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為何兩個(gè)電容造成損失幾百萬?談MCU晶體旁電容和振蕩電路

發(fā)布時(shí)間:2013-08-21 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)論壇 責(zé)任編輯:Cynthiali

【導(dǎo)讀】和很多工程師一樣,我從來都沒有關(guān)心過MCU晶體兩邊的電容,認(rèn)為按參考設(shè)計(jì)做就行了,但是,有一次做一個(gè)手機(jī)項(xiàng)目,這個(gè)電容出了問題,造成損失幾百萬。自此,我開始真正的考慮這個(gè)電容的作用。原來MCU振蕩電路的真名叫“三點(diǎn)式電容振蕩電路”……

絕大多數(shù)的工程師對(duì)MCU晶體兩邊要接一個(gè)22pF附近的電容都不是很理解,因?yàn)檫@個(gè)電容有些時(shí)候是可以不要的。書籍上對(duì)這個(gè)的講解也很少,往往提到最多的是起穩(wěn)定作用和負(fù)載電容之類簡(jiǎn)短的,都沒有進(jìn)行很深入的分析。

和這些工程師一樣,我之前也從來不去關(guān)心這兩個(gè)電容,認(rèn)為按參考設(shè)計(jì)做就行了,直到有一次一個(gè)手機(jī)項(xiàng)目就因?yàn)檫@個(gè)電容出了問題,損失了幾百萬。于是,我開始真正的考慮這個(gè)電容的作用。

其實(shí)MCU的振蕩電路的真名叫“三點(diǎn)式電容振蕩電路”。

為何兩個(gè)電容造成損失幾百萬?詳解MCU晶體旁電容和振蕩電路

Y1是晶體,相當(dāng)于三點(diǎn)式里面的電感,C1和C2就是電容,5404和R1實(shí)現(xiàn)一個(gè)NPN的三極管,大家可以對(duì)照高頻書里的三點(diǎn)式電容振蕩電路。接下來分析一下這個(gè)電路。

5404必需要一個(gè)電阻,不然它處于飽和截止區(qū),而不是放大區(qū),R1相當(dāng)于三極管的偏置作用,讓5404處于放大區(qū)域,那么5404就是一個(gè)反相器,這個(gè)就實(shí)現(xiàn)了NPN三極管的作用,NPN三極管在共發(fā)射極接法時(shí)也是一個(gè)反相器。

接下來用通俗的方法講解一下這個(gè)三點(diǎn)式振蕩電路的工作原理,大家也可以直接看書。

大家知道一個(gè)正弦振蕩電路要振蕩的條件是,系統(tǒng)放大倍數(shù)大于1,這個(gè)容易實(shí)現(xiàn),相位滿足360°,接下來主要講解這個(gè)相位問題:
5404因?yàn)槭欠聪嗥鳎簿褪钦f實(shí)現(xiàn)了180°移相,那么就需要C1,C2和Y1實(shí)現(xiàn)180°移相就可以,恰好,當(dāng)C1,C2,Y1形成諧振時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)180移相,這個(gè)大家最簡(jiǎn)單的可以以地作為參考,諧振的時(shí)候,C1、C2上通過的電流一樣,地在C1、C2中間,所以恰好電壓相反,實(shí)現(xiàn)180移相。

當(dāng)C1增大時(shí),C2端的振幅增強(qiáng),當(dāng)C2降低時(shí),振幅也增強(qiáng)。

有些時(shí)候C1,C2不焊也能起振,這個(gè)不是說沒有C1,C2,而是因?yàn)樾酒_的分布電容引起的,因?yàn)楸緛磉@個(gè)C1,C2就不需要很大,所以這一點(diǎn)很重要。接下來分析這兩個(gè)電容對(duì)振蕩穩(wěn)定性的影響。

因?yàn)?404的電壓反饋是靠C2的,假設(shè)C2過大,反饋電壓過低,這個(gè)也是不穩(wěn)定,假設(shè)C2過小,反饋電壓過高,儲(chǔ)存能量過少,容易受外界干擾,也會(huì)輻射影響外界。C1的作用對(duì)C2恰好相反。因?yàn)槲覀儾及宓臅r(shí)候,假設(shè)雙面板,比較厚的,那么分布電容的影響不是很大,假設(shè)在高密度多層板時(shí),就需要考慮分布電容,尤其是VCO之類的振蕩電路,更應(yīng)該考慮分布電容。

有些用于工控的項(xiàng)目,建議不要用晶體的方法振蕩,二是直接接一個(gè)有源的晶振

很多時(shí)候大家會(huì)用到32.768K的時(shí)鐘晶體來做時(shí)鐘,而不是用單片機(jī)的晶體分頻后來做時(shí)鐘,這個(gè)原因很多人想不明白,其實(shí)這個(gè)跟晶體的穩(wěn)定度有關(guān),頻率越高的晶體,Q值一般難以做高,頻率穩(wěn)定度不高,32.768K的晶體穩(wěn)定度等各方面都不錯(cuò),形成了一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),比較容易做高。
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