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如何使用移相電路計(jì)算相位？
在電路應(yīng)用中由于存在電感電容等無源器件，在頻率信號(hào)作用下，電容充放電，電感儲(chǔ)能釋放能量的過程，輸入輸出信號(hào)就存在相位的變化。對(duì)于電容移相的過程，是由于電容器的充放電引起電路的交變電流。
2021-01-25
移相電路 相位
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偏置電流源電路的對(duì)與錯(cuò)
下面的電流源偏置電路究竟哪個(gè)結(jié)構(gòu)是對(duì)的？幾乎每個(gè)模擬IC課程都會(huì)講這個(gè)例子，可是始終有人搞不清楚。
2021-01-25
偏置電流源電路
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為何時(shí)鐘信號(hào)比數(shù)據(jù)信號(hào)更容易引起輻射超標(biāo)？
一般這種問題，我們都會(huì)說是時(shí)鐘線引起的問題。我之前做的產(chǎn)品是攝像頭，時(shí)鐘線加十幾根數(shù)據(jù)線。有一次處理完時(shí)鐘線后還是超標(biāo)，因?yàn)檎脭?shù)據(jù)線上都串有電阻，我就將電阻都改成了磁珠，想消除因?yàn)閿?shù)據(jù)線引起的輻射，改完之后發(fā)現(xiàn)還是超標(biāo)，看不到有明顯的改善。
2021-01-25
時(shí)鐘信號(hào) 數(shù)據(jù)信號(hào) 輻射超標(biāo)
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全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET
FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，F(xiàn)inFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2021-01-25
全包圍柵極結(jié)構(gòu) FinFET
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非蜂窩也有春天：LoRa/WiFi/藍(lán)牙的2020年
上周，物聯(lián)傳媒公眾號(hào)發(fā)布了一篇《解鎖12億小目標(biāo)之后，移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的增速將如何持續(xù)？ 》的文章，主要從NB-IoT、Cat.1、5G三方面介紹了過去一年或者更久以來移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)所取得的成績。
2021-01-22
非蜂窩 LoRa WiFi 藍(lán)牙
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DDR5信號(hào)完整性基礎(chǔ)
2020年7月，DDR 5新標(biāo)準(zhǔn)誕生，令人興奮的DDR5技術(shù)保證了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。這是接口設(shè)計(jì)人員熟悉的承諾。但是，就像生活中的大多數(shù)事情一樣，沒有免費(fèi)的午餐。降低功耗和提高速度的進(jìn)步伴隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性的增加。
2021-01-22
DDR5 信號(hào)完整性
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模擬電壓比較器的基本要點(diǎn)及使用方法：從電平檢測(cè)到振蕩器
電壓比較器是一種用于電壓比較的電子器件，能夠比較輸入電壓與已知參考電壓并根據(jù)輸入是高于還是低于參考值來更改其輸出狀態(tài)。該功能滿足了檢測(cè)閾值交叉、零位和信號(hào)幅值是否在幅值范圍之內(nèi)或之外的要求。
2021-01-22
模擬電壓比較器 電平 振蕩器
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亥姆霍茲線圈新一代供電電源解決方案
亥姆霍茲線圈(Helmholtz coil)是由一對(duì)完全相同的圓形導(dǎo)體線圈組成,產(chǎn)生大體積的均勻磁場(chǎng),可組合一維、二維與三維標(biāo)準(zhǔn)直流或交流磁場(chǎng),模擬生物磁場(chǎng)、地磁環(huán)境與電磁干擾試驗(yàn)等,廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、電子、材料等領(lǐng)域,如醫(yī)療應(yīng)用中膠囊內(nèi)鏡機(jī)器人。
2021-01-22
亥姆霍茲線圈 供電電源
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DC-DC和LDO的原理和區(qū)別
DC/DC轉(zhuǎn)換器一般由控制芯片，電桿線圈，二極管，三極管，電容構(gòu)成。DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2021-01-21
DC-DC LDO
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