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告別效率損耗源,這款器件隨時為大電流LED供電

發(fā)布時間:2019-09-04 責任編輯:wenwei

【導讀】高功率LED在現(xiàn)代照明系統(tǒng)中的應用數(shù)量不斷激增,涵蓋汽車前照燈、工業(yè)/商業(yè)標識、建筑照明以及各種消費電子等應用。行業(yè)之所以轉向LED技術,是因為固態(tài)照明與傳統(tǒng)光源相比具有明顯的優(yōu)勢:電能轉換為光輸出不僅效率高,而且使用壽命長。
 
隨著越來越多的應用采用LED照明,為了提高光輸出,對LED更高電流的需求也日益增長。驅動大電流LED串的最大挑戰(zhàn)之一是在功率轉換器級保持高效率,從而提供穩(wěn)定調節(jié)的LED電流。功率轉換器效率不高體現(xiàn)為電流調節(jié)器電路的開關元件引起的發(fā)熱現(xiàn)象。
 
LT3762 是一款同步升壓型LED控制器,旨在減少高功率升壓型LED驅動器系統(tǒng)中常見的效率損耗源。該器件的同步運行可最大限度地減少異步DC-DC轉換器中箝位二極管的正向壓降通常會產生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅動器更高的輸出電流,特別是在低輸入電壓時。
 
為了改善低輸入電壓時的工作性能,通過配置一個板載DC-DC穩(wěn)壓器,即使輸入電壓降至7.5 V以下,也能為柵極驅動電路提供7.5 V的電壓。在低輸入電壓條件下提供強大的柵極驅動電壓源,使得MOSFET在輸入電壓降低時產生較少的熱量,從而使工作電壓輸入范圍最低達3 V。
 
告別效率損耗源,這款器件隨時為大電流LED供電
圖1. LT3762演示電路(DC2342A)可在寬輸入電壓范圍內以2 A(最高32 V)驅動LED。通過額外的MOSFET和電容可輕松修改該演示電路,以提高輸出功率。
 
該款升壓型LED控制器可配置為在100 kHz至1 MHz固定開關頻率之間工作,提供−30% × fSW展頻調制選項,以降低與開關相關的EMI能量峰值。LT3762可采用升壓、降壓或升壓/降壓拓撲驅動LED。高端PMOS斷開開關有助于PWM調光,并在LED處于開路/短路狀態(tài)時保護器件免受潛在損害。
LT3762采用內部PWM發(fā)生器,利用單個電容和一個直流電壓來設置頻率和脈沖寬度,以實現(xiàn)高達250:1的PWM調光比,也可使用外部PWM信號實現(xiàn)高達3000:1的調光比。
 
圖2中的原理圖顯示使用LT3762的演示電路應用(DC2342A),其中LT3762配置為在4 V至28 V的輸入電壓范圍內以2 A(最高32 V)驅動LED。LT3762同步升壓型LED控制器采用4 mm × 5 mm QFN封裝和28引腳TSSOP封裝。
 
告別效率損耗源,這款器件隨時為大電流LED供電
圖2. 32 V、2 A LT3762升壓型LED驅動器。
 
同步開關
 
在異步DC-DC轉換器拓撲中,肖特基箝位二極管用作無源開關,以簡化轉換器對單個MOSFET進行脈沖寬度調制的控制方案。雖然這確實簡化了控制,但它限制了輸出電流的大小。肖特基二極管與PN結器件一樣,在任何電流通過器件之前都會具有正向壓降。由于肖特基二極管的功耗是其正向壓降與電流的乘積,因此輸出電流水平過高將產生數(shù)瓦的導通功耗,從而使肖特基二極管升溫,最終導致轉換器效率降低。
 
LT3762同步開關轉換器與異步轉換器不同,不會有輸出電流受限的情況,這是因為同步轉換器采用第二MOSFET代替肖特基二極管。MOSFET與肖特基二極管不同,它沒有正向壓降。相反,當MOSFET處于完全增強狀態(tài)時,其漏極到源極間的電阻非常小。在大電流下,MOSFET產生的導通損耗遠低于肖特基二極管,因為功耗與漏源電阻的平方和通過器件的電流的乘積成正比。即使在最低7 V的全功率輸入電壓下,MOSFET也只會面臨大約30°C的溫升(如圖3所示)。
 
告別效率損耗源,這款器件隨時為大電流LED供電
圖3. 在相同測試條件下,選用類似的元件,同步LT3762(左圖)驅動2 A、32 V的LED串,其溫升遠低于異步LT3755-2電路(右圖)。這種熱性能的提高歸功于以同步MOSFET代替肖特基箝位二極管,從而可消除二極管正向壓降引起的損耗。
 
