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直擊boost升壓電路負(fù)載能力及峰值【原創(chuàng)】

發(fā)布時間:2015-06-05 責(zé)任編輯:echolady

【導(dǎo)讀】工程師面對boost電路設(shè)計,總會多方面考慮boost電路的電壓負(fù)載能力是否達(dá)標(biāo),如何提升負(fù)載能力,哪種驅(qū)動方式比較好,如何有效避免電壓出現(xiàn)峰值等等問題。本文就由專家解析關(guān)于boost電路的種種問題。

如何增強(qiáng)boost升壓電路負(fù)載能力?

實際案例


在本案例中,Boost電路設(shè)計為最基礎(chǔ)的結(jié)構(gòu)類型,即由一個儲能電感、一個肖特基二極管、一個大電容、一個MOS開關(guān)管組成,使用SG3525做PWM驅(qū)動器,直接一路驅(qū)動+閉環(huán)電壓反饋。開通后由12V輸入升壓到55V、1.5A,一帶載電壓就降到22V左右,升不上去。電壓升到24V后能夠帶一個40W的負(fù)載,但是電壓相應(yīng)的會下降2V左右。電路空載時輸出電壓良好,為55V,電壓調(diào)整率穩(wěn)定,輸出電壓比較穩(wěn)定的,但帶不了負(fù)載。

案例分析

依據(jù)本案例的描述,那么這個boost電路所需要的是一個占空比能超過50%的控制芯片。如果是采用的一路輸出帶的MOS管,最大占空比50%左右。即使理想情況下,50%的最大占空比帶載后最大輸出電壓也不過24V,所以輸出22V,再正常不過了。

除此之外,另一個可行的辦法就是需要用兩只MOSFET分別用3525的兩個輸出端驅(qū)動,兩只MOSFET漏極并聯(lián)。采用這個辦法可以得到正常運(yùn)轉(zhuǎn)所需要的電壓,不過3525沒有限制最大占空比,對于Boost電路有可能出現(xiàn)占空比始終為為最大的錯誤狀態(tài)。這時候兩只MOSFET輪流導(dǎo)通,沒有關(guān)斷的時刻也無法輸出能量,因此需要手動開啟軟啟動功能,在軟啟動的狀態(tài)下,這個電路是可以正常工作的。

小結(jié):當(dāng)所設(shè)計的boost電路出現(xiàn)負(fù)載能力削弱或無負(fù)載的情況時,可以從占空比和芯片兩個方向入手進(jìn)行排查。除此之外,工程師還可以通過查詢手冊的方式進(jìn)行功能篩選排查,不同的機(jī)型擁有不同的特性,有事通過功能設(shè)置就可以解決負(fù)載功能弱的問題,無需再進(jìn)行電路系統(tǒng)設(shè)計改動。

怎樣有效避免Boost電路輸出電壓出現(xiàn)峰值

使用模擬器進(jìn)行計算模擬,可以幫助工程師在設(shè)計階段有效避免成本、機(jī)械損失。在進(jìn)行仿真測試時,boost電路輸出電壓出現(xiàn)峰值問題是比較常見的,通常與模型的自帶參數(shù)、電路設(shè)計缺陷、電壓輸出不穩(wěn)定等問題有關(guān)。下面我們將通過一個案例,為大家解讀怎樣才能夠有效的在模擬測試階段避免boost電路輸出電壓出現(xiàn)峰值問題。

案例情況

使用仿真模擬器進(jìn)行boost線路模擬,在操作中的具體參數(shù)為:輸入電壓24-48V,輸出電壓380V,P_out為500W。

峰值情況如下圖所示:

直擊boost升壓電路負(fù)載能力及峰值
圖1:在仿真模擬器上所出現(xiàn)的峰值
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專家分析

依據(jù)波形和具體的參數(shù)進(jìn)行分析后,可以判定造成峰值的主要原因是由于模型自帶的寄生參數(shù)導(dǎo)致的。

我們可以從數(shù)學(xué)角度定性分析一下。仿真的是固定Duty的Voltage Mode control Boost輸出對階躍輸入的響應(yīng),從輸入到輸出的傳函為:
直擊boost升壓電路負(fù)載能力及峰值【原創(chuàng)】

其中,Q值計算的具體過程如下:

直擊boost升壓電路負(fù)載能力及峰值【原創(chuàng)】

我們知道,小信號分析的前提條件是在電路處于穩(wěn)態(tài)DC工作點,假設(shè)在變量穩(wěn)態(tài)時加上幅值非常小的AC擾動信號。于是該問題就變成了典型的二階系統(tǒng)階躍響應(yīng)分析,影響到輸出電壓的那個峰值大小及形狀的主要因素就是這個Q值。

而二階系統(tǒng)的階躍響應(yīng)可估算為:

直擊boost升壓電路負(fù)載能力及峰值【原創(chuàng)】

所謂的二階系統(tǒng)的階躍響應(yīng)也就是模型自帶的寄生參數(shù),包括電感、電容Esr,二極管、MOS導(dǎo)通電阻等。想要避免峰值的產(chǎn)生,可以加閉環(huán)控制,也可以選擇加軟啟動,相位裕度弄到70度以上就不會有過沖了,能夠有效的防止峰值產(chǎn)生。

小結(jié):通過對該案例的分析我們可以看出,模型自帶參數(shù)往往會在仿真測試階段造成峰值。而在實際設(shè)計的過程中想要避免峰值出現(xiàn),工程師可以在電路系統(tǒng)設(shè)計時自主設(shè)定相應(yīng)的參數(shù)值,并圍繞電感、電容、MOS電阻等方面進(jìn)行多方面的排查篩選,避免峰值產(chǎn)生。

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