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跟名家學(xué)電磁兼容——標(biāo)準(zhǔn)、設(shè)計(jì)、故障分析

發(fā)布時(shí)間:2011-12-24 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

中心議題:

  • 新老基礎(chǔ)性抗擾度標(biāo)準(zhǔn)差異性的解讀
  • 電子、電氣產(chǎn)品EMC的工程設(shè)計(jì)
  • 電磁騷擾問(wèn)題的故障點(diǎn)定位分析
  • 電磁兼容與EMI抑制器件技術(shù)

電子產(chǎn)品電磁兼容性指標(biāo)是否合格,直接關(guān)系到產(chǎn)品能否上市。隨著芯片速率和集成度的不斷提高,高密度電子組裝技術(shù)的廣泛采用,電子產(chǎn)品 “輕、薄、短、小”和高功能化發(fā)展使工程師的電磁兼容設(shè)計(jì)面臨巨大的挑戰(zhàn)。

本期專題邀請(qǐng)到EMC/EMI領(lǐng)域的資深專家,從前期需要了解的電磁兼容國(guó)家新老標(biāo)準(zhǔn)的差異化解讀、電子產(chǎn)品EMC的工程設(shè)計(jì)、關(guān)鍵電子元件電磁兼容性能提升,到后期產(chǎn)品認(rèn)證面臨電磁騷擾問(wèn)題的故障點(diǎn)定位分析,系統(tǒng)的幫助工程師快速完成從電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)了解、設(shè)計(jì)、故障分析及整改到最后通過(guò)測(cè)試獲得EMC測(cè)試認(rèn)證證書(shū)的過(guò)程。
跟名家學(xué)電磁兼容——標(biāo)準(zhǔn)、設(shè)計(jì)、故障分析

此次參與電子元件技術(shù)網(wǎng)EMC/EMI教學(xué)的電磁兼容專家包括:
  • 國(guó)內(nèi)著名EMC專家教授                                  錢振宇
  • 中國(guó)電子學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員EMC首席專家                      馬永健
  • 工信部電子五所賽寶電磁兼容室主任                     朱文立
  • 哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院副教授                     和軍平

錢振宇:解讀新老基礎(chǔ)性抗干擾度標(biāo)準(zhǔn)差異性

目前電磁兼容抗干擾國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)新舊版并存,不少企業(yè)對(duì)新舊版本差異以及如何理解這些差異不甚清楚,一旦新的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)頒布便會(huì)措手不及,甚至造成不可估量的損失。企業(yè)需要對(duì)這些新舊標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容進(jìn)行了解,全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員錢振宇教授從以下幾方面進(jìn)行新老基礎(chǔ)性抗干擾度標(biāo)準(zhǔn)差異性的解讀,并給出標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中可能遇到問(wèn)題的解決方法:
  • 靜電放電抗擾度試驗(yàn):包括不接地設(shè)備的試驗(yàn)方法、對(duì)試品的直接放電和對(duì)水平耦合板的放電試驗(yàn)。
  • 射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn):包括試驗(yàn)的嚴(yán)酷度等級(jí)和試驗(yàn)場(chǎng)地的校準(zhǔn)。
  • 脈沖群抗擾度試驗(yàn):包括脈沖群發(fā)生器的特性參數(shù)、耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、實(shí)驗(yàn)室型式試驗(yàn)的配置、試驗(yàn)方法。
  • 浪涌抗擾度試驗(yàn):包括電源線耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)EUT端口的電壓波形和電流波形的要求、用在互連線試驗(yàn)上的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、針對(duì)高速通信線路的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、新版標(biāo)準(zhǔn)中增加了對(duì)金屬接地參考平板的要求,并對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中可能遇到安裝浪涌測(cè)試設(shè)備后實(shí)驗(yàn)室的跳閘問(wèn)題、浪涌輸出與浪涌發(fā)生器機(jī)殼浮空的問(wèn)題、殼絕緣設(shè)備的共模試驗(yàn)問(wèn)題、DC/DC變換器的浪涌試驗(yàn)問(wèn)題、被試設(shè)備的浪涌電壓施加問(wèn)題提出了解決方案。
  • 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)


馬永?。涸诋a(chǎn)品設(shè)計(jì)的初始階段進(jìn)行EMC的工程設(shè)計(jì)


為獲得電子產(chǎn)品的EMC測(cè)試認(rèn)證證書(shū),很多企業(yè)沿用著測(cè)試-整改-測(cè)試的方法,進(jìn)行產(chǎn)品的EMC測(cè)試試驗(yàn)。但此法增加產(chǎn)品的重量和成本、無(wú)法解決信號(hào)頻率與騷擾頻率一致時(shí),還可能影響產(chǎn)品的安全性、使整改無(wú)效。中國(guó)電子學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員EMC首席專家、深圳蘭博濾波科技有限公司總經(jīng)理馬永健大力提醒大家:“產(chǎn)品的EMC是設(shè)計(jì)出來(lái)的,不是測(cè)試出來(lái)的!電子、電氣產(chǎn)品的EMC問(wèn)題不應(yīng)該放在測(cè)試階段予以解決,應(yīng)該早在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)初始階段就進(jìn)行EMC設(shè)計(jì)。”

