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惠普等開發(fā)出柔性電子紙
美國惠普和美國亞利桑那大學(xué)（Arizona State University，亞歷桑那州立大學(xué)）正式宣布，開發(fā)出了掉在地上也不會(huì)損壞的柔性電子紙。該電子紙為有源矩陣型，不過沒有公開尺寸和分辨率等。
2008-12-16
柔性電子紙 電子紙 SAIL 杜邦-帝人薄膜 Vizplex
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VBUS052CD-FAH/4CD-FHI：Vishay新型ESD保護(hù)陣列
日前，Vishay推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護(hù)陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI，這些器件可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線，以防止瞬態(tài)電壓信號(hào)。
2008-12-16
VBUS052CD-FAH VBUS054CD-FHI ESD保護(hù)陣列 ESD 便攜 端口保護(hù)陣列
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Mouser電子與Exar公司簽署全球分銷協(xié)議
Mouser近日宣布與Exar公司簽署了全球分銷協(xié)議，該公司是一家在電源管理、通信及接口應(yīng)用方面提供廣泛的半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商。
2008-12-15
電源管理 通信 接口 收發(fā)器 UARTs 電源管理 穩(wěn)壓器 電荷泵 LED驅(qū)動(dòng)器 LDO USB
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將IGBT 用于不間斷電源中
本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統(tǒng)中的應(yīng)用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)注意的問題。
2008-12-15
絕緣柵雙極型晶體管 不間斷電源系統(tǒng) 在線式不間斷電源 IGBT UPS
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風(fēng)華半導(dǎo)體分立器件獲得“廣東省名牌產(chǎn)品”稱號(hào)
近期，風(fēng)華高科半導(dǎo)體分立器件繼本年初獲得采用國際先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)可標(biāo)志和證書后，又被評(píng)為2008年“廣東省名牌產(chǎn)品”。在廣東省名牌戰(zhàn)略推進(jìn)委員會(huì)公告的“半導(dǎo)體分立器件”產(chǎn)品評(píng)選類別中，風(fēng)華高科是唯一一家獲此殊榮的企業(yè)。
2008-12-15
半導(dǎo)體 分立器件 廣東省名牌產(chǎn)品
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微特電機(jī) 從生產(chǎn)大國向技術(shù)強(qiáng)國邁進(jìn)
我國已成為微特電機(jī)生產(chǎn)和出口大國，產(chǎn)品基本覆蓋了所有零部件和主要材料；當(dāng)前，我國微特電機(jī)行業(yè)應(yīng)該加速產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，加速由“大”到“強(qiáng)”的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變。
2008-12-15
微特電機(jī) 錄音機(jī) 玩具 產(chǎn)業(yè)調(diào)整
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Epson及LPI成為Akustica拓展CMOS MEMS產(chǎn)品代工及封裝伙伴
Akustica——全球最小的單芯片MEMS麥克風(fēng)制造商日前宣布，Seiko Epson Corporation (Epson)與Lingsen Precision Industries, LTD (LPI)兩家公司已經(jīng)通過認(rèn)證，成為代工及封裝合作伙伴。這意味著Akustica的合作版圖已經(jīng)延伸至北美，歐洲及亞洲，將快速提升產(chǎn)能滿足客戶需求。
2008-12-15
MEMS 麥克風(fēng) 代工 Scott Naugle
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分立半導(dǎo)體器件 老市場 新機(jī)遇
分立器件是電子工業(yè)的支撐產(chǎn)業(yè)，是電子工業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快慢不僅直接影響整個(gè)電子工業(yè)的發(fā)展，而且對(duì)發(fā)展信息技術(shù)，改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，提高技術(shù)裝備水平，促進(jìn)社會(huì)科技進(jìn)步都有重要意義。近年來國際半導(dǎo)體制造業(yè)向中國大陸的快速轉(zhuǎn)移,中國已成為全球最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體制造基地和繁榮的...
2008-12-15
消費(fèi)電子 通信技術(shù) 汽車電子 分立器件
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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時(shí)具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進(jìn)...
2008-12-15
SiB800EDK 便攜式電子設(shè)備 MOSFET 肖特基二極管
- 實(shí)現(xiàn)物流和零售自動(dòng)化——第2部分
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