【導(dǎo)讀】IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
在上篇《IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——上》中，我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態(tài)參數(shù)。今天我們介紹動態(tài)特性、開關(guān)特性及其它參數(shù)。
4.動態(tài)特性
● 輸入電容，輸出電容和反向傳輸電容Cies，Coes和Cres
輸入電容Cies，是Cres同CGE之和，是設(shè)計驅(qū)動的一個關(guān)鍵參數(shù)。它在每個開關(guān)周期進行充電和放電，它定義了柵極驅(qū)動損耗。另一方面，CGE減少了在半橋拓撲中由于電流流過電容Cres而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通的風(fēng)險。
輸出電容Coes，是Cres同CCE之和。它對EMI有很大的影響，它影響集電極-發(fā)射極的dV/dt。
反向傳輸電容Cres，也稱為米勒電容，它決定了IGBT開關(guān)時電流和電壓之間的交叉時間，影響著開關(guān)損耗。Cres/CGE對集電極-發(fā)射極的dV/dt和VGE之間的耦合效應(yīng)有很大影響，降低該比率可實現(xiàn)快速開關(guān)能力，并避免器件不必要的寄生導(dǎo)通。
● 柵極電荷QG
柵極電荷描述了驅(qū)動?xùn)艠O電壓VGE到一定值（通常是15V）所需的電荷量。它是驅(qū)動損耗的主要因素，并影響到整個驅(qū)動電路的設(shè)計。驅(qū)動損耗可以通過以下公式得出。
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上圖顯示了典型的柵極電荷曲線，從曲線中可以得到驅(qū)動VGE到某一數(shù)值所需的QG值。QG是負載電流和集電極-發(fā)射極電壓的一個函數(shù)。通常情況下，它是針對IC的額定值和不同的VCE值繪制的。
● 內(nèi)部發(fā)射極電感LE
LE是總換流回路電感的一部分，它通常同關(guān)斷電壓過沖和開關(guān)損耗有關(guān)。因此，該值需要盡量的小，特別是對于在高開關(guān)頻率下運行的IGBT。
注意：內(nèi)部發(fā)射極電感上的電壓降無法從外部測量，但在考慮最大關(guān)斷電壓過沖時，需要考慮這部分電壓。
5.開關(guān)特性
開關(guān)性能在很大程度上取決于幾個因素，例如：集電極電流、集電極-發(fā)射極電壓、溫度、外部柵極電阻以及電路板設(shè)計和寄生參數(shù)，特別是電感和電容。因此，在不同制造商的零件之間根據(jù)數(shù)據(jù)手冊的數(shù)值進行直接比較可能不是一個正確的比較。因此，強烈建議通過應(yīng)用測試和適當(dāng)?shù)谋碚鱽碓u估這些器件。
下述這些參數(shù)通常根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)的定義進行測量和評估，如JEDEC或IEC60747-（2007）。
t(d)on：從VGE的10%到IC的10%
tr：從IC的10%到IC的90%
t(d)off：從VGE的90%到IC的90%
tf：從IC的90%到IC的10%
其中VGE是柵極電壓，IC是集電極電流。
開關(guān)損耗Eon和Eoff是IGBT開關(guān)期間VCE和IC乘積的積分，IGBT的拖尾效應(yīng)也需考慮在內(nèi)。
遵循IEC標(biāo)準(zhǔn)，Eon和Eoff定義如下：
Eon：tsw從10%的VGE開始，到2%的VCE結(jié)束。
Eoff：tsw從90%的VGE開始，到2%的IC結(jié)束。
Ets：總開關(guān)損耗，是Eon和Eoff之和。
