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安森美半導(dǎo)體與ICs LLC合作,開發(fā)用于
軍事及航空應(yīng)用的抗輻射加固ASIC
發(fā)布時(shí)間:2014-11-20 來源:安森美半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:xueqi
【導(dǎo)讀】安森美半導(dǎo)體與ICs LLC達(dá)成授權(quán)/開發(fā)協(xié)議,將能夠抗輻射的專用集成電路(ASIC)推向市場。獲取全面的RHBD IP更進(jìn)一步擴(kuò)闊公司現(xiàn)有的ASIC陣容,用于更廣泛的高可靠性應(yīng)用。
通過這協(xié)議產(chǎn)生的抗輻射加固設(shè)計(jì)(RHBD) ASIC將基于安森美半導(dǎo)體的ONC110 110納米(nm)工藝,用于ASIC設(shè)計(jì)及生產(chǎn)。引入RHBD ASIC擴(kuò)展了公司包含遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章認(rèn)證(ITAR)、美國國防微電子業(yè)務(wù)處(DMEA)可信供應(yīng)商認(rèn)證及DO-254支援的軍事及航空產(chǎn)品陣容。
輻射測(cè)試已經(jīng)顯示這些ASIC在遭受超過100 MeVcm2/mg的線性能量轉(zhuǎn)移(LETs)攻擊時(shí)具備強(qiáng)大的抗單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)及抗單粒子閉鎖(SEL)性能,而雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)提供40 MeVcm2/mg的抗雙位翻轉(zhuǎn)(DBU)性能。此外,還引入了新穎的RHBD觸發(fā)器(flip flop)架構(gòu),稱作自修復(fù)邏輯(SRL)。這SRL觸發(fā)器已經(jīng)顯示出在高達(dá)700兆赫茲(MHz)頻率時(shí)抗單粒子效應(yīng)的強(qiáng)固性。這些新RHBD IC的首要目標(biāo)將是高可靠性應(yīng)用,如太空探索、衛(wèi)星通信及監(jiān)控、航空、無人飛行器(UAV)、商用飛機(jī)、核能、粒子物理研究及軍事裝備。
ICs LLC首席執(zhí)行官(CEO) Joe Feeley博士說:“隨著業(yè)界邁向更小半導(dǎo)體工藝結(jié)構(gòu),減輕輻射效應(yīng)正成為一個(gè)日益重要的問題。用于抗SEU的傳統(tǒng)RHBD方案并沒有為高速電路提供充足的保護(hù),SRL方案則提供充足保護(hù)。安森美半導(dǎo)體是解決這重要問題的唯一方案供應(yīng)商,使客戶能夠?yàn)橹匾膶?shí)時(shí)應(yīng)用生產(chǎn)容錯(cuò)型ASIC。”
安森美半導(dǎo)體軍事/航空、數(shù)字及定制代工副總裁Vince Hopkin說:“得益于與ICs LLC達(dá)成的這影響深遠(yuǎn)的協(xié)議,安森美半導(dǎo)體能配合我們客戶的要求,提供擁有更大數(shù)量邏輯門及更小幾何尺寸工藝技術(shù)的ASIC,同時(shí)還針對(duì)因暴露在輻射環(huán)境下導(dǎo)致的故障提供充沛保護(hù)。結(jié)合我們的‘’’可信’供貨源身份及提供高度安全之開發(fā)流程能力,增添RHBD于產(chǎn)品陣容表示我們處在極有利的位置,能夠服務(wù)多種多樣的航空、軍事及太空項(xiàng)目,而這些項(xiàng)目中非常講究數(shù)據(jù)及知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)的完整性。”
在新浪微博上關(guān)注@安森美半導(dǎo)體:www.weibo.com/onsemiconductor
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