發(fā)展趨勢：

• 現代多層陶瓷技術不斷改進
• MLCC多次洗牌
• 中國大陸MLCC技術獲突破

隨著SMT技術的興起，片式多層陶瓷電容器(MLCC)由于能夠極大地提高電路和功能組件的高頻特性，從而受到越來越多的關注。在這一領域，日本仍占據領導地位，而我國MLCC產業(yè)在風華、宇陽、三環(huán)等企業(yè)的帶領下，也呈現出生機勃勃的發(fā)展態(tài)勢。

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現代多層陶瓷技術不斷改進

不斷改進的陶瓷技術極大地提高了電路和功能組件的高頻特性。

多層陶瓷電容器(MLC)的起源可以追溯到二戰(zhàn)期間玻璃釉電容器的誕生。由于性能優(yōu)異的高頻電容器與大功率發(fā)射電容器對云母介質的需求巨大，而云母礦產資源稀缺以及戰(zhàn)爭的影響，美國陸軍通信部門資助Dupont公司陶瓷實驗室開展了噴涂玻璃釉介質和絲網印刷銀電極經疊層后共燒，再燒附端電極的獨石化(Monolithic)工藝研究，并獲得多項技術專利。經介質配方改進提高介電常數和降低損耗，玻璃釉電容器已完全可以取代云母電容器。

戰(zhàn)后，這種獨石工藝在Vitramon和Sprague公司得到推廣和進一步改進，逐漸演變?yōu)榻裉斓膬煞N典型濕法工藝(Wet Processes)。前者為印刷介質法，Vitramon沿用至今，曾為日本TDK、英國Syfer、美國AVX部分低壓薄層工藝所采用，并進一步在日本Kyocera集團發(fā)揚光大到極限水平。后者為Waterfall Technique，Sprague維持規(guī)?；a至上世紀80年代末期，目前還在MRA實驗室保留，并在片式多層電感器(MLCI)領域得到全方位推廣。

在獨石結構的電容器得以推廣的同時，玻璃釉介質也逐漸被性能優(yōu)異的高頻陶瓷介質所取代。在鐵電陶瓷成功用于單層介質電容器的同時，引入獨石結構更能體現出高比容優(yōu)勢。正是這兩大類陶瓷介質的引入，逐漸發(fā)展成為今天的1、2類獨石瓷介電容器(Monolithic Ceramic Capacitor)，或稱多層陶瓷電容器(Multi-layer Ceramic Capacitor)。在上世紀60年代，將MLC的芯片用作厚薄膜混合集成電路(HIC)的外貼元件，并因其無引線結構而被稱為無感電容，在相當寬的頻段內表現出優(yōu)良的頻率特性。上世紀70年代，隨著SMT技術的興起，MLC芯片演變?yōu)槠蕉鄬犹沾呻娙萜?MLCC)而直接貼裝于PCB板，極大地提高了電路和功能組件的高頻特性。

MLCC多次洗牌

經歷了多次洗牌，日系企業(yè)仍然占據市場領先地位。

20世紀90年代中后期，日系大型MLCC制造企業(yè)全面搶灘中國市場，先后建立北京村田、無錫村田、上海京瓷、東莞太陽誘電、東莞TDK等合資或獨資企業(yè)。在這期間，克服了困擾十余年的可靠性缺陷，以賤金屬電極(BME)核心技術為基礎的低成本MLCC開始進入商業(yè)實用化。以天津三星電機為代表的韓資企業(yè)也開始成為一支新興力量。

新舊世紀之交，飛利浦在產業(yè)頂峰放棄并出讓被動元件事業(yè)部，拉開了中國臺灣島內MLCC業(yè)界全面普及BME技術的序幕。國巨、華新、達方、天揚等臺系企業(yè)的全面崛起，徹底打破了日系企業(yè)在BME制造技術的壟斷，高性價比MLCC為IT與A&V產業(yè)的技術升級和低成本化作出了重大貢獻。同時，臺系企業(yè)開始將從后至前的各道工序制程不斷向大陸工廠轉移。

在2008年國際金融危機影響下，全球MLCC重新“洗牌”。日本村田先后兼并了Rohm和松下MLCC事業(yè)部繼續(xù)高居首位，而后起之秀韓國三星電機經過近十年突飛猛進發(fā)展已超越其他對手居次席，并直逼村田形成兩強爭霸局面。TDK兼并EPCOS，太陽誘電、京瓷/AVX僅能保持第二集團地位，中國臺灣國巨兼并華亞、宸遠，華新兼并匯僑、一等高后在產能規(guī)模上也開始挑戰(zhàn)甚至躋身第二集團。

