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電源管理

如何讓智能手機(jī)電池同時(shí)滿足大容量、體積小、重量輕？

以智能手機(jī)、平板電腦為代表的便攜式電子設(shè)備正以顯著的速度發(fā)展著。便攜式電子設(shè)備的多功能化、高性能化及其便利性使我們使用的機(jī)會(huì)增加，也增加了使用時(shí)間。同時(shí)，高性能化也增加了電力的消耗。但是如果電池被大容量化，就會(huì)占據(jù)很大的體積和重量。因此，便攜式電子設(shè)備中使用的電池要求具備大容...

2012-12-06

智能手機(jī) 電池電氣雙層電容

肖特基二極管的應(yīng)用分析

本文主要講解的是肖特基二極管在電源管理方面的應(yīng)用分析。一般電路都會(huì)用到非同步直流/直流轉(zhuǎn)換器，而它要用到一個(gè)續(xù)流的二極管，通常選用的是正向電壓的肖特基管。本文探討如何正確的選擇二極管在電源管理應(yīng)用中的參數(shù)，和如何用這些參數(shù)快速選型。

2012-12-06

電源管理肖特基二極管

村田開發(fā)出直流無(wú)線供電技術(shù)，高達(dá)70％以上電力傳輸效率

村田制作所開發(fā)出了可大幅提高整個(gè)系統(tǒng)電力傳輸效率（以下稱電力效率）的無(wú)線供電技術(shù)。由直流電源經(jīng)無(wú)線區(qū)間到達(dá)負(fù)載的電力效率比原來(lái)的技術(shù)提高了20～30個(gè)百分點(diǎn)。例如，從直流電源將功率約為75W的直流電供應(yīng)到幾十厘米遠(yuǎn)的負(fù)載時(shí)，最高能以70％以上的電力效率傳輸。

2012-12-06

村田無(wú)線供電傳輸效率

峰值效率高達(dá)95%且是同類產(chǎn)品最高的開關(guān)穩(wěn)壓器

ADI推出同類產(chǎn)品中效率最高的開關(guān)穩(wěn)壓器，采用緊湊型4 mm x 4 mm 24引腳LFCSP封裝，可在-40攝氏度至+125攝氏度結(jié)溫范圍內(nèi)工作，效率配置針對(duì)低占空比操作進(jìn)行了優(yōu)化，峰值效率高達(dá)95%。

2012-12-06

開關(guān)穩(wěn)壓器 ADI 效率

可取代效能較低器件同時(shí)節(jié)省數(shù)量的功率MOSFET系列

IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列，適合要求超低導(dǎo)通電阻的工業(yè)應(yīng)用。新器件除了具備超低的導(dǎo)通電阻，其高電流額定值更有助于提升系統(tǒng)的可靠性。若用其取代效能較低的器件，更可節(jié)省器件數(shù)量。

2012-12-05

mosfet IR 導(dǎo)通電阻

導(dǎo)通電阻比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手低20%的40V N溝道MOSFET

飛兆半導(dǎo)體的40V PowerTrench MOSFET,在動(dòng)力轉(zhuǎn)向應(yīng)用中的功率控制更強(qiáng)、效率更高，該器件具有最低的導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷，可降低功耗，因此非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動(dòng)系管理等應(yīng)用。

2012-12-05

mosfet 飛兆導(dǎo)通電阻

如何使SIMPLE SWITCHE 電源模塊性能達(dá)到最優(yōu)化

雖然新一代的電源模塊，以及通常與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器有關(guān)的印刷電路板(PCB)布局提供了一種替代方案，但是如何將電感器和單片同步穩(wěn)壓器集成在一個(gè)電源組中的電源模塊上，能有最大的最好的效果，仍然有很多設(shè)計(jì)工作。這里介紹的是如何合理的布局PCB害優(yōu)化電源模塊性能的方法。

2012-12-04

電源模塊最優(yōu)化 PCB

如何利用TOPSwitch-GX設(shè)計(jì)單端正激式開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路

開關(guān)電源顯然已成為穩(wěn)壓電源的主流產(chǎn)品。你想自己設(shè)計(jì)一個(gè)開關(guān)電源嗎？以下告訴大家另一個(gè)如何設(shè)計(jì)單片機(jī)開關(guān)電源的方法。利用TOPS244Y的一種脈寬調(diào)制高頻開關(guān)電源，最終的目的是輸出30W、12V電壓。

2012-12-04

正激變換器 TOPSwith-GX 脈寬調(diào)制反饋

0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級(jí)功率MOSFET

Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封裝，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?，可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。

2012-12-03

0.8mm 芯片 MOSFET

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0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級(jí)功率MOSFET

友情鏈接(QQ：317243736)

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村田開發(fā)出直流無(wú)線供電技術(shù)，高達(dá)70％以上電力傳輸效率