【導讀】近年來，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增 加，因為燃料資源變得更為緊缺，公用事業(yè)公司因此而漲價。為了將從電網(wǎng)獲得的功率提升至最高，并因此使電費賬單支出受控及減少碳排放，付出更多努力來為室 內(nèi)環(huán)境開發(fā)更高能效的電器就至關(guān)重要了。
電磁感應加熱爐具(以下簡稱“電磁爐”)使用電磁產(chǎn)生的熱能來烹調(diào)，其能效比我們熟悉的標準家用電熱鍋高得多。此外，由于是通過感應而非傳導來產(chǎn)生熱量 ，其安全性也被證實更高，因為任何人體部位置于炊具表面都不會被燒傷。
電磁感應加熱的原理
圖1描繪了電磁感應加熱應用使用的典型準諧振反激拓撲結(jié)構(gòu)。電磁能量產(chǎn)生并使用感應方式來傳遞至鍋具。然后在鍋具中轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮埽蚨o鍋具加熱。觸發(fā)加熱過程的感應涉及到使用二極管等未受控的開關(guān)器件來對相對低頻的交流線路輸入電壓進行整流。在20 kHz至35 kH之間的頻率對整流電壓進行開關(guān)，提供高頻磁通量。鍋具充當耗散能量的磁心，將磁場轉(zhuǎn)換為熱能。產(chǎn)生及傳遞此熱能的主要組件就是鍋具、電感、諧振電容及絕緣門雙極晶體管(IGBT)。
圖1：電磁爐的單端拓撲結(jié)構(gòu)框圖
當要產(chǎn)生將熱能傳遞給鍋具所要求的磁場時，電感繞組的幾何尺寸極為重要。電感繞組為螺旋形，并在水平面彼此纏繞。這種配置增加了磁通量的表面積，并使加熱過 程具有更高能效。通過使用以相等間距布設在電感繞組周圍的矩形鐵氧體磁棒，進一步增強了鍋具上這些磁通線的稠密度。多個小型導體的使用將趨膚效應 (skin effect)減至最小，并減小了線圈中的感抗(IR)損耗。如圖1所示，LR是空心電感，并沒有跟傳統(tǒng)鐵磁心電感相同類型的損耗。鍋具必須采用磁性材料制造，使其能夠充當磁心。在電磁爐的開關(guān)頻率范圍內(nèi)，鍋具的厚度極大地影響磁心的能效，而渦電流損耗很大。這些損耗將磁場轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮埽阱伨咧挟a(chǎn)生大量的熱并烹調(diào)食物。
阻斷電壓約為1,200 V的IGBT廣泛應用于單端感應加熱應用。IGBT在關(guān)閉期間仍承受著高電壓，且?guī)в袣堄嚯娏鳎躺恍〉拈_關(guān)損耗。在IGBT導通狀態(tài)期間，由其飽和電壓及負載電流和結(jié)溫(TJ)導致的損耗是總體功率損耗的組成部分。這些損耗降低了應用的總能效。理解這些損耗的成因并開發(fā)可靠及相對快速的方法來測量損耗很重要，在為電磁爐設計探尋優(yōu)化的IGBT設計時尤為如此。
在此應用中IGBT的總功率損耗包含導通損耗、導電損耗、關(guān)閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計，而如果使用了零電壓開關(guān)(ZVS) 技術(shù)，可以大幅降低導通損耗。然而，并非在電磁爐所有工作功率等級條件下都能實現(xiàn)ZVS。由于儲能電路(tank circuit)的一端連接至整流輸入電壓，零態(tài)開關(guān)僅在諧振儲能電路使其電壓到達0 V的功率等級時出現(xiàn)。在某些輕載條件下，儲能電路電壓在IGBT的集電極不會到達0 V，因此未實現(xiàn)零態(tài)開關(guān)，導通功率損耗將增加。
導電損耗
由于總功率損耗的最主要構(gòu)成部分通常是導電及關(guān)閉損耗，我們現(xiàn)在就來更詳細地逐個審視這些損耗。IGBT平均耗散的功率的數(shù)學表達式如下所示：
對于導電損耗而言，此等式可以改寫為如下等式：
由此可見，導電損耗取決于負載電流、VCE(sat)及占空比。飽和電壓VCE(sat)的值并不恒定，而是隨著時間變化。導電損耗還取決于負載電流及IGBT的TJ值。此電磁爐應用中，控制電路以與烹調(diào)功率需求成直接比例的方式改變占空比。相應地，烹調(diào)功率等級最高時導電損耗就處在最大值，因為等式2中的所有參數(shù)在此功率等級時都呈現(xiàn)出其最大值。
圖2：VCE(sat)及ICE的變化曲線
圖2顯示了TJ= 67℃條件下VCE(sat)及ICE在在選定開關(guān)周期內(nèi)的變化。圖2中的數(shù)據(jù)是從在市場上購得的電磁爐獲得的，它使用一個鉗位電路來測量VCE(sat)。當IGBT關(guān)閉時，此電路在10 V時鉗位VCE，使示波器能夠使用每小格低電壓值(volt/div)的設置，這樣才能精確地測量VCE。
圖3：關(guān)閉損耗測量結(jié)果
從 圖3中可以清晰地看到電磁爐的關(guān)閉損耗波形。影響這些損耗的因素包括IGBT殘余電流、VCE歪曲率及開關(guān)頻率。殘余電流來自于IGBT關(guān)閉后漂移區(qū)留下 的少量載流子。影響這些少量電荷載流子結(jié)合率的因素包括摻雜深度、緩沖層厚度及使用的摻雜技術(shù)。開關(guān)頻率由所要求的炊具功率等級及應用的開關(guān)控制算法決 定。重要的是在設計及開發(fā)過程的每一個階段確認目標應用中的IGBT性能。性能的確認可以通過測量應用中IGBT損耗來實現(xiàn)。
電磁爐已經(jīng)被證明擁有比傳統(tǒng)電熱鍋高出約25%的能效。在軟開關(guān)電磁爐應用中，當尋求為系統(tǒng)指定IGBT時，導電損耗及關(guān)閉損耗是要考慮的最重要損耗，它們 在總體損耗中占主要比例。精確地測量這些損耗，能夠幫助在系統(tǒng)開發(fā)過程期間提供必要的數(shù)據(jù)來評估IGBT性能，因而確保將能效等級提升至最高。
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