【導(dǎo)讀】全球汽車市場(chǎng)當(dāng)今的銷售趨勢(shì)仍是傳統(tǒng)燃油車占比約80%，其余的20%都被包括各類混動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車在內(nèi)的新能源汽車所占據(jù)，輕混動(dòng)力汽車是其中最重要的細(xì)分市場(chǎng)之一。
事實(shí)上，輕混動(dòng)力平臺(tái)已經(jīng)是一個(gè)具體的傳統(tǒng)汽車架構(gòu)替代解決方案，因?yàn)檩p混系統(tǒng)滿足了對(duì)更大動(dòng)力儲(chǔ)備的需求，同時(shí)可以降低動(dòng)力系統(tǒng)總體成本。輕混系統(tǒng)有以下優(yōu)勢(shì)：
● 集成了驅(qū)動(dòng)電機(jī)，停車后起步加速更快;
● 幫助啟停系統(tǒng)提高燃油效率;
● 渦輪增壓系統(tǒng)降低尾氣排放;
● 在保養(yǎng)維修和發(fā)生故障時(shí)，比高壓總線解決方案更安全
在STPOWER STripFET 80V-100V功率晶體管中，F(xiàn)7系列已經(jīng)取得AEC-Q101車規(guī)產(chǎn)品認(rèn)證，新的車規(guī)產(chǎn)品已進(jìn)入原型開發(fā)階段。STripFET功率晶體管的開關(guān)性能和能效都很出色，魯棒性足以滿足所有車用要求，是解決 48V-12V DC-DC 功率轉(zhuǎn)換器高頻輻射抗擾度問(wèn)題的正確之選。
輕混架構(gòu)中的 DC-DC轉(zhuǎn)換
在輕混汽車上，DC-DC轉(zhuǎn)換器將48V鋰電池儲(chǔ)存的部分電能轉(zhuǎn)移到12V鉛酸電瓶中，使12V鉛酸電池保持充電狀態(tài)，同時(shí)給低功耗負(fù)載和信息娛樂(lè)系統(tǒng)供電。該轉(zhuǎn)換器還支持電流雙向流動(dòng)，在某些情況下，12V電瓶可以對(duì)48V鋰電池充電，在汽車拋錨時(shí)驅(qū)動(dòng)汽車到達(dá)最近的汽修廠。
該轉(zhuǎn)換器的常見技術(shù)規(guī)格如下：
降壓模式下輸出功率為2kW至3.3kW，升壓模式下輸出功率最高1.5kW;
● 輸出電流約 250A;
● 12V - 14V 輸出電壓;
● 輸入電壓 24V 到 56V;
● 能效高于93%。
圖1所示是多相 DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖。
圖1：多相 DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖
DC-DC轉(zhuǎn)換器一個(gè)電源模塊，組件包括：
● MOSFET半橋(HB)和柵極驅(qū)動(dòng)器，柵極驅(qū)動(dòng)器帶有一個(gè)用于電流檢測(cè)的內(nèi)部比較器;
● 48V鋰電池高壓安全開關(guān)，在發(fā)生故障時(shí)，保護(hù)電驅(qū)系統(tǒng)，斷開系統(tǒng)與鋰電池的連接；該開關(guān)通常是由幾個(gè)80V MOSFET并聯(lián)而成，該開關(guān)要選擇裸片尺寸大、低靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))和高電流處理能力的開關(guān)管;
● 低壓安全開關(guān)，用于斷開系統(tǒng)與12V電瓶的連接，是由幾個(gè)并聯(lián)支路組成，包括兩個(gè)背靠背配置的導(dǎo)通電阻(RDS(on))非常低的40V MOSFET開關(guān)管；
● 控制器，根據(jù)負(fù)載水平負(fù)責(zé)各相之間同步、激活和調(diào)節(jié)，在相轉(zhuǎn)換發(fā)生危險(xiǎn)時(shí)，關(guān)閉系統(tǒng) ;
● 為單相過(guò)流事件和因電池?cái)嚅_而引起的輸出過(guò)壓現(xiàn)象提供更多保護(hù)。
在這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，上橋臂(HS) MOSFET經(jīng)過(guò)了優(yōu)化設(shè)計(jì)，可以提高轉(zhuǎn)換器的開關(guān)性能，降低噪聲輻射，從而改善轉(zhuǎn)換器在輕負(fù)載下的能效，而下橋臂(LS) MOSFET也經(jīng)過(guò)了優(yōu)化設(shè)計(jì)，可以最大限度地降低導(dǎo)通損耗，從而提高轉(zhuǎn)換器在高負(fù)載時(shí)的能效。
因此，48V-12V DC-DC轉(zhuǎn)換器中上下橋臂MOSFET的主要特性可以總結(jié)如下：
● 漏源擊穿電壓(BVDSS)在 80V 到 100V之間;
● 柵極閾值電壓(VGS(th))是標(biāo)準(zhǔn)電壓;
● 上橋臂MOSFET靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))低于7.0mΩ，下橋臂低于3.5mΩ;
● 上橋臂MOSFET的總柵極電荷(QG)非常低;
● 下橋臂MOSFET 的反向恢復(fù)電荷 (Qrr)較低;
● 意法半導(dǎo)體的 PowerFLAT 5x6 封裝用于并聯(lián)多個(gè)MOSFET開關(guān)管，而H2PAK 封裝(2根引線或6根引線)用于單個(gè)開關(guān)管。
上橋臂 MOSFET 的開關(guān)損耗 (PSW) 用以下公式(公式1)計(jì)算：
(1)
其中：
VIN是DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸入電壓;
IOUT 是負(fù)載電流 ;
fSW是轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率;
