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ESD問題及抑制解決方案

發(fā)布時(shí)間:2014-09-01 責(zé)任編輯:stone

【導(dǎo)讀】人們?nèi)找嬷匾曤娮赢a(chǎn)品在靜電釋放(ESD)情況下的可靠性。 在IC芯片制造間、電路板安裝車間以及工作現(xiàn)場(chǎng),ESD對(duì)終端產(chǎn)品的長(zhǎng)效功能始終存在威脅。

什么是ESD?

靜電放電(ESD)是兩個(gè)物體之間的電荷轉(zhuǎn)移現(xiàn)象。 最常見的實(shí)例就是當(dāng)人走過地毯,然后觸碰門的把手或文件柜等金屬物體時(shí)出現(xiàn)的靜電沖擊。 在觸碰點(diǎn)可以感覺到“沖擊”,通常伴隨有微小的火花和噼啪聲。

什么是ESD?

圖一 什么是ESD

ESD事件的產(chǎn)生過程從靜電的生成開始。 當(dāng)一種材料(本例中為人的鞋底) 與另一種材料(覆蓋地毯的地面)接觸后再分離時(shí),就會(huì)產(chǎn)生一種電荷不均衡現(xiàn)象。 鞋底與地毯之間相互接觸會(huì)使人的體表形成電子堆積,而地面由于釋放電子而帶上正電。

靜電達(dá)到峰值前或人體與不同電勢(shì)的物體表面(本例中為金屬文件柜)接觸前,其靜電不斷聚集。 然后,靜電在靜電放電事件中從人體轉(zhuǎn)移走。

ESD不同于其他常見的過壓事件(開關(guān)和瞬態(tài)浪涌),因?yàn)榘l(fā)生ESD時(shí),電流和電壓從零變?yōu)樽畲笾档臅r(shí)間非常短暫。 ESD事件的上升時(shí)間短于1納秒,而其他瞬態(tài)現(xiàn)象中達(dá)到峰值的時(shí)間則長(zhǎng)于1微妙。

國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)已開發(fā)出人為ESD事件的模型。該模型用于IEC測(cè)試,以確定(計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)、手機(jī)、機(jī)頂盒等)是否存在ESD隱患。 測(cè)試規(guī)格量化了將ESD導(dǎo)入系統(tǒng)的方法以及定義ESD事件的各種電壓和電流。 請(qǐng)?jiān)俅瘟粢釫SD的上升時(shí)間有多快! 

什么是ESD?

圖二 ESD警示圖標(biāo)

ESD抑制解決方案

靜電放電(ESD)危險(xiǎn)與抑制簡(jiǎn)介


人們?nèi)找嬷匾曤娮赢a(chǎn)品在靜電釋放(ESD)情況下的可靠性。 在IC芯片制造間、電路板安裝車間以及工作現(xiàn)場(chǎng),ESD對(duì)終端產(chǎn)品的長(zhǎng)效功能始終存在威脅。
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生產(chǎn)環(huán)境中的電路保護(hù)

在制造車間和電路板組裝場(chǎng)所,人們通常使用兩種策略來抑制ESD。 首先,在設(shè)計(jì)時(shí)將ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)融合到集成電路中。 其次,通過防靜電服裝和環(huán)境改善(濕度/電離控制)等措施進(jìn)一步增強(qiáng)對(duì)靜電放電的耐受性。 如果執(zhí)行得當(dāng),這些措施可以確保人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)和充電裝置模型(CDM)等ESD保護(hù)收到良好的效果。

生產(chǎn)環(huán)境中的電路保護(hù)

圖三 生產(chǎn)環(huán)境中的電路保護(hù)

終端產(chǎn)品使用中的電路保護(hù)

能在HBM/MM/CDM情況下安全使用的電路難以保證其在實(shí)際ESD情況下依然沒有問題;終端產(chǎn)品(PDA、計(jì)算機(jī)、手機(jī)等)可能深受ESD影響。 如IEC 61000-4-2試驗(yàn)規(guī)范中列出的由用戶造成的ESD事故遠(yuǎn)比生產(chǎn)車間/組裝廠的ESD事故嚴(yán)重。

終端產(chǎn)品使用中的電路保護(hù)

圖四 終端產(chǎn)品使用中的電路保護(hù)

由于電壓和電流的應(yīng)力增加,用戶造成的ESD事件可能引起IC的電氣擾亂或徹底損壞。 通常采用抑制類產(chǎn)品來提高IC對(duì)用戶造成的ESD事件的耐受性。 這些裝置強(qiáng)化了IC板載ESD的能力,因此中斷產(chǎn)品即使在嚴(yán)重的靜電放電情況下也依然可以可靠地發(fā)揮作用。

ESD應(yīng)用知識(shí)

為使電路設(shè)計(jì)師找到與其設(shè)計(jì)電路的特征最匹配的抑制方案,開發(fā)廠商一般提供徹底的應(yīng)用支持技術(shù),并生產(chǎn)了基于陶瓷技術(shù)、硅控技術(shù)和聚合體技術(shù)的若干系列的ESD抑制產(chǎn)品。

因?yàn)樗性O(shè)備和電路都有所不同,所以無法使用單一的瞬態(tài)電壓抑制技術(shù)來解決所有問題。 瞬態(tài)電壓抑制器需要考慮的一些重要因素(因采用的技術(shù)而異)包括電容、泄露電流、箝位電壓和封裝外形。

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