低輸入電壓工作
 
高功率升壓型LED控制器的另一個挑戰(zhàn)發(fā)生在低輸入電壓工作期間。大多數(shù)升壓型DC-DC穩(wěn)壓器IC使用由器件輸入端供電的內部LDO穩(wěn)壓器,為IC中的模擬和數(shù)字控制電路提供較低的電壓電源。在從內部LDO穩(wěn)壓器獲取電源的電路中,柵極驅動器消耗的功率最大,并且它的性能受LDO穩(wěn)壓器輸出波動的影響。當輸入電壓降至LDO的輸出電壓以下時,LDO輸出開始驟降,這將限制柵極驅動器正常增強MOSFET的能力。當MOSFET處于未完全增強狀態(tài)時,它們工作于較高電阻狀態(tài),因此當電流通過器件時會以熱量形式耗散功率。
 
升壓轉換器拓撲中的低輸入電壓工作特性將導致輸入電流較高,當該電流必須流過電阻更大的MOSFET器件時,會加劇導通損耗。根據(jù)穩(wěn)壓器IC的柵極驅動電壓,這會嚴重限制器件可實現(xiàn)且不發(fā)生過熱的低輸入電壓范圍。
 
LT3762采用集成式降壓-升壓型DC-DC穩(wěn)壓器,而非LDO穩(wěn)壓器,即使輸入電壓很低時,也可為內部電路提供7.5 V的電壓。該降壓-升壓型穩(wěn)壓器僅占用LT3762 IC的三個引腳,只需兩個額外元件。與具有4.5 V和6 V最小輸入電壓的內部LDO控制器器件相比,LT3762能夠將輸入電壓工作范圍下限擴展至3 V。降壓-升壓型轉換器的7.5 V輸出可為柵極驅動器提供電源,并允許使用6 V/7 V柵極驅動MOSFET。MOSFET的柵極驅動電壓越高,往往漏源電阻就越低,并且與柵極驅動電壓較低的類似器件相比,(除開關損耗以外)工作效率更高。
 
告別效率損耗源,這款器件隨時為大電流LED供電
圖4. 32 V、2 A LT3762 LED驅動器可在寬輸入范圍內保持高效率。低VIN折 返有助于避免過大的開關/電感電流。異步開關以24 V輸入電壓啟動。
 
靈活的拓撲
 
與ADI公司大多數(shù)其他升壓型LED驅動器一樣,LT3762驅動LED的模式可重新配置,既可采用升壓配置,也可采用降壓、升壓-降壓和降壓-升壓模式。在這些升壓型轉換器的拓撲變體中,利用ADI公司獲得專利的升壓-降壓模式配置可作為升壓/降壓型轉換器工作,同時還具有低EMI工作的優(yōu)勢。該拓撲利用兩個電感,一個面向輸入,另一個則面向輸出,幫助濾除開關所產生的噪聲。這兩個電感有助于抑制耦合到輸入電源、可能連接的其他器件以及LED負載的EMI。
 
還可在升壓-降壓模式的拓撲中添加額外電路,以提供LED–節(jié)點到GND的短路保護。圖5中的原理圖顯示LT3762采用升壓-降壓模式配置,并增加了該保護電路。當LED–短路到GND時,會強制關閉M4,以阻斷經過電感到輸入的導通路徑并防止過度消耗電流。強制關閉M4時,D3將EN/UVLO引腳拉至低電平,從而在消除短路前阻止轉換器開關。將這一額外保護電路與LT3762的內置開路/短路檢測結合使用,就能獲得一個能夠應對惡劣環(huán)境中各種故障狀況的強健解決方案。
 
告別效率損耗源,這款器件隨時為大電流LED供電
圖5. LT3762采用25 V、1.5 A升壓-降壓配置,帶有額外的LED–至GND的短路保護。
 
結論
 
異步升壓型轉換器正常工作時,通常很難避免在提供高輸出電流時,不會產生大量的功率損失并造成箝位二極管發(fā)熱。除了肖特基二極管產生的損耗之外,這些轉換器在輸入電壓降低時難以保持最大功率輸出能力,這限制了輸入范圍內的功率輸出。異步DC-DC轉換器根本無法適用于更高功率水平,因此必須采用同步開關方案以滿足應用規(guī)格要求。LT3762升壓型LED控制器通過其同步開關解決了提供大電流輸出的問題,由于采用了板載DC-DC轉換器,它能夠在更低的輸入電壓下工作,并且可靈活采用各種電路拓撲。
 
 
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