layer1： 器件 器件

layer2： signal 大部分地址和數(shù)據(jù)signal、部分模擬線（對(duì)應(yīng)3層是地）

layer3： GND 部分走線（包括鍵盤面以及2層走不下的線）、GND

Layer4： 帶狀線 需穿過(guò)射頻的基帶模擬控制線(txramp_rf、afc_rf)、音頻線、基帶主芯片之間的模擬接口線、主時(shí)鐘線

Layer5： GND GND

Layer6： 電源層VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、VCORE(80mA) 、VABB(50mA)、VSIM(20mA) 、VVCXO（10mA）

Layer7： signal 鍵盤面的走線

Layer8： 器件 器件

 

二．具體布線要求

 

1．總原則：

 

布線順序：射頻帶狀線及控制線（天線處）――基帶射頻模擬接口線（txramp_rf、afc_rf）――基帶模擬線包括音頻線與時(shí)鐘線――模擬基帶和數(shù)字基帶接口線――電源線――數(shù)字線。

 

2. 射頻帶狀線及控制線布線要求

 

RFOG、RFOD網(wǎng)絡(luò)為第四層的帶狀線，線寬為3mil，其上下兩層均用地包住，帶狀線寬度根據(jù)實(shí)際板材厚度、以及走線長(zhǎng)來(lái)確定；由于帶狀線均需打2～7的孔，注意底層在這些孔附近用地包住，并且其他層走線不要離這些孔太近；

RX_GSM、RX_DCS、RX_PCS網(wǎng)絡(luò)為頂層射頻接收信號(hào)線，線寬走8mil；RFIGN、RFIGP、RFIDN、RFIDP、RFIPN、RFIPP網(wǎng)絡(luò)為頂層和第二層射頻接收信號(hào)線，定層線寬走8mil，第二層線寬走4mil；

GSM_OUT、DCS_OUT、TX_GSM、TX_DCS/PCS網(wǎng)絡(luò)為頂層功放輸出發(fā)射信號(hào)線，線寬走12mil為宜；

天線開關(guān)輸出到測(cè)試座、天線觸點(diǎn)的頂層信號(hào)線ANT_1、ANT_2、ANT_3、ANT，線寬為12mil為宜。

 

3. 與射頻接口模擬線 （走四層）

 

TXRAMP_RF、AFC_RF網(wǎng)絡(luò)的走線盡量加粗且兩邊用地線圍住，線寬走6mil；

QN_RF、QP_RF；IN_RF、IP_RF為兩對(duì)差分信號(hào)線，請(qǐng)線長(zhǎng)盡可能相等，且盡可能間距相等，在第四層的走線寬為6mil。

 

4. 重要的時(shí)鐘線（走四層）

 

13MHz的晶體U108以及石英晶體G300部分為噪聲敏感電路，其下面請(qǐng)盡量減少信號(hào)走線。

石英晶體G300的兩個(gè)端子OSC32K_IN、OSC32K_OUT步線時(shí)注意要平行走線，離D300越近越好。請(qǐng)注意32K時(shí)鐘的輸入和輸出線一定不能交叉。

SIN13M_RF、CLK13M_IN、CLK13M_T1、CLK13M_T2、CLK13M_IN_X、CLK13M_OUT網(wǎng)絡(luò)的走線請(qǐng)盡量短，兩邊用地線圍住，走線的相鄰兩層要求都是地。

時(shí)鐘建議走8mil

 

5．下列基帶模擬線（走四層）

 

以下是8對(duì)差分信號(hào)線：

RECEIVER_P、RECEIVER_N； SPEAKER_P、SPEAKER_N； HS_EARR、 HS_EARL ；HS_EARR_T1、 HS_EARL_T1 ；HS_MICP、HS_MICN；MICP、MICN；USB_DP、USB_DN；USB_DP_T1、USB_DN_T1；USB_DP_X、USB_DN_X；  

為避免相位誤差，線長(zhǎng)盡可能相等，且盡可能間距相等。

BATID是AD采樣模擬線，請(qǐng)走6mil；

TSCXP、TSCXM、TSCYP、TSCYM四根模擬線也按照差分信號(hào)線走，請(qǐng)走6mil。

 

6． AGND與GND分布(?)

