產(chǎn)品特性：

• 采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)
• 針對(duì)低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 進(jìn)行了優(yōu)化

應(yīng)用范圍：

• 用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出車(chē)用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)的多種應(yīng)用。

新器件系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET，以及適用于高側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用的 -55 V 和 -100 V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) P 溝道 MOSFET ，這些技術(shù)不需要額外的柵極驅(qū)動(dòng)電荷泵。有關(guān)的30V、55V 和 100V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 簡(jiǎn)化了柵極驅(qū)動(dòng)要求，能夠減少電路板空間和零件數(shù)量。所有這些新器件都針對(duì)低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 進(jìn)行了優(yōu)化。

IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“通過(guò)使用 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)，這些新型車(chē)用器件平臺(tái)在線性模式以及需要用堅(jiān)固的MOSFET 來(lái)驅(qū)動(dòng)高感性負(fù)載的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外，這些器件非常適合采用較高電路板凈電壓的汽車(chē)，如卡車(chē)等。”

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

所有IR 車(chē)用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過(guò) 1,000 次溫度循環(huán)測(cè)試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過(guò) 20%。然而，經(jīng)過(guò)延長(zhǎng)測(cè)試后，IR的新款 AU 材料在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化只有 12%，體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。