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飛思卡爾半導體擴大RF功率晶體管產品陣容

發(fā)布時間:2009-06-25

產品特征:
  • 運行頻率為920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率輸出,效率高達42.5%
  • 誤差矢量幅度的均方根值不超過2.1%
  • 增強型的內部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應印刷電路板的變化
適用范圍:
  • 基站收發(fā)器、GSM EDGE無線網
隨著基于LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor,橫向擴散金屬氧化物半導體)技術的三個高性能RF功率晶體管的推出,飛思卡爾半導體擴展了它在GSM EDGE無線網絡方面的投入。這些器件結合了增強功能,使它們輕松集成到放大器內,同時可提供卓越的性能水平。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理Gavin Woods 表示:"隨著行業(yè)向第三和第四代無線業(yè)務不斷邁進,GSM無疑是部署最為廣泛的無線技術。飛思卡爾最新的RF功率晶體管的設計旨在通過提高基站收發(fā)器的效率,幫助全球的GSM運營商提高來自每個用戶的平均收入。"

MRFE6S9046N(920 至 960 MHz)對于GSM EDGE的應用,MRFE6S9046N 的運行頻率為920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率輸出,19 dB 的增益,效率高達42.5%,且誤差矢量幅度的均方根(RMS)值不超過2.1%。它內置在飛思卡爾超模壓塑膠封裝中,該封裝是精確機械公差和成本效率的結合。此外,該封裝是表面安裝的,這使它能夠支持自動化的制造流程。而且,增強型的內部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應印刷電路板的變化。內部輸出匹配不僅在基本頻率上實現(xiàn)了用戶友好的終端阻抗,而且還包括賴以實現(xiàn)更高效率的第二和第三個諧波終端,以符合 F 級放大器的理論。

MRF8S9100H/HS(920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS(1805 至 1880 MHz)這些 28 V 的器件專為 GSM 與 EDGE 系統(tǒng)中的 AB 級與 C 級的操作而設計。在 GSM EDGE 業(yè)務中,MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運行時提供 45 W的平均功率,19.1 dB 的增益,44%的效率以及均方根(RMS)值為2.0%的誤差矢量幅度(EVM)。

在 GSM EDGE 業(yè)務中,MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運行時提供 46 W的平均功率,18.2 dB 的增益,42%的效率以及均方根(EVM)值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內置在結實的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作,而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個器件都是內部匹配的,以簡化電路設計,符合 RoHS規(guī)范,并且還包含內部 ESD 保護電路。

定價和供貨情況
MRFE6S9046N 現(xiàn)已成批生產,而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現(xiàn)在也處于樣品性能試驗階段,預計2009年7月全面投入生產。參考測試設備將與預期于2009年7月生產的大型信號模型一起提供。
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