 

AGND和GND網(wǎng)絡(luò)在原理圖中沒(méi)有連在一起，布板完成之后用銅箔連起來(lái)，具體位置如下：

D301芯片底部布成模擬地AGND。模擬地AGND和數(shù)字地GND在D301的AGND(PIN G5)附近連接。

D400芯片底部布成MIDI模擬地MIDIGND，MIDI模擬地MIDIGND和數(shù)字地GND在D400的16管腳附近連接。

AGND最好在50mil以上。

 

7. 數(shù)字基帶與模擬基帶之間的重要接口線：

 

VSDI、VSDO、VSFS、BSIFS、BSDI、BSDO、BSOFS、ASDI、ASFS、ASDO為高速數(shù)據(jù)線，線盡可能短、寬(6mil以上)、且線周圍敷銅；

BUZZER、ASM、ABB_INT、RESET、ABB_RESET為重要的信號(hào)線，請(qǐng)走至少6mil的線，短且線周圍敷銅；

 

8．?dāng)?shù)字基帶和外圍器件之間重要接口線

 

LCD_RESET、 SIM_RST、CAMERA_RESET、MIDI_RST、NFLIP_DET、MIDI_IRQ、IRQ_CAMERA_IO、IRQ_CAMERA_IO_X、PENIRQ為復(fù)位信號(hào)和中斷信號(hào)，請(qǐng)走至少6mil的線。

POWE_ON/OFF走至少6mil的線。

 

9．電源： 

 

(1)負(fù)載電流較大的電源信號(hào)（走六層）：下列電源信號(hào)負(fù)載電流依次減小，最好將其在電源層分割： CHARGE_IN、VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、VCORE(80mA) 、VABB(50mA)、VSIM(20mA) 、VVCXO（10mA），需要走線時(shí)VBAT、CHARGE_IN最好40以上。

(2)負(fù)載電流較小的電源信號(hào)：VRTC、VMIC電流較小，可布在信號(hào)層。

(3)充電電路：與XJ600相連的VBAT 、CHARGE_IN，與VT301相連的ISENSE 電源輸線，電流較大，線請(qǐng)布寬一點(diǎn)，建議16mil。

(4)鍵盤背光： KB_BACKLIGHT、KEYBL_T1有50mA電流， R802~R809、VD801~VD808流過(guò)的電流是5mA，走線時(shí)要注意。

（5）馬達(dá)驅(qū)動(dòng)：VIBRATOR、VIBRATOR_x網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是100mA。

（6）LCD背光驅(qū)動(dòng)：LCD_BL_CTRL、LCD_BL_CTRL_X網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是60mA.

（7）七色燈背光驅(qū)動(dòng)：LPG_GREEN、LPG_RED、LPG_BLUE、LPG_RED_FPC、LPG_GREEN_FPC、LPG_BLUE_FPC、LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是5mA，建議走6mil；LPG_OUT流過(guò)電流是20mA，建議走8 mil以上，并遠(yuǎn)離模擬信號(hào)走線和過(guò)孔。

 

10.關(guān)于EMI走線

 

（1）Z701,Z702,Z703的輸出網(wǎng)絡(luò)在到達(dá)XJ700之前請(qǐng)走在內(nèi)層，盡量走在2層，然后在XJ700管腳附近打via2~1的孔，打到TOP層。

（2） 從RC濾波走出來(lái)的網(wǎng)絡(luò)LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x、VIBRATOR_x、NCS_MAIN_LCD_x、NCS_SUB_LCD_x、ADD01_x在到達(dá)XJ700之前請(qǐng)走在內(nèi)層，走在3層或者6層或7層，然后在XJ500管腳附近打孔，打到TOP層。

（3）鍵盤矩陣的網(wǎng)絡(luò)不能在第八層走線，盡量走在第七層，第七層走不下可以走到第三層。

（4）鍵盤面底部和頂部耳機(jī)部分的走線盡量在第八層少走線。希望鍵盤面到時(shí)可以大面積鋪地。

（5）SIM卡XJ601下面（在表層）盡量大面積鋪地，少走信號(hào)線。

 

11.元器件外圍屏蔽條為0.7mm，屏蔽條之間間隔0.3mm，焊盤距離屏蔽條0.4mm，該位置已留出。

 

12.基帶共有2個(gè)BGA器件，由于BGA導(dǎo)電膠只能從一個(gè)方向滴膠，所以以射頻面為正面，統(tǒng)一在BGA的左側(cè)留出了0.7mm的滴膠位置。

 

13．20H原則。電源平面比地平面縮進(jìn)20H。

 

14．過(guò)孔尺寸：1~2,7~8層過(guò)孔是0.3mm/0.1mm, 其余過(guò)孔是0.55mm/0.25mm。

 

15．頂層PCB邊緣要有1.5-2mm的寬的接地條，并打孔。

 

16．在敷完銅后，用過(guò)孔將各個(gè)層的地連接起來(lái)。

 

17. 注意相鄰層盡量避免平行走線，特別是對(duì)第四層的線而言，第三層走線要特別小心。