說是有關(guān)MOS管的相關(guān)知識，其實(shí)是將肖特基、變壓器等知識圍繞MOS展開，對反激電源的整體設(shè)計進(jìn)行完善。

頻率高低的第二個影響是整個電源板開關(guān)的次數(shù)，這個開關(guān)次數(shù)直接影響到：

1、mos，肖特基的開關(guān)損耗。

2、因變壓器的寄生參數(shù)影響回路特性。

3、因開關(guān)次數(shù)增加，增加了產(chǎn)生諧波的次數(shù)，影響EMC。

針對以上三點(diǎn)，下面來進(jìn)行較為詳細(xì)的說明。

有關(guān)mos的損耗，開關(guān)損耗自是不必多說，下降上升導(dǎo)通時的各種損耗總和，驅(qū)動也就是環(huán)路電感，極性電容，驅(qū)動電阻，驅(qū)動峰值電流等相關(guān)問題，電流不大就不復(fù)雜，電流大了就要做保護(hù)，階段性關(guān)斷，管壓降檢測等就復(fù)雜了。

下面說說MOS環(huán)路當(dāng)中的損耗問題。

在做電源的時候，變大Rg電阻，有時候效率反而提升，這就是一種mos開關(guān)的環(huán)路特性。引起這種環(huán)路開關(guān)特性的原因，主要是由變壓器寄生電容和肖特基的寄生電容。導(dǎo)線之間有電壓差，就會存在電容特性，對變壓器做模型，寄生電容大類別是4種：

1、初級的匝間電容和層間電容

2、次級的匝間電容和層間電容

3、初級和次級之間的匝電容

4、線圈和磁芯的電容（這個一般忽略不計）

肖特基就是規(guī)格書上寫的電容。而正是因?yàn)樯厦娴募纳娙荩鹆薽os開關(guān)的回路特性，有時候加大RG電阻可以得到更高的效率，更好的溫升。反激式在mos都有一個采樣電阻到cs引腳，現(xiàn)在就從這里的波形來看關(guān)于寄生參數(shù)。

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如圖2所示，純理論上，這個采樣電阻上的電壓是這樣的，這是一種完美波形。但是，實(shí)際上在mos開啟和關(guān)斷的時候，兩邊都有個阻力震蕩諧波。在電源中，阻尼震蕩基本上都是LC串聯(lián)形成的，下面仿真下肖特基二極管的寄生電容對電路特性的影響：

然后加入變壓器次級寄生電感，電路波形則變?yōu)椋?

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從這里可以看出：

次級的漏感會和肖特基二極管的寄生電容構(gòu)成一個阻尼震蕩，一個低漏感的變壓器可以更好的克制這個阻尼震蕩，提升電阻的諧波能力，這個震蕩也會影響二極管兩側(cè)的尖峰電壓。

下面是一個實(shí)際電源在采樣電阻上的波形：


仿真出來反激式電源的波形：


仿真和實(shí)際有一些差距，但這個仿真已經(jīng)能解決前面的問題，有時候加大RG電阻效率反而升高，也就是功率回路問題。

下面再來看仿真圖：

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接下來調(diào)整MOS的開關(guān)速度來看對整個寄生參數(shù)的影響。上面仿真出來的用的是100ns的開關(guān)速度，現(xiàn)在修改為300ns，RG電阻改為12歐，在來看一下波形。


從上面給出的圖可以說明：

1、肖特基寄生電容和變壓器次級寄生電容會和次級漏感形成一個阻尼震蕩；

2、變壓器初級漏感會和初級寄生電容形成一個阻尼震蕩；

3、變壓器初級漏感會和mos的DS極間電容形成一個震蕩；

以上是主要部分，忽略線路板和元器件引腳的寄生電感。

這樣一來，變壓器次級的寄生電容也可以折射到初級，在一定電容情況下，mos開關(guān)的上升沿和下降沿越陡峭，則經(jīng)過寄生電容的尖峰電流越大，就越大的沖擊電流承受到mos上，引起一種功率損耗。

當(dāng)mos開關(guān)速度越快，電路形成的諧波震蕩就越嚴(yán)重，然后引起EMC問題。所以，mos開關(guān)的速度在實(shí)際電路中不是越快越好，個人認(rèn)為，當(dāng)變壓器器件工藝已經(jīng)符合要求的情況下，調(diào)整MOS管的RG電阻，找出改變這個電阻最高效率點(diǎn)，確定mos的RG電阻阻值。

本篇文章主要圍繞MOS，對反激電源當(dāng)中的變壓器肖特基等知識進(jìn)行了較為全面的講解。希望大家在閱讀過這些文章之后能夠?qū)?0%效率的反激電源制作有進(jìn)一步的了解和認(rèn)識，小編將為大家?guī)砀嗑返奈恼?，歡迎大家持續(xù)關(guān)注。

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