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如何通過(guò)集成多路復(fù)用輸入ADC搞掂空間受限的挑戰(zhàn)？
工業(yè)、儀器儀表、光通信和醫(yī)療保健行業(yè)有越來(lái)越多的應(yīng)用開(kāi)始使用多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，導(dǎo)致印刷電路板 (PCB) 密度和熱功耗方面的挑戰(zhàn)進(jìn)一步加大。這些應(yīng)用對(duì)高通道密度的需求，推動(dòng)了高通道數(shù)、低功耗、小尺寸集成數(shù)據(jù)采集解決方案的發(fā)展，還要求精密測(cè)量、可靠性、經(jīng)濟(jì)性和便攜性。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在性...
2024-06-19
集成多路復(fù)用 ADC
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SW與電感之間的鋪銅面積越大越好嗎？
開(kāi)關(guān)電源是以功率MOS為核心的電能變換器，除了芯片自身的參數(shù)會(huì)對(duì)電能質(zhì)量產(chǎn)生較大影響外，PCB的設(shè)計(jì)也是非常重要。
2024-06-19
SW 電感 開(kāi)關(guān)電源 功率MOS 電能變換器
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直流式固態(tài)繼電器的工作原理和電路圖
直流式固態(tài)繼電器是一種集成了無(wú)觸點(diǎn)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)電路的電子開(kāi)關(guān)裝置。它通過(guò)低能耗信號(hào)來(lái)控制直流電路，實(shí)現(xiàn)電路中電流的開(kāi)關(guān)控制。
2024-06-19
直流式固態(tài)繼電器
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華東站來(lái)襲!2024中國(guó)智能家居技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)報(bào)名開(kāi)始!
想要了解智能家居產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢(shì)?想要掌握智能家居關(guān)鍵元器件技術(shù)?想要與行業(yè)精英交流合作?智能家居技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)華東站邀您探討智能家居發(fā)展新機(jī)遇!
2024-06-18
智能家居峰會(huì)
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借助智能功率模塊系列提高白色家電的能效
CIPOS? Mini IM523系列是一個(gè)全新的智能功率模塊（IPM）系列，這些產(chǎn)品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過(guò)集成第二代逆導(dǎo)型IGBT，可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)能效。IM523智能功率模塊具有一個(gè)帶自舉功能的集成式絕緣體上硅柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)可向控制器提供模擬反饋信號(hào)的溫度監(jiān)測(cè)器，從而最大限度...
2024-06-17
智能功率模塊 白色家電
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揭秘?zé)嵩O(shè)計(jì)集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵密碼
本文將帶您深入探討設(shè)計(jì)工程師在熱設(shè)計(jì)過(guò)程中需要關(guān)注的一些關(guān)鍵問(wèn)題。具體來(lái)說(shuō)，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問(wèn)題。
2024-06-13
熱設(shè)計(jì) 集成電路設(shè)計(jì)
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貿(mào)澤新一期EIT系列帶你了解軟件定義車(chē)輛的Zonal架構(gòu)
隨著汽車(chē)技術(shù)采用的電子元器件數(shù)量不斷增加，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始采用Zonal架構(gòu)來(lái)充分提升各個(gè)子系統(tǒng)的效率，同時(shí)能夠更輕松地管理整車(chē)的硬件和軟件棧。專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出新一期Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)...
2024-06-13
貿(mào)澤 EIT系列 車(chē)輛 Zonal架構(gòu)
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凱澤斯勞滕理工大學(xué)通過(guò)全新DDS固件選項(xiàng)加速量子計(jì)算機(jī)開(kāi)發(fā)進(jìn)程
中國(guó)北京，2024年6月12日訊 —— 創(chuàng)建量子計(jì)算機(jī)（QC）的方法有很多，凱澤斯勞滕理工大學(xué)在Rymax One合作中采用的方法就是創(chuàng)建一個(gè)由單個(gè)原子組成的陣列，并將這些原子作為量子位使用。然而，其挑戰(zhàn)在于每個(gè)原子的定位必須十分精準(zhǔn)。因此，凱澤斯勞滕理工大學(xué)使用了激光，并將每個(gè)原子都有效地鎖定在...
2024-06-12
全新DDS固件
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MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書(shū)中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高壓CV IGBT BJT
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