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用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。
2024-12-13
矩陣開關(guān) 熱載流子
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如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管
ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過(guò)去幾年中沒(méi)有變化，但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過(guò)去，IC 設(shè)計(jì)對(duì) ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級(jí)要...
2024-12-12
ESD 保護(hù)二極管
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第11講：三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-12
三菱電機(jī) 工業(yè) SiC 芯片技術(shù)
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（七）——熱等效模型
有了熱阻熱容的概念，自然就會(huì)想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時(shí)，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來(lái)描述。一個(gè)帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個(gè)散熱通路還包括導(dǎo)熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時(shí)間尺度下的各層溫度如下圖，溫度的紋波是由熱容決定的。
2024-12-11
功率器件 熱設(shè)計(jì) 熱等效模型
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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：調(diào)諧放大器級(jí)—第2部分
正如我們?cè)谏弦唤M實(shí)驗(yàn)中了解到的，二階LC諧振電路通常用作放大器級(jí)中的調(diào)諧元件。如圖1所示，簡(jiǎn)單的并聯(lián)LC諧振電路可以產(chǎn)生電壓增益，但需要消耗電流來(lái)驅(qū)動(dòng)阻性負(fù)載。緩沖放大器（如射極跟隨器）可以提供所需的電流（或功率）增益來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載。
2024-12-11
ADALM2000 調(diào)諧放大器
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
功率器件 熱容
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如何利用英飛凌MOTIX embedded power硬件機(jī)制標(biāo)定小電機(jī)ECU
英飛凌MOTIX? MCU專為實(shí)現(xiàn)一系列電機(jī)控制應(yīng)用的機(jī)電電機(jī)控制解決方案而設(shè)計(jì)，在這些應(yīng)用中，小尺寸封裝和最少數(shù)量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車窗升降器，天窗，雨刮器 ，燃油泵，HVAC風(fēng)扇，發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)扇，水泵。由于電機(jī)量產(chǎn)的參數(shù)的非一致性。需要對(duì)這些小電機(jī)進(jìn)行產(chǎn)線級(jí)別標(biāo)定。以...
2024-12-04
英飛凌 MOTIX 小電機(jī)ECU
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簡(jiǎn)單的無(wú)源衰減器
衰減器與放大器相反，因?yàn)樗鼈儠?huì)降低增益，而電阻分壓器電路是典型的衰減器。給定網(wǎng)絡(luò)中的衰減量由以下比率確定：輸出/輸入。例如，如果電路的輸入電壓為 1 伏 (1V)，輸出電壓為 1 毫伏 (1mV)，則衰減量為 1mV/1V，等于 0.001 或減少 1,000 分之一。
2024-12-04
無(wú)源衰減器
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采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性能
實(shí)時(shí)微控制器 (MCU) 在幫助高壓汽車和能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)滿足電源效率、功率密度和安全設(shè)計(jì)要求方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。無(wú)論是車載充電器 (OBC) 還是不間斷電源 (UPS)，這些設(shè)備都必須在惡劣環(huán)境中為時(shí)間關(guān)鍵型任務(wù)提供快速、確定性的性能。
2024-12-03
C29 內(nèi)核 MCU 高壓系統(tǒng)
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