中國大陸MLCC技術獲突破

大陸電容器產業(yè)現已基本實現了MLCC主流產品本地化供應局面。

在MLCC發(fā)展進程中，需特別強調的是我國大陸科技工作者的歷史貢獻。在二戰(zhàn)后，前蘇聯研制出的與美國類似的玻璃釉電容器技術傳入我國大陸，形成了一定的生產規(guī)模。為進一步改進性能，擴大產能，20世紀60年代中國大陸產業(yè)界開始嘗試用陶瓷介質進行軋膜成型、印刷疊壓工藝制造獨石結構的瓷介電容器。為適應多層共燒工藝要求，采用傳統(tǒng)陶瓷電容器介質材料于1300℃以上高溫燒結需采用Au-Pd-Pt三元貴金屬電極系統(tǒng)，因成本太高，僅能維持極少量軍品需求。以原電子工業(yè)部7所、715廠、華南工學院等單位為龍頭的若干單位，先后于1967年和1969年完成了900℃左右低溫燒結的2類和1類獨石瓷介電容器的研制。前者以Smolenskii首先提出的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3為主晶相。后者包括MgO-Bi2O3-Nb2O5和ZnO-Bi2O3-Nb2O5系，以及高介大溫度系數Pb(Mg1/2W1/2)O3系統(tǒng)。上述系統(tǒng)在我國大陸實現工業(yè)化生產達20年。

20世紀80年代以來，我國大陸引進了干法流延和濕法印刷成膜及相關生產技術，有效地改善了MLC制造工藝水平。在實施國家“863”計劃及其他多項科技攻關過程中，清華大學、西安交通大學、原電子工業(yè)部715廠、7所、中科院上海硅酸鹽研究所、肇慶風華電子廠、泉州無線電元件廠等單位繼續(xù)努力，全面改進和提高了低溫燒結MLC材料體系的性能指標，使之邁上了一個新臺階。

上世紀80年代以前中國大陸電容器產業(yè)的片式化率幾乎為零，僅有極少量多層陶瓷電容器(MLC)的半成品芯片以手工方式貼裝于厚薄膜混合集成電路基板。80年代中期，原電子工業(yè)部下屬715廠、798廠以及若干省市直屬企業(yè)先后從美國引進13條MLC生產線，標志著中國大陸MLC生產核心技術從早期軋膜成型工藝過渡到現代陶瓷介質薄膜流延工藝，在產品小型化和高可靠性方面取得實質突破，并于1987年成立了以引進生產線為組成單位的MLC行業(yè)聯合體。

上世紀90年代前期，上述企業(yè)與后續(xù)進入的達利凱、特威、靈通等外資企業(yè)相互兼并整合，并且出現了風華集團的脫穎而出。其間，由于三層端電極電鍍工藝的突破，實現了引線式多層陶瓷電容器向完全表面貼裝化的片式多層陶瓷電容器(MLCC)的過渡。

依托自主研發(fā)與技術創(chuàng)新團隊體系，業(yè)界新軍——成立于2001年的宇陽科技發(fā)展有限公司在極短時間內完成了超薄流延工藝與BME核心技術的研發(fā)與產業(yè)化，在MLCC微型化、高可靠、低成本制造技術領域迅速占據國內領先地位。其中，其自主研發(fā)的0402 BME微型MLCC于2002年10月通過科技成果鑒定，填補國內空白，屬國內首創(chuàng)。2008年，宇陽科技又研發(fā)成功0201超微型MLCC并批量上市，再次填補了國內空白，在亞微米材料與薄膜流延加工技術BME微型MLCC材料體系與產品結構設計、還原性氣氛燒結工藝等關鍵技術開發(fā)創(chuàng)新取得重大突破。

與此同時，風華、三環(huán)等國內傳統(tǒng)大型元器件企業(yè)集團也相繼完成BME-MLCC的技術改造和產業(yè)化。成為MLCC主流產品本地化制造供應源“三套馬車”，與內地企業(yè)兼并改制后保留的軍工及非標特殊品種供應點，共同構成了中國大陸MLCC產業(yè)界的新格局。

據悉，宇陽將參加2011年11月9-11日在上海新國際會展中心舉辦的第78屆中國電子展，并展出最新產品。參展展位號：W2號館2C065