QG,SW = Qgd + Qgs是導(dǎo)通MOSFET 所需的電荷量(是柵漏電荷 Qgd 和柵源電荷 Qgs 之和）;
IGATE 是MOSFET的柵極電流。
下橋臂MOSFET的導(dǎo)通損耗(PCOND)用以下公式(公式2)計(jì)算：
(2)
其中：
RDSon[T] 是 MOSFET 在工作溫度 T 時(shí)的導(dǎo)通電阻 ;
ID 為MOSFET漏極電流;
D是轉(zhuǎn)換器的占空比。
最小化開關(guān)損耗與優(yōu)化導(dǎo)通損耗之間的最佳折衷方案是下橋臂MOSFET選擇低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的開關(guān)管，上橋臂MOSFET選擇低柵漏電荷(Qgd)的開關(guān)管，這種權(quán)衡考慮對(duì)提升系統(tǒng)能效和抑制電磁干擾(EMI)噪聲輻射有很大的影響。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果
與上一代產(chǎn)品相比，STPOWER STripFET F7系列車規(guī)80V - 100V MOSFET改進(jìn)了米勒效應(yīng)敏感度和電容比(Crss / Ciss)軟度，如圖2所示。
圖 2. F7 系列和上一代產(chǎn)品的電容比波形軟度比較
在續(xù)流階段，MOSFET的漏源電壓(VDS)被固定在體漏二極管的正向?qū)妷?VDS)。在瞬態(tài)關(guān)斷時(shí)，VDS電壓增加，此時(shí)電容比起關(guān)鍵作用。由于在幾乎VDS = 0V時(shí)，電容比下降趨勢(shì)柔和舒緩，而且初始值低，Crss/Ciss比值可以適度抵抗米勒效應(yīng)，并且還有助于最小化MOSFET的亞閾值導(dǎo)通，降低對(duì)EMI的敏感度。
產(chǎn)生EMI輻射的主要因素與體漏極二極管的反向恢復(fù)電荷及其在回彈中的軟度有關(guān)（圖3）。
圖3：F7 MOSFET體二極管的測(cè)量波形
實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，STripFET F7 MOSFET的體漏二極管回零電流波形非常柔和，僅產(chǎn)生幾次振蕩，從而限制了高頻輻射。
此外，采用新技術(shù)制造的車規(guī)80V - 100V MOSFET原型具有良好的開關(guān)性能， VDS電壓尖峰波形平滑，振蕩時(shí)間非常短。圖4所示是輕混系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換器的下橋臂MOSFET和上橋臂MOSFET在fsw = 250kHz時(shí)測(cè)得的開關(guān)波形。
圖4：新的下橋臂MOSFET原型和上橋臂MOSFET原型的開關(guān)波形
上圖顯示，下橋臂MOSFET中 VDS最大尖峰電壓僅為52V（深藍(lán)色線），使用新型MOSFET的DC-DC轉(zhuǎn)換器的實(shí)測(cè)能效達(dá)到94%，如下所示（圖5）。
圖 5.使用新的MOSFET原型的DC-DC轉(zhuǎn)換器的測(cè)量能效
轉(zhuǎn)換器的能效還受到下橋臂MOSFET體漏極二極管反向恢復(fù)電荷的影響。流向體二極管的恢復(fù)電流即使高速變化(di/dt)，新的演進(jìn)技術(shù)也能明顯改進(jìn)能效，如圖6中測(cè)量的恢復(fù)波形所示。
圖 6.新MOSFET原型的恢復(fù)電流測(cè)量波形。
實(shí)際流經(jīng)該二極管的電流是圖6所示的電流10倍，因?yàn)槭褂秒娏骰ジ衅鞑杉疘SD = 60A電流。
這種恢復(fù)電流還在很大程度上決定了轉(zhuǎn)換器的噪聲輻射速率，因?yàn)樵陔娏骰亓銜r(shí)，恢復(fù)電流是振蕩引起的高頻噪聲的主要根源。近場(chǎng)噪聲輻射測(cè)量試驗(yàn)突出了新MOSFET原型的EMI抗擾度，并將噪聲輻射速率與F7系列器件進(jìn)行了比較。當(dāng)器件以大約15A的電流開關(guān)時(shí)，半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的下橋臂MOSFET實(shí)驗(yàn)噪聲輻射頻譜如圖7所示，上橋臂MOSFET實(shí)驗(yàn)噪聲輻射頻譜如圖8所示。
圖 7.下橋臂 F7和新MOSFET原型的測(cè)量噪聲輻射頻譜比較
圖 8. 上橋臂 F7系列和新MOSFET原型的測(cè)量噪聲輻射頻譜比較
兩張圖顯示在與應(yīng)用開關(guān)條件對(duì)應(yīng)的較低頻率下，噪聲輻射速率值較高，而在1MHz以上的較高頻率時(shí)，上橋臂的新產(chǎn)品原型在相同的電路板和工作條件(開關(guān)頻率，電流和偏置電壓)下噪聲輻射速率略低與于同級(jí)F7器件。
結(jié)論
對(duì)于輕混動(dòng)力系統(tǒng)，新產(chǎn)品原型改善了開關(guān)特性，降低了功率損耗，保證DC-DC轉(zhuǎn)換器的能效更高。此外，它們保留體漏二極管的良好性能不變，具有STripFET F7 MOSFET一樣的反向恢復(fù)電荷和軟度，有助于最大限度地減少高頻輻射，這是任何汽車電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中理想的且廣泛認(rèn)可的特性之一。
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作者：Filippo Scrimizzi and Giusy Gambino, 意法半導(dǎo)體意大利Catania分公司
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