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快充過程中電源適配器與手機(jī)是如何通信的？
快充，顧名思義就是給手機(jī)快速充電，通過軟 / 硬件技術(shù)手段，調(diào)整手機(jī)的電壓與電流的輸入值，進(jìn)而縮短手機(jī)的充電時(shí)間，打破以往傳統(tǒng)的 5V/1A 模式。提升充電速度的方式無非三種：電流不變，提升電壓；電壓不變，提高電流；電壓、電流兩者都提高。
2020-04-09
電源適配器 手機(jī)通信 示波器 USBPD
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連載二：EMC中的基石-濾波知識大全
RC濾波器使用等效結(jié)構(gòu)，但是我們有一個(gè)電容器代替R 2。首先，我們用電容器的電抗（X C）代替R 2（在分子中）。接下來，我們需要計(jì)算總阻抗的大小并將其放在分母中。
2020-04-09
EMC 濾波
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PCIe Gen3/Gen4接收端鏈路均衡測試（下篇：實(shí)踐篇）
聚焦于PCIe 3.0和4.0中的動(dòng)態(tài)均衡技術(shù)，本文介紹其原理、實(shí)現(xiàn)及其相關(guān)的一致性測試，這種動(dòng)態(tài)均衡技術(shù)被稱作“Link Equalization”（鏈路均衡，簡稱為LEQ）。本系列文章分上下兩篇，本文是下篇實(shí)踐篇，重點(diǎn)介紹Rx鏈路均衡的測試和調(diào)試，泰克公司的自動(dòng)化軟件為此提供了業(yè)界最優(yōu)的解決方案。
2020-04-09
PCIeGen3 接收端鏈路
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PCBA熱風(fēng)再流焊在生產(chǎn)設(shè)計(jì)中可解決哪些技術(shù)問題？
PCBA焊接采用的是熱風(fēng)再流焊，依靠風(fēng)的對流和PCB、焊盤、引線的傳導(dǎo)進(jìn)行加熱。由于焊盤、引腳的熱容量大小以及受熱條件不同，因而焊盤、引腳在再流焊接加熱過程中同一時(shí)刻所加熱到的溫度也不同。
2020-04-09
PCBA 流焊
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5G高頻時(shí)代下，電子設(shè)備怎么粘？德莎推出高性能PET雙面膠帶
2020年成為5G走向成熟的關(guān)鍵年，運(yùn)營商不斷加速5G基站建設(shè)，爭取早日完成設(shè)備布局，而各手機(jī)品牌廠商陸續(xù)發(fā)力，發(fā)布5G旗艦終端，相較于4G手機(jī)，消費(fèi)者對5G手機(jī)的逐漸青睞，這種種都傳達(dá)了一個(gè)信號：5G的發(fā)展儼然搭上了產(chǎn)業(yè)鏈的快車。
2020-04-09
5G高頻 德莎 PET雙面膠帶
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接線端子為了導(dǎo)線的連接而運(yùn)用 應(yīng)用范圍愈來愈廣
接線端子實(shí)際上就是連接器的其中一種，是為了導(dǎo)線的連接而運(yùn)用的，它實(shí)際上就是一段封在絕緣塑膠里邊的銅片，兩邊都有孔，能夠插進(jìn)導(dǎo)線。伴隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，接線端子的應(yīng)用范圍愈來愈廣，現(xiàn)階段關(guān)鍵運(yùn)用在電力工程 控制，機(jī)器設(shè)備控制，自動(dòng)化控制，智能安防控制，儀表設(shè)備等行業(yè)。
2020-04-09
接線端子 導(dǎo)線 機(jī)器設(shè)備
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安森美Quantenna的Wi-Fi 6和Wi-Fi 6E 技術(shù)與方案使聯(lián)接更快、更廣、更高效
如今，Wi-Fi已成為人們生活中不可或缺的一部分，聯(lián)接著人們的工作、學(xué)習(xí)和娛樂。隨著Wi-Fi標(biāo)準(zhǔn)演變到Wi-Fi 6甚至未來的Wi-Fi 6E，聯(lián)接速度在不斷地提升，Wi-Fi方案的全球領(lǐng)袖之一安森美半導(dǎo)體旗下的Quantenna也與時(shí)俱進(jìn)，不斷推出更先進(jìn)的Wi-Fi方案和技術(shù)如波束成形、8x8多用戶多入多出（MU-MIMO）...
2020-04-09
安森美 Quantenna Wi-Fi 6 Wi-Fi 6E 技術(shù)
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反向衰減器，G=-0.1……會不穩(wěn)定嗎？
單位增益穩(wěn)定的運(yùn)放在增益大于等于1的情況下是穩(wěn)定的，增益更小的時(shí)候還正確嗎？怎么辦？這個(gè)問題在論壇上隔段時(shí)間就出現(xiàn)。好吧，來個(gè)簡潔的答案：反向衰減器穩(wěn)定。
2020-04-08
反向衰減器 反饋電阻
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問題也會導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。
2020-04-08
漏電流 寄生電容 DRAM
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