圖2為晶體管鰭片刻蝕工藝的簡(jiǎn)要示意圖。在鰭片 (AA) 干法刻蝕工藝中，側(cè)壁會(huì)因刻蝕副產(chǎn)物的鈍化作用而出現(xiàn)錐形輪廓。由于A點(diǎn)所處區(qū)域需要去除的硅要多于B點(diǎn)所處區(qū)域，A區(qū)域消耗的反應(yīng)物更多，產(chǎn)生的副產(chǎn)物也會(huì)更多（見(jiàn)圖2 (b)）。這樣，在鰭片刻蝕后，A區(qū)域側(cè)壁的鈍化錐度就要超過(guò)B區(qū)域的側(cè)壁（見(jiàn)圖2 (c)），這也就是AA形狀扭曲的原因。

 

圖2. 鰭片刻蝕工藝中的AA形狀扭曲 (a) 刻蝕前硬掩膜的頂視圖；(b) A、B兩區(qū)域的圖形刻蝕對(duì)比；(c) 鰭片刻蝕后的頂視圖

 

AA扭曲的建模

 

SEMulator3D采用創(chuàng)新的偽3D方法，實(shí)現(xiàn)基于2D迫近函數(shù)的圖形建模。通過(guò)這種建模技術(shù)，我們可以創(chuàng)建DRAM器件的3D模型并模擬出AA形狀扭曲現(xiàn)象。圖3展示的是通過(guò)SEMulator3D模擬的DRAM 3D結(jié)構(gòu)和平面圖、布局設(shè)計(jì)和圖形相關(guān)掩膜。通過(guò)對(duì)比可以看出，圖3 (d) 和圖1 (c) 所呈現(xiàn)的AA扭曲形態(tài)是類(lèi)似的，這證明模型能正確反映實(shí)際制造結(jié)果。圖4展示的是不同鰭片高度的AA剖面圖，從中可以看出結(jié)構(gòu)底部的扭曲幅度要遠(yuǎn)高于器件頂部的扭曲。

 

圖3. (a) 布局設(shè)計(jì)；(b) 硬掩膜生成的PDE掩膜；(c)鰭片刻蝕后的3D結(jié)構(gòu)；(d)來(lái)自鰭片中部平面切口的AA形狀

 

圖4. 不同鰭片高度的AA剖面 (a) 沿字線(xiàn)切開(kāi)的3D視圖；(b) 沿字線(xiàn)切開(kāi)的橫截面圖；(c) 沿鰭片頂部切開(kāi)的3D視圖；(d)沿鰭片中間切開(kāi)的3D視圖；(e) 沿鰭片底部切開(kāi)的3D視圖

 

器件模擬與分析

 

在具有埋入式字線(xiàn)的DRAM單元中，晶體管通道位于鰭片中部附近，這里的形狀扭曲要比鰭片頂部嚴(yán)重（見(jiàn)圖4 (c)和 (d)）。在這種情況下，受側(cè)壁鈍化的影響，該通道下方的鰭片CD也要大很多。

 

圖5. 電容接觸點(diǎn)形成后的DRAM結(jié)構(gòu) (a) 3D視圖；(b)切出的單器件；(c)鰭片切面和端口定義

 

為評(píng)估AA形狀扭曲對(duì)器件性能的影響，我們用SEMulator3D建模了0.1、2.5和5度的側(cè)壁裂角以模擬不同程度的AA扭曲，并使用來(lái)自全環(huán)路DRAM結(jié)構(gòu)的單個(gè)器件進(jìn)行了電氣分析（見(jiàn)圖5 (b)）。通過(guò)SEMulator3D分配電端口（源極、漏極、柵極和襯底）即可獲得電氣測(cè)量值（見(jiàn)圖5 (c)），之后使用SEMulator3D內(nèi)置漂移/擴(kuò)散求解器即可計(jì)算不同程度AA扭曲可能導(dǎo)致的電氣性能變化。

 

圖6展示的是不同側(cè)壁角度下鰭片的斷態(tài)漏電流分布?？梢钥闯?，無(wú)論側(cè)壁角度如何，大部分漏電流集中在鰭片的中心，它們遠(yuǎn)離柵極金屬，柵極電場(chǎng)對(duì)其沒(méi)有太大影響。由于厚鰭（側(cè)壁角度較大）的柵極可控性更低，其漏電流密度要遠(yuǎn)高于更薄的鰭片。

 

圖6. 從鰭片表面到中心在不同側(cè)壁角度下的通道泄漏形態(tài)

 

總結(jié)

 

本研究使用SEMulator3D建模和分析了先進(jìn)DRAM工藝中的晶體管微負(fù)載效應(yīng)。分析結(jié)果表明，圖形相關(guān)刻蝕中的微負(fù)載效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致AA形狀扭曲，這種微負(fù)載效應(yīng)將嚴(yán)重影響器件的電氣性能，其中涉及的斷態(tài)泄漏更是決定DRAM單元數(shù)據(jù)保留能力的關(guān)鍵因素。