馬永健推薦企業(yè)在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段建立規(guī)范的EMC設(shè)計(jì)體系,采用一套系統(tǒng)的電磁兼容性設(shè)計(jì)流程,評(píng)估、預(yù)測(cè)、分析、設(shè)計(jì)產(chǎn)品的EMC問(wèn)題,在產(chǎn)品設(shè)計(jì)的各個(gè)階段進(jìn)行EMC綜合設(shè)計(jì),把可能出現(xiàn)的EMC問(wèn)題放在研發(fā)前期進(jìn)行考慮,確保產(chǎn)品樣品出來(lái)后,能夠一次性通過(guò)EMC試驗(yàn)與認(rèn)證,縮短產(chǎn)品的面市周期。為幫助企業(yè)在產(chǎn)品EMC設(shè)計(jì)各階段的各技術(shù)環(huán)節(jié)編制相應(yīng)的EMC設(shè)計(jì)規(guī)則和EMC設(shè)計(jì)規(guī)范,指導(dǎo)產(chǎn)品EMC的工程設(shè)計(jì),馬永健給出了目前比較成熟的EMC設(shè)計(jì)系統(tǒng)示例(主要采用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查的方式)。詳細(xì)的EMC的工程設(shè)計(jì)介紹請(qǐng)查看:電子、電氣產(chǎn)品EMC的工程設(shè)計(jì)

朱文立:快速定位分析電磁騷擾問(wèn)題的故障點(diǎn)

產(chǎn)品出現(xiàn)電磁兼容問(wèn)題常常難以避免,解決這一問(wèn)題需要從電磁干擾常見(jiàn)問(wèn)題、產(chǎn)品構(gòu)成和內(nèi)部結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品測(cè)試的不合格曲線等幾個(gè)方面分析。掌握基本的一些思路之后,定位電磁兼容問(wèn)題故障就會(huì)比較簡(jiǎn)單,整改也能更順利完成,從而加快產(chǎn)品設(shè)計(jì)定型或認(rèn)證上市的進(jìn)度。

工信部電子五所賽寶質(zhì)量安全檢測(cè)中心電磁兼容室朱文立主任結(jié)合20多年EMC的實(shí)用經(jīng)驗(yàn),從產(chǎn)品內(nèi)主要電磁騷擾源分析騷擾源定位、產(chǎn)品連續(xù)傳導(dǎo)發(fā)射問(wèn)題故障定位、產(chǎn)品斷續(xù)傳導(dǎo)發(fā)射問(wèn)題故障定位、產(chǎn)品輻射騷擾問(wèn)題故障定位、騷擾功率問(wèn)題故障定位6大方面教大家如何從容應(yīng)對(duì)電磁騷擾問(wèn)題故障。具體的電磁騷擾問(wèn)題故障點(diǎn)定位分析方法請(qǐng)查看這篇深受好評(píng)的文章:電磁騷擾問(wèn)題的故障點(diǎn)定位分析【圖文】

和軍平:關(guān)注電磁兼容與EMI抑制器件技術(shù)

除了設(shè)計(jì)改進(jìn),關(guān)鍵電子元件的技術(shù)與性能提升也是解決電磁兼容問(wèn)題的關(guān)鍵。哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院和軍平副教授表示,針對(duì)電磁兼容法規(guī)日益嚴(yán)格、電氣電子產(chǎn)品體積不斷縮小的壓力,新型高效能、小體積的EMI抑制器件將逐步成為發(fā)展趨勢(shì):EMC標(biāo)準(zhǔn)的提升,要求抑制器件的高頻性能進(jìn)一步提升;EMI的小型化主要受電源原始噪聲大小、電感與電容體積影響,通過(guò)采用新型磁材料、平面化集成設(shè)計(jì)、混合濾波器設(shè)計(jì)等方式,可以有效減小其體積。

和軍平向大家介紹電磁兼容的新進(jìn)展、提出EMI濾波器的常見(jiàn)問(wèn)題、發(fā)展趨勢(shì)及改善EMI濾波器性能的辦法;從濾波器L/C器件性能影響因素、L磁飽和/頻率的影響、LC溫度的影響、濾波器L/C器件雜散耦合的影響、寄生參數(shù)/耦合的抑制五大方面分析無(wú)源EMI濾波器高頻性能的改善設(shè)計(jì)方案;并介紹了平面集成設(shè)計(jì)(電磁集成、電容、電感集成)及混合集成設(shè)計(jì)兩大EMI濾波器小型化設(shè)計(jì)技術(shù)。詳細(xì)的內(nèi)容請(qǐng)查看:電磁兼容與EMI抑制器件技術(shù)
 

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