【導讀】服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數字外設?；谛录夹g的下一代 STM32 微控制器的首款產品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。
· 首款采用新技術的 STM32 微控制器將于 2024 下半年開始向部分客戶出樣片
· 18nm FD-SOI制造工藝與嵌入式相變存儲器(ePCM)組合，實現性能和功耗雙飛躍
2024年3月26日，中國-- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數字外設?；谛录夹g的下一代 STM32 微控制器的首款產品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。
意法半導體微控制器、數字IC和射頻產品部總裁Remi El-Ouazzane表示：“作為處于半導體行業(yè)前沿的創(chuàng)新企業(yè)，意法半導體率先為客戶帶來汽車級和航天級FD-SOI和PCM技術。我們的下一步行動是，從下一代 STM32 微控制器開始，讓工業(yè)應用開發(fā)者也能享受到這兩項先進技術帶來的諸多好處?！?/p>
技術優(yōu)勢
與目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工藝極大地提高了關鍵的品質因數：
· 性能功耗比提高 50% 以上
· 非易失性存儲器 (NVM)密度是現有技術的2.5 倍，可以在片上集成容量更大的存儲器
· 數字電路密度是現有技術的三倍，可以集成人工智能、圖形加速器等數字外設，以及最先進的安全保護功能
· 噪聲系數改善 3dB，增強了無線 MCU 的射頻性能
該技術的工作電源電壓是3V，可以給電源管理、復位系統、時鐘源和數字/模擬轉換器等模擬功能供電，是20 納米以下唯一支持此功能的半導體工藝技術。
該技術的耐高溫工作、輻射硬化和數據保存期限已經過汽車市場的檢驗，能夠滿足工業(yè)應用對可靠性的嚴格要求。
FD-SOI和PCM技術詳情訪問意法半導體官網ST.com。
能為STM32 微控制器開發(fā)者和客戶帶來哪些益處？
這種具有成本競爭力的技術將給開發(fā)人員帶來新型的高性能、低功耗、無線 MCU。大存儲容量支持市場對邊緣人工智能處理、多射頻協議棧、無線更新和高級安全功能的日益增長的需求。高處理性能和大存儲容量將激勵目前正在使用微處理器開發(fā)產品的開發(fā)者轉向集成度更高且成本效益更高的微控制器。這項新技術將進一步提高超低功耗設備的能效，意法半導體的產品組合目前在這個市場處于優(yōu)勢地位。
基于該技術的首款微控制器將集成ARM最先進的 ARM? Cortex?-M內核，為機器學習和數字信號處理應用帶來更強的運算性能。該產品將具有快速、靈活的外部存儲器接口、先進的圖形功能，并將集成眾多模擬和數字外設，還將有意法半導體最新MCU上已經引入的先進的經過認證的安全功能。
關于意法半導體
意法半導體擁有5萬名半導體技術的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)產品和解決方案，共同構建生態(tài)系統，幫助他們更好地應對各種挑戰(zhàn)和新機遇，滿足世界對可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導體的技術讓人們的出行更智能，讓電源和能源管理更高效，讓云連接的自主化設備應用更廣泛。意法半導體承諾將于2027年實現碳中和(在范圍1和2內完全實現碳中和，在范圍3內部分實現碳中和)。
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