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如何優(yōu)化開關(guān)穩(wěn)壓器中控制算法的使用
在本應(yīng)用筆記中，我們將研究開關(guān)穩(wěn)壓器的三種基本控制算法。我們將討論每種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，并就正確的環(huán)路補(bǔ)償策略提供指導(dǎo)，以獲得快速穩(wěn)定的響應(yīng)。
2023-01-05
開關(guān)穩(wěn)壓器 算法
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穩(wěn)壓器電路仿真電路設(shè)計(jì)怎么發(fā)現(xiàn)問題？
每個(gè)新的電子設(shè)備都需要某種程度的功率調(diào)節(jié)。無論新產(chǎn)品是依靠電池，外部電源還是交流電源運(yùn)行，都需要為新系統(tǒng)設(shè)計(jì)一種調(diào)節(jié)策略。這可能涉及多個(gè)功率調(diào)節(jié)電路，通常帶有反饋以提供高效功率轉(zhuǎn)換。您可能需要各種支持組件和功能，以幫助您調(diào)節(jié)功率輸出，尤其是在系統(tǒng)以高功率運(yùn)行時(shí)。
2023-01-04
穩(wěn)壓器電路 仿真電路設(shè)計(jì)
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基于FPGA的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)或數(shù)模轉(zhuǎn)換器
選擇時(shí)首先要確定轉(zhuǎn)換信號(hào)所需的采樣頻率。這個(gè)參數(shù)不僅將影響轉(zhuǎn)換器的選擇，同時(shí)也會(huì)影響對(duì)FPGA的選擇，這樣才能確保器件能夠滿足所需的處理速度及邏輯封裝要求。轉(zhuǎn)換器的采樣頻率至少為信號(hào)采樣頻率的2倍。因此，如果信號(hào)的采樣頻率為50MHz，則轉(zhuǎn)換器采樣頻率至少應(yīng)為100MHz。
2023-01-04
FPGA 模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 數(shù)模轉(zhuǎn)換器
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六種常見的DC－DC升壓電路
電路中變壓器T可用晶體管收音機(jī)用的502型音頻輸出變壓器，次級(jí)作為升壓變壓器的初級(jí)，初級(jí)中間的抽頭不用，兩端抽頭作為升壓變壓器的次級(jí)。如果找不到合適的變壓器，也可以用收音機(jī)輸人輸出變壓器的硅鋼片自制，初級(jí)用直徑為0.25mm的高強(qiáng)度漆包線繞110匝，次級(jí)用直徑0.21mm的高強(qiáng)度漆包線繞520匝。...
2023-01-04
DC－DC升壓電路
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Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。
2023-01-04
Si SiC MOSFET
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單對(duì)以太網(wǎng)的推出恰逢其時(shí)
對(duì)于低數(shù)據(jù)速率設(shè)備，工業(yè)設(shè)施和汽車制造商需要一種經(jīng)濟(jì)高效的連接解決方案，而10BASE-T1S和10BASE-T1L可提供低成本且簡(jiǎn)單的解決方案。
2022-12-30
以太網(wǎng)
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應(yīng)用于機(jī)器視覺的3D激光三角測(cè)量技術(shù)
3D視覺技術(shù)正在成為主流--這是件好事。技術(shù)的進(jìn)步和成本的降低使得3D視覺成為一種可以用于半導(dǎo)體和電子、電動(dòng)車電池制造、汽車制造、食品生產(chǎn)和藥品包裝等多種應(yīng)用和行業(yè)的技術(shù)。人們會(huì)在生產(chǎn)制造自動(dòng)化、機(jī)器人引導(dǎo)和質(zhì)量控制領(lǐng)域中看到3D傳感器和輪廓儀。
2022-12-30
機(jī)器視覺 3D激光三角測(cè)量技術(shù)
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為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅(qū)動(dòng)電流，鐵電體正在接受認(rèn)真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲(chǔ)器，填補(bǔ) DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實(shí)上，用于存儲(chǔ)器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設(shè)備會(huì)議的兩個(gè)亮點(diǎn)。
2022-12-30
FeFET 鐵電體 存儲(chǔ)器
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件...
2022-12-30
RS瑞森半導(dǎo)體 碳化硅二極管 光伏逆變器
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