你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

STx42N65M5:ST最新MDmesh V功率MOSFET

發(fā)布時間:2009-02-23

產(chǎn)品特性:
  • 新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下
  • 首款MDmesh V產(chǎn)品采用TO-220封裝,導(dǎo)通電阻0.079Ω
  • RDS(ON)低至0.022Ω/0.038Ω
應(yīng)用范圍:
  • 筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機
  • 熒光燈鎮(zhèn)流器、電信設(shè)備、太陽能電池轉(zhuǎn)換器
  • 需要高壓功率因數(shù)校正或開關(guān)功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用設(shè)備

意法半導(dǎo)體近日宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh™ V技術(shù)達到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下,采用緊湊型功率封裝,使能效和功率都達到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。這些產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

33A的STP42N65M5是意法半導(dǎo)體的首款MDmesh V產(chǎn)品,采用TO-220封裝,導(dǎo)通電阻0.079Ω。降低的導(dǎo)通電阻有助于提高能效,在大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,可實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低的RDS(ON)。STx42N65M5全系列產(chǎn)品還提供其它的封裝選擇,包括D2PAK貼裝以及TO-220FP、I2PAK和TO-247。目前正在量產(chǎn)的STx16N65M5系列也是650V產(chǎn)品,額定RDS(ON) 為0.299 Ω,額定電流為12A。意法半導(dǎo)體的MDmesh V 650V MOSFET技術(shù)藍圖還包括電流更大的產(chǎn)品,采用Max247封裝的產(chǎn)品RDS(ON)低至0.022Ω,TO-247封裝低至0.038Ω。這些產(chǎn)品計劃在2009年3月上市。

“MDmesh V產(chǎn)品在RDS(ON)上的改進將會大幅度降低PFC電路和電源的電能損耗,從而能夠?qū)崿F(xiàn)能耗更低、尺寸更小的新一代電子產(chǎn)品,”意法半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示,“這項新技術(shù)將幫助產(chǎn)品設(shè)計工程師解決新出現(xiàn)的挑戰(zhàn),例如,新節(jié)能設(shè)計法規(guī)的能效目標(biāo),同時再生能源市場也是此項技術(shù)的受益者,因為它可以節(jié)省在電源控制模塊消耗的寶貴電能。”

作為意法半導(dǎo)體在成功的多漏網(wǎng)格技術(shù)上的最新進步,通過改進晶體管的漏極結(jié)構(gòu),降低漏--源電壓降,MDmesh V在單位面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) 上表現(xiàn)異常出色。此項優(yōu)點可降低這款產(chǎn)品的通態(tài)損耗,同時還能使柵電荷量(Qg)保持很低,在高速開關(guān)時實現(xiàn)優(yōu)異的能效,提供低‘RDS(ON) x Qg’的靈敏值(FOM)。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競爭品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓,為設(shè)計工程師提供寶貴的安全裕量。意法半導(dǎo)體的MDmesh V MOSFET的另一項優(yōu)點是,關(guān)斷波形更加平滑,柵極控制更加容易,并且由于EMI降低,濾波設(shè)計更加簡單。

MDmesh V MOSFET的節(jié)能優(yōu)勢和高功率密度將會給終端用戶產(chǎn)品的節(jié)能帶來實質(zhì)性提升,例如:筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機、熒光燈鎮(zhèn)流器、電信設(shè)備、太陽能電池轉(zhuǎn)換器以及其它的需要高壓功率因數(shù)校正或開關(guān)功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用設(shè)備。

要采購開關(guān)么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