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安森美半導(dǎo)體推出4款便攜應(yīng)用最小封裝肖特基勢(shì)壘二極管

發(fā)布時(shí)間:2009-08-24

產(chǎn)品特性:
  • 采用超小型0201雙硅片無(wú)引腳(DSN2)芯片級(jí)封裝
  • 低正向電壓或低反向電流
  • 額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA
  • 工作溫度范圍為–40°C至+125°C
應(yīng)用范圍:
  • 手機(jī)、MP3播放器和數(shù)碼相機(jī)等便攜產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢(shì)壘二極管。這些新的肖特基勢(shì)壘二極管采用超小型0201雙硅片無(wú)引腳(DSN2)芯片級(jí)封裝,為便攜電子設(shè)計(jì)人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。

這些新的肖特基二極管提供低正向電壓或低反向電流,額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA,其中后者是業(yè)界最小巧的額定200 mA器件。這些新的器件為越來(lái)越多空間受限的應(yīng)用解決問(wèn)題,例如手機(jī)、MP3播放器和數(shù)碼相機(jī)等。

安森美半導(dǎo)體小信號(hào)產(chǎn)品分部總監(jiān)兼總經(jīng)理何燾(Dan Huettl)說(shuō):“我們客戶持續(xù)面對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),要在空間受限的應(yīng)用中取舍優(yōu)化電路板布線與系統(tǒng)性能的問(wèn)題。安森美半導(dǎo)體遂推出超小型0201 DSN-2肖特基勢(shì)壘二極管,回應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的訴求,優(yōu)化便攜應(yīng)用的電源管理。”

器件
這些肖特基二極管封裝底部含有可焊接金屬觸點(diǎn),令工作的硅片百分之百地利用封裝面積。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,與常見(jiàn)的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也稱作0402)封裝相比,節(jié)省3倍的電路板空間。這些新器件的泄漏電流為市場(chǎng)上最低,幫助設(shè)計(jì)人員解決功率損耗、效率及開(kāi)關(guān)速度問(wèn)題。與采用傳統(tǒng)塑模封裝的競(jìng)爭(zhēng)組件相比,新的肖特基二極管的板面積性能顯著提升,傲視同儕。它們的電源管理特性,也領(lǐng)先同類產(chǎn)品,有助延長(zhǎng)便攜設(shè)備應(yīng)用中的電池使用時(shí)間。

NSR0xF30NXT5G器件系列優(yōu)化了正向電壓降(Vf),在10 mA正向電流時(shí)僅為370毫伏(mV),進(jìn)一步突顯這系列的先進(jìn)、高性能規(guī)格。NSR0xL30NXT5G器件系列設(shè)計(jì)用于低反向電流(Ir),在10 V反向電壓時(shí)僅為0.2微安(µA),且泄漏電流極低,延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。這兩個(gè)系列的器件提供人體模型(HBM) 3B類和機(jī)器模型(MM) C類的ESD額定能力及低熱阻抗,為設(shè)計(jì)工程師解決在小電路板空間中納入越來(lái)越多電路的挑戰(zhàn)。這些肖特基二極管符合RoHS指令,工作溫度范圍為–40°C至+125°C,非常適用于苛刻室內(nèi)及室外環(huán)境中的設(shè)備。

器件型號(hào)

正向電壓降(Vf)

(V)

正向電流(If) (mA)

封裝

特性

NSR01F30NXT5G

30

100

DSN2 0201

Vf

NSR02F30NXT5G

30

200

DSN2 0201

Vf

 

 

 

 

 

NSR01L30NXT5G

30

100

DSN2 0201

Ir

NSR02L30NXT5G

30

200

DSN2 0201

Ir

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