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VLMW611../VLMW621..系列:Vishay新型功率SMD LED
日前,Vishay推出采用 InGan技術(shù)且具有低電阻及高光功率的兩個(gè)新系列暖白色 SMD LED。VLMW611..系列采用 CLCC-6 封裝,而 VLMW621..系列采用具有 0.9mm 業(yè)界超薄厚度的 CLCC-6 扁平封裝。
2008-03-12
LED VLMW611.. VLMW621..
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IRGB40XXDPbF:IR UPS和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器應(yīng)用低功耗600V溝道IGBT
國(guó)際整流器公司推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,能夠在最高3kW的不斷電系統(tǒng) (UPS) 及太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器中,減少高達(dá)30%的功率損耗。
2008-03-11
IRGB4059DPbF IRGB4045DPbF IRGB4060DPbF IRGB4064DPbF IRGB4063DPbF 絕緣柵雙極晶體管 IGBT
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CRCW....-EL:Vishay新型高可靠性厚膜電阻
日前,Vishay宣布推出一款新型厚膜電阻,該電阻將超低的電阻值與面向電流感應(yīng)應(yīng)用的小容差及低 TCR 進(jìn)行了完美結(jié)合。
2008-03-07
CRCW....-EL 厚膜電阻
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PTS:Vishay新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器
日前,Vishay宣布推出具有三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 且采用先進(jìn)薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應(yīng)時(shí)間以及 -55°C~+155oC 的溫度范圍。
2008-03-07
溫度傳感器
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Toko推出范圍在3MHz至5MHz的壓電陶瓷振蕩器
Toko公司推出一款范圍在3MHz至5MHz的壓電陶瓷振蕩器——CRHTC-LT,它包括內(nèi)置電容,適合微處理器和紅外遙控的兆赫茲(MHz)頻帶。
2008-03-03
Toko 壓電陶瓷 振蕩器
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ASMT-QxBE:安華高0.5W表面貼裝LED系列產(chǎn)品增加四種顏色選擇
Avago宣布推出面向汽車(chē)和電子標(biāo)志應(yīng)用的0.5 W功率PLCC-4表面貼裝發(fā)光二極管系列產(chǎn)品四種新色彩選擇。Avago的ASMT-QxBE系列新添加的色彩包括有更明亮的冷白光、暖白光、藍(lán)光和綠光。這些Avago新LED產(chǎn)品擁有小的封裝尺寸、120°的寬廣視角,并面向惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)時(shí)間工作進(jìn)行了優(yōu)化。
2008-03-03
發(fā)光二極管 LED ASMT-QxBE ASMT-QWBE ASMT-QYBE ASMT-QBBE ASMT-QGBE
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ASMT-QxBE:安華高0.5W表面貼裝LED系列產(chǎn)品增加四種顏色選擇
Avago宣布推出面向汽車(chē)和電子標(biāo)志應(yīng)用的0.5 W功率PLCC-4表面貼裝發(fā)光二極管系列產(chǎn)品四種新色彩選擇。Avago的ASMT-QxBE系列新添加的色彩包括有更明亮的冷白光、暖白光、藍(lán)光和綠光。這些Avago新LED產(chǎn)品擁有小的封裝尺寸、120°的寬廣視角,并面向惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)時(shí)間工作進(jìn)行了優(yōu)化。
2008-03-03
發(fā)光二極管 LED ASMT-QxBE ASMT-QWBE ASMT-QYBE ASMT-QBBE ASMT-QGBE
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WSL0603…18:Vishay 0.20W Power Metal Strip電阻
日前,Vishay宣布推出以小型 0603 封裝具有 0.20 W 高額定功率的業(yè)界首款 Power Metal Strip電阻。WSL0603…18 的功率是標(biāo)準(zhǔn) WSL0603 型器件的兩倍,該產(chǎn)品是一種小型表面貼裝電阻,主要面向直流到直流轉(zhuǎn)換器、電源/鋰離子電池管理系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)的 VRM 中的高功率、電流感應(yīng)應(yīng)用。
2008-02-27
WSL0603…18 電阻
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STD60N3LH5/STD85N3LH5:意法半導(dǎo)體新功率MOSFET系列
意法半導(dǎo)體推出兩款適用于直流—直流轉(zhuǎn)換器的全新功率MOSFET(金屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用ST最新版STripFET制造技術(shù),擁有極低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,在一個(gè)典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi),兩種損耗的減少可達(dá)3瓦。
2008-02-20
MOSFET STD60N3LH5 STD85N3LH5 金屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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