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解析DDR設(shè)計(jì)中容性負(fù)載補(bǔ)償?shù)淖饔?/span>
關(guān)于容性負(fù)載的介紹，高速先生之前有寫過一遍文章《DDR3系列之容性負(fù)載補(bǔ)償，你聽都沒聽過？》，今天我們進(jìn)一步研究一下。先來了解一下容性負(fù)載和感性負(fù)載對鏈路阻抗的影響。仿真鏈路模型如下圖所示。鏈路中有三段50Ω的理想傳輸線，第一段和第二段之間增加一個(gè)電容模擬容性負(fù)載，第二段和第三段之間...
2023-05-19
DDR設(shè)計(jì) 負(fù)載補(bǔ)償
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Σ －Δ ADC的高精度數(shù)模轉(zhuǎn)化，是如何實(shí)現(xiàn)的？
你可能會(huì)知道Delta-Sigma(Σ-Δ) ADC可以達(dá)到很高的精度，它是具體怎么實(shí)現(xiàn)的？ 本文將從量化噪聲、信噪比、過采樣等概念出發(fā)，分析Delta-Sigma ADC的工作原理。
2023-05-19
Σ －Δ ADC 數(shù)模轉(zhuǎn)化
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優(yōu)化智能存儲(chǔ)適配器性能
優(yōu)化存儲(chǔ)適配器性能可確保存儲(chǔ)處理由存儲(chǔ)適配器而不是服務(wù)器處理，從而在寫入和讀取數(shù)據(jù)時(shí)減輕 CPU 的壓力。由于適配器在出廠時(shí)配置為為常規(guī)環(huán)境提供最佳的全方位設(shè)置，因此優(yōu)化適配器配置以預(yù)測應(yīng)用程序存儲(chǔ)需求可以顯著提高性能。
2023-05-18
智能存儲(chǔ) 適配器
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如何進(jìn)行小電流／高阻抗測量
使用交替極性測量方法可以將樣品中背景電流對測量結(jié)果的影響消除。這種方法也很簡單，就是對被測電阻正向施加電壓，在一段延時(shí)后測量流過電流；然后再改變電壓的極性，延時(shí)一段時(shí)間后再測量電流。使用電壓的變化值除以電流的變化值來計(jì)算被測電阻的大小。這種方法可以重復(fù)若干次，取測量值的加權(quán)平...
2023-05-18
小電流 高阻抗測量
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具有高性價(jià)比的無線 MCU 如何幫助您將低功耗 Bluetooth?? 技術(shù)應(yīng)用到更多產(chǎn)品中
環(huán)顧我們當(dāng)前日常生活中的 Bluetooth? 應(yīng)用，我們有理由期待未來世界能夠?qū)崿F(xiàn)更高程度的互聯(lián)。據(jù)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）估計(jì)，藍(lán)牙設(shè)備的年出貨量將在 2026 年超過 70 億。在醫(yī)療設(shè)備、玩具、個(gè)人電子產(chǎn)品、智能家居設(shè)備等領(lǐng)域，市場需要更高的藍(lán)牙集成度。為滿足該市場需求，富有創(chuàng)新精神的工程師將有...
2023-05-18
無線 MCU 低功耗Bluetooth
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元宇宙的實(shí)現(xiàn)需要哪些MEMS技術(shù)
下一波通信和社會(huì)技術(shù)將超越2D屏幕，向依靠增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)的沉浸式體驗(yàn)方向發(fā)展，這個(gè)新平臺(tái)也就是我們所說的“元宇宙”。元宇宙是Meta?的愿景，即與真實(shí)的物理世界連接的虛擬世界互連網(wǎng)絡(luò)。雖然大家都在熱議元宇宙，但多數(shù)人對元宇宙的功能和實(shí)現(xiàn)方式仍處于霧里看花的階段。對于一部分人來說，電...
2023-05-16
元宇宙 MEMS技術(shù)
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開關(guān)去抖動(dòng)器IC創(chuàng)建長周期定時(shí)器
本應(yīng)用描述了如何降低僅需要定期使用μP的系統(tǒng)功耗。通過使用去抖IC電路，可以將μP設(shè)置為在較長的定時(shí)器周期內(nèi)進(jìn)行監(jiān)控，從而允許其在剩余時(shí)間內(nèi)進(jìn)入低功耗模式。結(jié)果，總功率降低。
2023-05-16
開關(guān) 去抖動(dòng)器IC
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淺析直接數(shù)字頻率合成技術(shù)
直接數(shù)字頻率合成技術(shù) (Direct Digital Synthesis)，簡稱 DDS，它是一種基于數(shù)字電子電路的頻率合成技術(shù)，用于產(chǎn)生周期性波形，通常應(yīng)用在一些頻率激勵(lì) / 波形發(fā)生、頻率相位調(diào)諧和調(diào)制、低功耗 RF 通信系統(tǒng)、液體和氣體測量；還有接近度、運(yùn)動(dòng)和缺陷檢測等傳感器場合也可以找到 DDS 的身影?？傮w而...
2023-05-16
DDS ADI
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功率MOS管損壞的典型
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2023-05-15
功率MOS管
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