壓敏電阻 VS TVS管
發(fā)布時(shí)間:2019-09-21 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】氧化鋅壓敏電阻器與TVS管都是ESD防護(hù)常用的器件,對(duì)提升整機(jī)的ESD性能有非常重要的作用。但是氧化鋅壓敏電阻器與TVS管的導(dǎo)電機(jī)理及結(jié)構(gòu)各有差異,因此在具體應(yīng)用表現(xiàn)也不盡相同。本文將對(duì)二者在導(dǎo)電機(jī)理,脈沖能量耗散機(jī)理,ESD防護(hù)時(shí)的響應(yīng)時(shí)間的不同進(jìn)行分析闡述,糾正在響應(yīng)時(shí)間認(rèn)識(shí)上可能存在的誤區(qū),從而使讀者更好的認(rèn)識(shí)壓敏電阻和TVS。
1、氧化鋅壓敏陶瓷
氧化鋅壓敏陶瓷是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、 經(jīng)電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件,具有非線性導(dǎo)電特性,是抑制過(guò)電壓、吸收浪涌能量、ESD防護(hù)的主要元件材料。氧化鋅壓敏陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)如圖1所示。是由氧化鋅晶粒及晶界物質(zhì)組成的,其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質(zhì)而呈N型半導(dǎo)體, 晶界物質(zhì)中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài),這樣兩個(gè)晶粒和一個(gè)晶界(即微觀單元)形成一個(gè)類似背靠背雙向NPN結(jié), 整個(gè)陶瓷就是由許多背靠背雙向NPN結(jié)串并聯(lián)的組合體。由于氧化鋅壓敏陶瓷晶界非常薄,僅有埃數(shù)量級(jí),則當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),屬于肖特基勢(shì)壘熱電子發(fā)射電導(dǎo),其導(dǎo)通電流與PN結(jié)勢(shì)壘及溫度有關(guān);當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓(3.2V)時(shí),屬于隧道電子擊穿導(dǎo)電,其導(dǎo)通電流只與所施加電壓有關(guān),隧道電子擊穿時(shí)間是幾十到百皮秒。
圖2是壓敏電阻器的等效電路。其中:當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),Rb遠(yuǎn)大于Rg,施加電壓幾乎全部加在晶界上,Rb>10M;當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),晶界產(chǎn)生隧道電子擊穿導(dǎo)電,Rb遠(yuǎn)小于Rg,施加電壓加在晶粒和晶界上,Rg+Rb阻值只有歐姆級(jí);因此當(dāng)外施電壓小于氧化鋅壓敏陶瓷晶界擊穿電壓(即壓敏電壓)時(shí),壓敏電阻呈現(xiàn)絕緣體高阻值,其漏電流僅有微安級(jí);當(dāng)外施電壓大于氧化鋅壓敏陶瓷晶界擊穿電壓(即壓敏電壓)時(shí),壓敏電阻呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值,通過(guò)電流有幾十安培,而且外施電壓小幅提高,通過(guò)電流急速增長(zhǎng)。 片式氧化鋅壓敏電阻器是采用氧化鋅壓敏陶瓷材料,經(jīng)過(guò)電子陶瓷流延工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件。由于片式氧化鋅壓敏電阻器可應(yīng)用于電子電源線路和數(shù)據(jù)傳輸線路中,因此被保護(hù)電路的工作電壓范圍較寬,同時(shí)數(shù)據(jù)線對(duì)其電容有特殊要求。通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝調(diào)整(如層數(shù)和膜厚等),可以得到不同線路保護(hù)要求的壓敏電阻器。其結(jié)構(gòu)和線路如圖4:
2、TVS管
TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)或稱瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新產(chǎn)品,其電路符號(hào)和普通穩(wěn)壓二極管相同,外形也與普通二極管無(wú)異,分為單向和雙向,具有非線性導(dǎo)電特性,用于線路抑制過(guò)電壓、ESD防護(hù)。目前TVS管PN結(jié)的反向擊穿電壓一般大于6V,當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),屬于肖特基勢(shì)壘熱電子發(fā)射電導(dǎo),其導(dǎo)通電流與PN結(jié)勢(shì)壘及溫度有關(guān);當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓(6V)時(shí),屬于雪崩電子擊穿導(dǎo)電,其導(dǎo)通電流只與所施加電壓有關(guān),雪崩電子擊穿時(shí)間可達(dá)1~2ns。由于TVS管也是PN結(jié)微觀結(jié)構(gòu),其等效電路類似圖2。TVS管只有PN結(jié),無(wú)晶粒電阻,即Rg=0。因此當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),PN結(jié)雪崩電子擊穿導(dǎo)電,施加電壓主要加在PN結(jié)電阻Rb上,Rb阻值只有歐姆級(jí),因此當(dāng)外施電壓大于TVS擊穿電壓(即壓敏電壓)時(shí),呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值,通過(guò)電流有幾十安培,而且隨著通過(guò)TVS電流急速增長(zhǎng),而TVS兩端電壓仍然很低(相對(duì)片式氧化鋅壓敏電阻器而言)。能量耗散對(duì)比以及對(duì)應(yīng)用表現(xiàn)的影響基于以上導(dǎo)通機(jī)理分析,當(dāng)片式TVS管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí),它能以納秒級(jí)時(shí)間使其PN結(jié)阻抗驟然降低,將其兩端間的電壓箝位在一個(gè)預(yù)定的數(shù)值上,從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。由于TVS管內(nèi)部?jī)H是雪崩PN結(jié)結(jié)構(gòu),在導(dǎo)通時(shí)TVS兩端呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值特性,從而限制電壓較壓敏電阻更低,在TVS上支路上的通流更大,該特性適合應(yīng)用于耐ESD電壓特別差或者被保護(hù)部位阻抗特別小的部位(如聽(tīng)筒,MIC,音頻等)。但TVS無(wú)法吸收瞬間脈沖能量,只能將能量單方向傳導(dǎo)至線路的公用地線上,有可能對(duì)連接到該公共地的其他ESD敏感器件造成二次破壞。壓敏電阻內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)是無(wú)數(shù)個(gè)PN結(jié)和晶粒的串并聯(lián)結(jié)合體,可以吸收和傳導(dǎo)能量,當(dāng)線路中產(chǎn)生任何過(guò)電壓時(shí),壓敏電阻器迅速?gòu)恼讱W級(jí)絕緣電阻變?yōu)闅W姆級(jí)的電阻,將過(guò)電壓抑制到較低的水平并吸收部分能量,因此壓敏電阻的吸收能量的能力比TVS管要強(qiáng),并且能防止ESD造成的瞬態(tài)EMI和二次破壞。壓敏電阻的特性特別適合于電源部位和較大瞬態(tài)能量的部位過(guò)壓防護(hù)。響應(yīng)時(shí)間作為過(guò)電壓保護(hù)元件,當(dāng)過(guò)電壓出現(xiàn)時(shí),保護(hù)元件從高阻值絕緣體變?yōu)榈碗娮鑼?dǎo)體、即將過(guò)電壓的峰值電壓大幅降低的時(shí)間,稱為過(guò)電壓保護(hù)元件的響應(yīng)時(shí)間。只有過(guò)電壓保護(hù)元件的響應(yīng)時(shí)間小于過(guò)電壓的上升時(shí)間,才具有過(guò)電壓的抑制功能。過(guò)電壓保護(hù)元件響應(yīng)時(shí)間是由元件材料及結(jié)構(gòu)決定的,當(dāng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中存在寄生電感、電容時(shí),除對(duì)保護(hù)元件響應(yīng)時(shí)間影響外,還會(huì)影響過(guò)電壓產(chǎn)生瞬間線路的振蕩過(guò)程。目前很多設(shè)計(jì)人員的意識(shí)里存在壓敏電阻響應(yīng)時(shí)間比TVS慢的誤區(qū),器件的響應(yīng)時(shí)間一般由材料和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定,下面對(duì)這兩個(gè)因素進(jìn)行分析。
1、材料本征響應(yīng)時(shí)間由上面的導(dǎo)通機(jī)理分析可以知道,氧化鋅壓敏陶瓷導(dǎo)電機(jī)理是隧道擊穿,所以其材料響應(yīng)時(shí)間就是其隧道電子擊穿時(shí)間,一般為0.3ns。TVS管導(dǎo)電機(jī)理是雪崩擊穿,其響應(yīng)時(shí)間就是其雪崩電子擊穿時(shí)間,一般在0.5~1ns之間。
2、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)對(duì)響應(yīng)時(shí)間影響片式氧化鋅壓敏電阻器采用多層獨(dú)石結(jié)構(gòu),其寄生電感非常小,對(duì)其響應(yīng)時(shí)間影響甚微,有些設(shè)計(jì)人員談到的壓敏電阻響應(yīng)時(shí)間慢主要指用于AC端防浪涌的插件壓敏電阻,因?yàn)檩^長(zhǎng)的引線引入寄生的電感導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間較慢(25ns)。而TVS管為了SMT要求,在其兩端設(shè)計(jì)電極引線,也會(huì)產(chǎn)生寄生電感,對(duì)其響應(yīng)時(shí)間有一定影響。而ESD放電波形一般在1nS達(dá)到峰值(如圖6),這就需要過(guò)電壓防護(hù)器件在1nS內(nèi)迅速響應(yīng),鉗制過(guò)電壓,保護(hù)IC和ESD敏感線路。從響應(yīng)時(shí)間看,片式壓敏電阻和TVS的響應(yīng)時(shí)間都滿足ESD防護(hù)的需求,從而起到良好的防護(hù)效果。
綜合以上分析和對(duì)比,片式氧化鋅壓敏陶瓷電阻和TVS管均是抑制ESD的有效器件,TVS管限制電壓較低,瞬態(tài)內(nèi)阻較小,適合應(yīng)用于耐ESD電壓特別差或者被保護(hù)部位阻抗特別小的部位(如聽(tīng)筒,MIC,音頻等)。而壓敏電阻的吸收能量的能力比TVS管要強(qiáng),除了一般的ESD防護(hù),也特別適合于電源部位和較大瞬態(tài)能量的部位過(guò)壓防護(hù)。在響應(yīng)時(shí)間方面,要避免陷入片式氧化鋅壓敏陶瓷電阻的響應(yīng)時(shí)間慢的誤區(qū)。由于工藝的差異,片式壓敏電阻的價(jià)格要遠(yuǎn)低于TVS,表現(xiàn)出良好的性價(jià)比,設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)電路的實(shí)際應(yīng)用靈活選擇片式壓敏電阻或者TVS。
TVS 是半導(dǎo)體保護(hù)器件,具有響應(yīng)速度快,可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。弱點(diǎn)一是無(wú)法承受太大的瞬間電流,二是其箝位電壓隨著電流增加而增加。
特別適合于不需要旁路大能量的低電壓場(chǎng)合應(yīng)用。示例電路如下:
壓敏電阻的突破承載取決于它的物理尺寸,因而可以獲得較高的浪涌電流值。其箝位特性使他可以為AC或DC電源線應(yīng)用中作為瞬態(tài)保護(hù)元件。壓敏電阻的價(jià)格較為低廉。
相比TVS二極管它的缺點(diǎn)是寄生電容較大,響應(yīng)時(shí)間較慢,離散性大。
另外,壓敏電阻會(huì)產(chǎn)生蛻化,因此存在可靠性和性能問(wèn)題。
實(shí)例電路AC200V電源防雷:
DC12V/24V 電源防雷:
本文整理自《選壓敏電阻還是TVS管? 二者導(dǎo)通機(jī)理和應(yīng)用的分析與對(duì)比》順絡(luò)電子
《TVS管和壓敏電阻的區(qū)別以及TVS管的應(yīng)用》百度知道
推薦閱讀:
特別推薦
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
技術(shù)文章更多>>
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
- 準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)
- 第12講:三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
- 一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級(jí)聯(lián)和混合概念
- 意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器,成為眾多新型應(yīng)用的核心所在
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
單向可控硅
刀開(kāi)關(guān)
等離子顯示屏
低頻電感
低通濾波器
低音炮電路
滌綸電容
點(diǎn)膠設(shè)備
電池
電池管理系統(tǒng)
電磁蜂鳴器
電磁兼容
電磁爐危害
電動(dòng)車
電動(dòng)工具
電動(dòng)汽車
電感
電工電路
電機(jī)控制
電解電容
電纜連接器
電力電子
電力繼電器
電力線通信
電流保險(xiǎn)絲
電流表
電流傳感器
電流互感器
電路保護(hù)
電路圖