-
中芯MEMS出師不利 恩智浦訂單緊急喊停
10月底宣布跨足微機(jī)電(MEMS)晶圓代工的中芯國(guó)際出師不利,MEMS設(shè)備商指出,由于大客戶(hù)恩智浦(NXP)原計(jì)劃在中芯投產(chǎn)MEMS麥克風(fēng),卻因當(dāng)前景氣不明而緊急喊煞車(chē),這對(duì)于整體MEMS晶圓代工市場(chǎng)來(lái)說(shuō),無(wú)疑再度投下一個(gè)充滿(mǎn)變量的震撼彈。不過(guò),中芯對(duì)此并未予以回應(yīng)。
2008-12-02
晶圓代工 麥克風(fēng) MEMS 微機(jī)電
-
科博萊在我國(guó)建亞洲首座汽車(chē)電子工廠
意大利科博萊汽車(chē)技術(shù)有限公司準(zhǔn)備在華興建其在亞洲首座生產(chǎn)廠,將生產(chǎn)汽車(chē)電子安全系統(tǒng),包括防盜與泊車(chē)輔助系統(tǒng)。新廠及一座研發(fā)中心在2010年投產(chǎn)后,該廠的防盜與泊車(chē)輔助系統(tǒng)總產(chǎn)能將達(dá)到300萬(wàn)個(gè)。
2008-12-01
汽車(chē)電子 安全系統(tǒng) 防盜 泊車(chē)輔助系統(tǒng)
-
晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎(jiǎng)
2008年11月18~20日,英飛凌(Infineon:原西門(mén)子半導(dǎo)體集團(tuán)公開(kāi)上市公司)在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區(qū)代理商大會(huì)。參會(huì)代表來(lái)自英飛凌德國(guó)總部,亞太地區(qū)總部(新加坡),以及亞太地區(qū)的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導(dǎo)體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
-
FDMA1027/2P853:飛兆半導(dǎo)體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027,滿(mǎn)足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項(xiàng)可滿(mǎn)足下一代便攜產(chǎn)品如手機(jī)的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
-
歐盟研發(fā)出光效為39.7%的太陽(yáng)能電池
2008年11月24日消息,來(lái)自歐盟委員會(huì)資助的項(xiàng)目Fullspectrum的科學(xué)家研發(fā)出了光伏轉(zhuǎn)換效率達(dá)39.7%的太陽(yáng)能電池。據(jù)說(shuō),這是歐盟目前所能達(dá)到的最高光效。
2008-11-26
光伏 晶硅光伏電池 太陽(yáng)能電池 光能
-
DS4560:Maxim具有自我保護(hù)及重啟功能的熱插拔開(kāi)關(guān)
Maxim推出具有自我保護(hù)及重啟功能的完全集成熱插拔開(kāi)關(guān)DS4560。器件極大地減少了12V供電背板系統(tǒng)中保證安全插入和拔出操作所需的元件數(shù)量。為減小方案尺寸、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),DS4560集成了25mΩ n溝道功率MOSFET,從而省去了外部MOSFET。DS4560專(zhuān)為12V系統(tǒng)而設(shè)計(jì),是企業(yè)級(jí)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、服務(wù)器/路由器、PCI E...
2008-11-25
DS4560 熱插拔開(kāi)關(guān) PCIe InfiniBand MOSFET
-
高性能IGBT提高太陽(yáng)能逆變器效率
飛兆半導(dǎo)體的截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器以及微波爐和感應(yīng)加熱類(lèi)的應(yīng)用,可以幫助設(shè)計(jì)師減少傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)極高的效率。
2008-11-25
太陽(yáng)能 逆變器 IGBT
-
特許半導(dǎo)體CEO:目前談合并太“冒失”
日前到訪我國(guó)臺(tái)灣省的新加坡特許半導(dǎo)體(Chartered Semiconductor Manufacturing)首席執(zhí)行官Song-Hwee Chia否認(rèn)了此行是為了接洽與其他半導(dǎo)體廠商進(jìn)行合并事宜。Song-Hwee Chia表示對(duì)所謂的“合并大計(jì)”并不知情,不過(guò)他也沒(méi)有完全排除未來(lái)的形勢(shì)有往這個(gè)方向發(fā)展的可能。
2008-11-25
Song-Hwee Chia 半導(dǎo)體 合并
-
IC S-5711A系列:日本精工最新磁性開(kāi)關(guān)
日本精工電子有限公司(SII)日前推出磁性開(kāi)關(guān)ICS-5711A系列。S-5711A系列是彩用CMOS技術(shù)開(kāi)發(fā)的高靈敏度、低消耗電流的霍爾IC(磁性開(kāi)關(guān)IC)??蓹z測(cè)出磁束密度的強(qiáng)度,使輸出電壓發(fā)生變化。通過(guò)與磁石的組合,可進(jìn)行各種設(shè)備的開(kāi)/關(guān)檢測(cè)。
2008-11-25
S-5711A系列 磁性開(kāi)關(guān)
- 車(chē)輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢(shì)篇
- 元器件江湖群英會(huì)!西部電博會(huì)暗藏國(guó)產(chǎn)替代新戰(zhàn)局
- 艾邁斯歐司朗OSP協(xié)議,用光解鎖座艙照明交互新維度
- 薄膜電容選型指南:解鎖高頻與長(zhǎng)壽命的核心優(yōu)勢(shì)
- ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn):Siana案例驗(yàn)證交鑰匙方案提速無(wú)線開(kāi)發(fā)
- 如何根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景更精準(zhǔn)地選擇薄膜電容?
- 如何判斷薄膜電容的質(zhì)量好壞?從參數(shù)到實(shí)測(cè)的全面指南
- 薄膜電容在新能源領(lǐng)域的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì):技術(shù)革新與市場(chǎng)機(jī)遇
- 薄膜電容使用指南:從安裝到維護(hù)的七大關(guān)鍵注意事項(xiàng)
- 如何判斷薄膜電容的質(zhì)量好壞?從參數(shù)到實(shí)測(cè)的全面指南
- 如何根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景更精準(zhǔn)地選擇薄膜電容?
- ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn):Siana案例驗(yàn)證交鑰匙方案提速無(wú)線開(kāi)發(fā)
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall