瑞薩電子(Renesas Electronics)開(kāi)發(fā) RAA20770X 系列mini-POL 轉(zhuǎn)換器 IC，具備面積縮小75%的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝及超低熱阻，提供六種不同電流供應(yīng)等級(jí)與功能的產(chǎn)品，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域中的ASI與其他大型邏輯電路，包括個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、工業(yè)用設(shè)備、辦公室自動(dòng)化及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

因應(yīng)電源供應(yīng)器市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)節(jié)能而須降低耗電量的要求，以及市場(chǎng)對(duì)于具高功能性半導(dǎo)體產(chǎn)品需求的增加，如微控制器(MCU)、SoC裝置等，而使供應(yīng)電壓趨向多樣化。瑞薩新產(chǎn)品RAA20770X可在正常負(fù)載下執(zhí)行高效能電源轉(zhuǎn)換，并快速且規(guī)律地轉(zhuǎn)換至低功率模式。因此可降低整體系統(tǒng)的耗電量，并協(xié)助實(shí)現(xiàn)高能源效率的社會(huì)。

此外，RAA20770X系列采用等同于芯片本身大小的超小型晶圓級(jí)芯片尺寸封裝，此系列產(chǎn)品尺寸相較于早期的瑞薩產(chǎn)品縮小75%。另外，由于封裝內(nèi)無(wú)需導(dǎo)線(xiàn)連接，因而可降低導(dǎo)線(xiàn)電阻，有助于提升電壓轉(zhuǎn)換效率。RAA20770X系列更是第一款具備此整合度的小型封裝產(chǎn)品。

瑞薩在RAA20770X產(chǎn)品中采用晶圓級(jí)芯片尺寸的封裝，實(shí)現(xiàn)以迷你外型供應(yīng)大量電流的POL裝置，因此可將IC內(nèi)部導(dǎo)線(xiàn)電阻及封裝導(dǎo)線(xiàn)電阻，降至絕對(duì)極小值。例如，支持最大額定電流10A的RAA207701GBM，封裝尺寸極小，僅2.7×3.4 mm，相較于瑞薩較早的SiP POL產(chǎn)品，其封裝尺寸約縮小75%。此外，從封裝表面到芯片接合區(qū)的熱阻僅有極低的1℃/W，可在搭配散熱片及氣流時(shí)，提供高散熱設(shè)計(jì)。

次世代筆記本電腦將需要類(lèi)似現(xiàn)有平板計(jì)算機(jī)及手機(jī)，在待機(jī)時(shí)仍可進(jìn)行信息更新與擷取的功能(聯(lián)機(jī)待機(jī))，故必須盡可能降低聯(lián)機(jī)待機(jī)模式時(shí)的耗電量。為滿(mǎn)足此需求，RAA20770X系列產(chǎn)品采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方法。在低耗電模式時(shí)，負(fù)載電流較低，可達(dá)到約0.5uW的低耗電量。恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方法的另一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，則是可藉由降低運(yùn)作頻率來(lái)減少POL轉(zhuǎn)換器的耗電量;沒(méi)有負(fù)載時(shí)可降低1.6 mW耗電量，在待機(jī)模式下可達(dá)到0.5uW。恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方法亦具備快速反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。例如，即使電子設(shè)備從省電模式切換至正常模式，發(fā)生電流快速增加的情況，轉(zhuǎn)換器亦可藉由提高運(yùn)作頻率而立即反應(yīng)。

RAA20770X系列產(chǎn)品在同一芯片內(nèi)整合了POL轉(zhuǎn)換器所需要的多種保護(hù)功能，例如過(guò)電流、過(guò)電壓及熱保護(hù)等。因此，此系列產(chǎn)品支持安全且具有靈活性強(qiáng)的高可靠性電源供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，僅需搭配最少的外部組件，不僅可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并能減少物料清單。除此之外，亦可修改輸出電壓與運(yùn)作頻率以符合所采用的應(yīng)用需求，提供適用于多種應(yīng)用的作業(yè)彈性。

新款RAA207703GBM、RAA207704GBM及RAA207705GBM裝置包括整合的5V低壓降穩(wěn)壓器(LDO)電路，可提供電源供應(yīng)控制器內(nèi)部所需的5V，所以無(wú)需外部的電源供應(yīng)。如此一來(lái)，即可使系統(tǒng)僅以單一電壓運(yùn)作，例如使用12V電源供應(yīng)。

RAA20770X系列產(chǎn)品除了結(jié)合電源供應(yīng)控制器與驅(qū)動(dòng)控制器IC之外，還在單芯片中整合了兩個(gè)已針對(duì) POL 轉(zhuǎn)換器進(jìn)行優(yōu)化的 MOSFET ，可將 ASIC 等大規(guī)模集成電路所使用的5 V或12 V輸入電壓降壓至1 V或3.3V。例如，具備最大額定電流10A的RAA207701GBM，以12V輸入及3.3V輸出而言，可實(shí)現(xiàn)從低電流區(qū)流至高電流區(qū)的高效率電源轉(zhuǎn)換，特別是在10 mA時(shí)效率可達(dá)到89%，4A時(shí)可達(dá)到95%，10A時(shí)可達(dá)到92%。上述電源轉(zhuǎn)換效率將有助于降低終端產(chǎn)品的整體耗電量。

RAA20770X系列POL轉(zhuǎn)換器IC自2012年12月開(kāi)始供應(yīng)樣品；量產(chǎn)時(shí)程為2013年3月，預(yù)估至2013年7月每月產(chǎn)能可達(dá)50萬(wàn)顆。