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中國LED產業(yè)穩(wěn)步發(fā)展愈加成熟

2008年可以說是LED產業(yè)豐收的一年，有以下幾個特點：2008年是LED產業(yè)的奧運年；城市道路照明由示范工程到主要照明順利過渡；我國LED產業(yè)投資方式多元化；傳統光源企業(yè)步入LED照明領域；2009年LED產業(yè)將更規(guī)范有序。

2009-02-03

LED LED照明半導體照明

中國LED產業(yè)穩(wěn)步發(fā)展愈加成熟

2009-02-03

LED LED照明半導體照明

215系列：Littelfuse新款5×20mm陶瓷體延時型管狀保險絲

Littelfuse推出新款215系列5×20mm陶瓷體、延時型管狀保險絲，能夠在有限的空間內實現高熔斷容量。此新款保險絲可以為高達250VAC的供電提供15A、16A、20A和25A的額定電流。

2009-02-03

215系列延時型保險絲

Eamex開發(fā)出電極上能量密度為100Wh/L的大容量電容器

日本Eamex近日宣布，開發(fā)出了單位體積電量密度極高的大容量電容器。該產品是使用金屬電極夾住固體高分子膜的電雙層電容器的一種，電極的比表面積提高到該公司原產品的10倍，同時電解液的鹽通過使用鋰離子，實現了電極上100Wh/L的能量密度。

2009-02-03

大容量電容器鋰離子電容器

GM4BN653C0A：夏普新款用于手機背光的側面發(fā)光白色LED

夏普將上市封裝高度0.6mm、側面發(fā)光的白色LED“GM4BN653C0A”。其順向電壓為+3.2V、順向電流為20mA時的亮度為1700mcd。主要用于手機和游戲機等中小型液晶面板的背光源。

2009-02-03

GM4BN653C0A 側面發(fā)光白色LED

TIG058E8：三洋半導體開發(fā)出面積縮小60％的手機閃光燈用IGBT

三洋半導體開發(fā)出了面積比原產品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機的拍照功能。可通過IGBT的開關操作瞬間釋放電容器內存儲的電力，使氙氣管發(fā)光。

2009-02-02

IGBT TIG058E8 氙氣閃光燈

FVXO-PC72：Fox 2.5伏壓控晶體振蕩器

Fox Electronics公司為XpressO振蕩器系列推出了一款2.5伏LVPECL壓控晶體振蕩器FVXO-PC72，該產品采用7x 5毫米封裝，并將頻率范圍從0.75兆赫至1.0千兆赫。

2009-02-02

振蕩器壓控晶體振蕩器 FVXO-PC72

FVXO-PC72：Fox 2.5伏壓控晶體振蕩器

Fox Electronics公司為XpressO振蕩器系列推出了一款2.5伏LVPECL壓控晶體振蕩器FVXO-PC72，該產品采用7x 5毫米封裝，并將頻率范圍從0.75兆赫至1.0千兆赫。

2009-02-02

振蕩器壓控晶體振蕩器 FVXO-PC72

FVXO-PC72：Fox 2.5伏壓控晶體振蕩器

Fox Electronics公司為XpressO振蕩器系列推出了一款2.5伏LVPECL壓控晶體振蕩器FVXO-PC72，該產品采用7x 5毫米封裝，并將頻率范圍從0.75兆赫至1.0千兆赫。

2009-02-02

振蕩器壓控晶體振蕩器 FVXO-PC72

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