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高可靠性DRAM系列產(chǎn)品陣容新增128M/256M bit SDRAM功能

發(fā)布時間:2014-03-05 責(zé)任編輯:cicy

【導(dǎo)讀】ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor,作為高可靠性 DRAM系列產(chǎn)品,新開發(fā)出搭載輸出驅(qū)動能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭載了4級輸出驅(qū)動能力調(diào)節(jié)功能,可根據(jù)用戶系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動能力,降低輻射噪聲,從而可減少噪聲對策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。

另外,引線框架采用焊接連接可靠性更高的銅(Cu)框架,因此,還非常適用于車載設(shè)備等要求高可靠性的用途。本產(chǎn)品的樣品已經(jīng)在售,計劃從2014年3月份開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模開始量產(chǎn)銷售。

 <背景>

在中小容量SDRAM的用途之一車載設(shè)備系統(tǒng)中,工作時發(fā)生的輻射噪聲會對高頻段等產(chǎn)生影響,因此,對于提升系統(tǒng)品質(zhì)來說,降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題,為降低SDRAM工作時產(chǎn)生的輻射噪聲,改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開始搭載按3級改變讀取數(shù)據(jù)輸出時的電流驅(qū)動能力的輸出驅(qū)動能力調(diào)節(jié)功能。該功能在車載領(lǐng)域獲得極高好評,為擴大在需要更大容量SDRAM的用途中的應(yīng)用范圍,LAPIS Semiconductor開發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。

另外,DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展,中小容量SDRAM的供應(yīng)越來越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統(tǒng)DRAM注1,作為唯一可長期供貨的日本國內(nèi)制造商,不僅面向車載用途市場,而且面向更廣闊的工業(yè)設(shè)備市場,正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。 

 

<新產(chǎn)品詳情>

1.搭載輸出驅(qū)動能力調(diào)節(jié)功能
為降低SDRAM工作時產(chǎn)生的輻射噪聲,改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,搭載變更讀取數(shù)據(jù)輸出時的電流驅(qū)動能力的輸出驅(qū)動能力調(diào)節(jié)功能。通過擴展模式寄存器配置可設(shè)定4級驅(qū)動能力。

本功能有助于實現(xiàn)適合用戶系統(tǒng)的電流驅(qū)動能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對策零部件數(shù)量。另外,可按出貨時固定規(guī)格的驅(qū)動能力設(shè)定供貨,即使使用已有的SDRAM控制器無需配置擴展模式寄存器,即可使用最佳的輸出驅(qū)動能力設(shè)定的產(chǎn)品。

2.采用銅引線框架
為滿足車載設(shè)備領(lǐng)域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求,本產(chǎn)品采用連接可靠性優(yōu)異的銅(Cu)引線框架。與以往的42合金引線框架相比,其與PCB板的熱膨脹系數(shù)更相近,因此,提高了焊接連接可靠性,滿足了汽車廠家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹循環(huán)標(biāo)準。另外,還同時抑制了錫晶須不良的發(fā)生。

3.滿足車載品質(zhì)
為實現(xiàn)高品質(zhì),支持定制符合客戶要求品質(zhì)的測試工序。

4.芯片銷售遵循KGD(Known Good Die)保證
從晶圓級保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì),通過與客戶的使用方法相匹配的測試工序,提供高品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。

LAPIS Semiconductor今后也會以不斷推出客戶放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長期穩(wěn)定供應(yīng)為目標(biāo),進一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2,不斷擴充傳統(tǒng)DRAM注1產(chǎn)品的陣容。

【銷售計劃】
?產(chǎn)品名   :MD56V72160C / MD56V82160A
?包裝形態(tài)  :托盤1080個
?樣品出售時間  :樣品出售中
?樣品價格(參考):MD56V72160C  360日元(不含稅) 
MD56V82160A  520日元(不含稅)
?量產(chǎn)出售計劃  :2014年3月開始

【產(chǎn)品概要/特點】
?規(guī)格 :滿足JEDEC標(biāo)準規(guī)格
?存儲器結(jié)構(gòu) :4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)   4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)
?地址大小 :4,096行 × 512列(MD56V72160C)  8,192行 × 512列(MD56V82160A)
?工作頻率 :166MHz(max.)
?接口 :LVTTL兼容
?功能 :通用SDRAM指令接口
?電源電壓 :3.3V±0.3V
?工作溫度范圍 :0℃ ~ +70℃ / -40℃ ~ +85℃ 
?刷新  :自動刷新時 4,096次/64msec(MD56V72160C)    8,192次/64msec(MD56V82160A) 自刷新 
?消耗電流(Typ.) :工作時(166MHz)    100mA (MD56V72160C)   150mA (MD56V82160A)
  待機時(動態(tài)待機時) 50mA (MD56V72160C)   65mA (MD56V82160A)    關(guān)機時 3mA
?封裝 :54Pin TSOP    銅引線框架、滿足RoHS指令、無鉛、無鹵

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