業(yè)的才能在這個(gè)沒有硝煙的戰(zhàn)場長久的存活下來，并爆發(fā)出鮮活的生命力。
2009-12-30
鼎陽科技 SDS1000CF 4通道 示波器
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電動(dòng)機(jī)的軟起動(dòng)
傳統(tǒng)的交流異步電動(dòng)機(jī)有全壓和降壓兩種起動(dòng)方法．前者最簡便，但起動(dòng)電流大；而在大多數(shù)應(yīng)用中多采用后者。這兩種軟起動(dòng)具有控制線路簡單，起動(dòng)轉(zhuǎn)矩不可調(diào)，二次沖擊電流，并對(duì)負(fù)載有沖擊轉(zhuǎn)矩。隨著微處理器和單片機(jī)的飛速發(fā)展，數(shù)字控制在交流調(diào)速系統(tǒng)中也取得了快速發(fā)展，使得電動(dòng)機(jī)軟起動(dòng)也有長...
2009-12-30
交流異步電動(dòng)機(jī) 軟起動(dòng) 重載起動(dòng)
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Vishay推出業(yè)界首款采用 PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器
Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電流高達(dá)30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強(qiáng)度高達(dá)1500V。
2009-12-29
Vishay PowerBridge 封裝 整流器
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高能超薄 科學(xué)性發(fā)明新型太陽能電池板
如果這種太陽能電池若能得到廣泛應(yīng)用話，可能會(huì)徹底改變我們的生活。用實(shí)驗(yàn)室科學(xué)家的話講，以后人們穿的衣服可能就是由這種材料制作，也就是說人們會(huì)穿在身上的都是太陽能電池，而今后也就就不用擔(dān)心手機(jī)、電腦或其他移動(dòng)設(shè)備突然沒電的情況出現(xiàn)了。
2009-12-29
高能 超薄 新型 太陽能電池板
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大功率LED的電流分配問題
因?yàn)槔潢帢O熒光燈(CCFL)成本非常低，通常大屏幕液晶顯示器(LCD)使用CCFL作為背光源產(chǎn)生均勻的白光。不過將發(fā)光二極管(LED)用作背光燈正在引起主要制造商們的注意.本文主要講解大功率LED的電流分配問題。
2009-12-28
LED 電流分配 VTM CCFL
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- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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