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安森美推出降低30%開關(guān)損耗的截止型IGBT器件

發(fā)布時間:2013-05-16 責(zé)任編輯:felixsong

【導(dǎo)讀】近日,安森美半導(dǎo)體推出新的第二代場截止型IGBT器件,降低開關(guān)損耗達(dá)30%,因而提供更高能效,并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度,為設(shè)計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。

安森美半導(dǎo)體持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容,應(yīng)用于消費類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件改善開關(guān)特性,降低損耗達(dá)30%,因而提供更高能效,并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度,為設(shè)計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。

安森美第二代截止型IGBT器件
圖示:安森美第二代截止型IGBT器件

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說:“電器的使用數(shù)量持續(xù)增多,使不斷增長的工業(yè)及消費市場的總能耗穩(wěn)步上升。安森美半導(dǎo)體持續(xù)開發(fā)薄晶圓工藝及植入技術(shù),能夠顯著提升IGBT性能,而這對配合更多高能效方案的需求極為重要。”

新型IGBT器件特性:

公司推出的FSII IGBT首組產(chǎn)品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW;這些器件優(yōu)化了開關(guān)性能并降低了導(dǎo)電損耗,用于采用15千赫茲(kHz)到30kHz的中等頻率工作的電磁加熱和軟開關(guān)應(yīng)用。器件在大電流時提供極佳的強固性和優(yōu)異的導(dǎo)通狀態(tài)特性,根據(jù)系統(tǒng)要求經(jīng)過優(yōu)化,以提供更高能效及降低系統(tǒng)損耗。這些高速IGBT提供領(lǐng)先業(yè)界的系統(tǒng)級性能,用于電磁加熱產(chǎn)品,如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。這系列器件提供1,200伏(V)及1,350V平臺版本,額定電流涵蓋20安培(A)、30A及40A。

增強的熱性能:

安森美半導(dǎo)體的FSII IGBT技術(shù)進(jìn)一步擴(kuò)充,新產(chǎn)品還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件,專門設(shè)計用于太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)及變頻焊機應(yīng)用。這些器件提供增強的熱性能,結(jié)點工作溫度范圍達(dá)-55到+175°C,并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100A。

安森美半導(dǎo)體提供高品質(zhì)及可靠IGBT的實力悠久,其中通過汽車行業(yè)AEC-Q認(rèn)證的IGBT量產(chǎn)已經(jīng)超過十年。2011年,公司開始開發(fā)新的高壓/大電流IGBT,用于不斷增長、持續(xù)需求高能效方案的工業(yè)及消費類市場。安森美半導(dǎo)體采用專有溝槽場截止型IGBT技術(shù)的首個完整產(chǎn)品系列于2012年發(fā)布,媲美互相競爭的技術(shù)。此次發(fā)布的最新FSII IGBT技術(shù)使安森美半導(dǎo)體居市場領(lǐng)先地位。

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第二講:基于IGBT的高能效電源設(shè)計
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半月談:IGBT應(yīng)用設(shè)計全面剖析
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在風(fēng)光互補發(fā)電設(shè)計中新型應(yīng)用
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