通常情況下，用作測量Eon和Eoff的測試裝置如下圖示，上管IGBT同下管被測IGBT是相同的，即下管被測IGBT關(guān)斷后，是由同樣規(guī)格的上管IGBT的反并二極管做續(xù)流。
對于用于諧振應(yīng)用的IGBT（電磁爐、變頻微波爐、工業(yè)焊機、電池充電），在數(shù)據(jù)手冊中只包含關(guān)斷參數(shù)的值。之所以這樣做，是因為這些器件在開通時通常以軟開關(guān)方式工作，因此開通參數(shù)的值沒有用。
下圖是IHW40N120R5的數(shù)據(jù)手冊。
對于共封裝帶續(xù)流二極管和逆導(dǎo)型IGBT（IKx和IHx），反并聯(lián)續(xù)流二極管的電氣特性也在數(shù)據(jù)手冊中定義。
○ 反向恢復(fù)時間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr
○ 反向恢復(fù)電流峰值Irrm
○ 在規(guī)定的時間內(nèi)，反向恢復(fù)電流的峰值下降率dIrr/dt
○ 反向恢復(fù)損耗Erec
由于反并聯(lián)二極管在應(yīng)用中經(jīng)常充當(dāng)續(xù)流二極管，它的恢復(fù)特性對IGBT的開通非常重要，特別是在高開關(guān)頻率應(yīng)用中，其性能受到二極管正向電流IF、正向電流變化率dIF/dt以及工作溫度的強烈影響。
6.其他參數(shù)
● 輸出特性
輸出特性表示電壓VCE是IC的函數(shù)，它通常在幾個不同柵極電壓VGE下給出。這些曲線取決于結(jié)溫，因此在數(shù)據(jù)表中提供了兩張圖，一張是在室溫25°C時；另一個是在高溫150°C或175°C時。
如果柵極電壓VGE設(shè)置在10V以下，負載電流會在某一數(shù)值上趨于飽和。為了避免IGBT的飽和，也就是所謂的線性工作區(qū)，建議VGE電壓至少為15V。
快速開關(guān)器件通常具有較高的跨導(dǎo)。因此，較低的驅(qū)動電壓如+12V也可以考慮，主要是為了實現(xiàn)以下好處。
1.增加短路耐受時間以提高可靠性
2.減少IGBT關(guān)斷時的電壓過沖現(xiàn)象
3.減少在高頻率下運行的柵極驅(qū)動器的驅(qū)動損耗
也應(yīng)考慮較低柵極電壓的缺點：較高的導(dǎo)通損耗和較高的開關(guān)損耗。
● 短路耐受時間tSC
tSC定義了IGBT在短路條件下可以承受的，不發(fā)生故障的時間。它是在結(jié)溫150°C或175°C，柵極電壓VGE=+15V和一定的母線電壓VCC的情況下定義的。該參數(shù)的母線電壓通常對于600V/650V的器件是400V，對于1200V的器件是600V。
典型的Ⅰ類短路（指器件在開通前就已經(jīng)短路）波形如下圖示：
集電極電流在母線電壓和環(huán)路電感的影響下迅速上升。之后，它保持在特定柵極電壓下的飽和電流值附近。IGBT上的電壓降與母線電壓相同。因此，在芯片中產(chǎn)生了巨大的功率損耗，導(dǎo)致結(jié)溫快速上升。盡管由于較高的結(jié)溫，電流略有下降，但功率損耗是非常高的，并會損壞芯片。為了避免IGBT的損壞，在短路過程中，有必要對IGBT進行相應(yīng)的保護。
一般來說，短路耐受時間因技術(shù)而異，它表明了IGBT的耐受程度。請注意，它通常是技術(shù)權(quán)衡優(yōu)化的結(jié)果。更高的短路耐受時間是通過限制載流子密度以及IGBT的跨導(dǎo)來獲得的。但這將降低開關(guān)和導(dǎo)通性能。
● 短路電流ISC
短路電流是為有短路能力的IGBT定義的。
在數(shù)據(jù)手冊中，下圖顯示了ISC和tSC與柵極電VGE的關(guān)系。對于較高的VGE，ISC會增加，而tSC反而會減少，這與輸出特性有關(guān)。
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